庫存調整持續,臺積電下調全年財測!AI帶動(dòng)CoWoS產(chǎn)能供不應求
7月20日,晶圓代工代龍頭大廠(chǎng)臺積電正式公布了 2023 年第二季財報。在下午的法說(shuō)會(huì )上,臺積電相關(guān)高管對于二季度業(yè)績(jì)、半導體市場(chǎng)趨勢、三季度及全年業(yè)績(jì)預期、先進(jìn)制程、人工智能、海外建廠(chǎng)進(jìn)展等問(wèn)題進(jìn)行了解析。
臺積電Q2凈利潤約新臺幣1818億元,同比下滑23.3%
如果以新臺幣計算,今年二季度臺積電合并營(yíng)收約新臺幣4808.4億元(約合人民幣1110.4億元),同比下滑10%,環(huán)比下滑5.5%;稅后凈利潤約新臺幣1818億元(約合人民幣419.8億元),同比下滑23.3%,環(huán)比下滑12.2%;每股 EPS(每股盈利)為新臺幣7.01 元。二季毛利率為毛利率為 54.1%,營(yíng)業(yè)利潤率為 42%,稅后凈利潤率則為37.8%。
按照臺積電一季度法說(shuō)會(huì )上給出的績(jì)指引來(lái)看,二季度業(yè)績(jì)基本符合預期,毛利率和營(yíng)業(yè)利潤率略高于指引的上限。
但如果以美元計算,今年二季度臺積電合并營(yíng)收為156.8億美元,同比下滑13.7%,環(huán)比下滑6.2%,下滑幅度大于預期。
臺積電財務(wù)長(cháng)暨發(fā)言人黃仁昭表示,第二季毛利率較上季下滑主要是由于較低的產(chǎn)能利用率所致,但仍略高于財測預估的上緣,主要是由于更嚴格的成本控制努力和稍微更有利的匯率。
臺積電累計上半年合并營(yíng)收達新臺幣9894.74億元,同比下滑年3.49%,營(yíng)業(yè)利潤4,331.96億元,同比下滑10.85%,毛利率55.25%,營(yíng)業(yè)利潤率43.78%,分別低于去年同期的57.42%和43.78%;稅后凈利潤為新臺幣3887.86億元,同比下滑11.59%,仍全創(chuàng )同期次高,EPS為新臺幣14.99元。
7nm及以下先進(jìn)制程占比53%
按各工藝制程節點(diǎn)的營(yíng)收占比來(lái)看,臺積電二季度5nm制程營(yíng)收占比為30%,相比一季度降低了1個(gè)百分點(diǎn);7nm制程營(yíng)收占比為23%,相比一季度提升了3個(gè)百分點(diǎn);3nm目前尚未貢獻營(yíng)收,但整體7nm及更先進(jìn)制程的營(yíng)收占比已達53%。16nm制程營(yíng)收占比11%,相比一季度下滑了2個(gè)百分點(diǎn);28nm制程營(yíng)收占比為11%,相比一季度下滑1個(gè)百分點(diǎn)。
HPC營(yíng)收占比44%,但營(yíng)收環(huán)比下滑5%
從終端應用來(lái)看,臺積電二季度來(lái)自HPC領(lǐng)域的營(yíng)收占比為44%,來(lái)自智能手機領(lǐng)域的占比為33%,IoT領(lǐng)域為8%,汽車(chē)領(lǐng)域為8%,DCE領(lǐng)域為3%。從各應用領(lǐng)域的增長(cháng)率來(lái)看,除了汽車(chē)和DCE分別保持了3%和25%的環(huán)比增長(cháng)之外,其他領(lǐng)域均出現了同比下滑,其中智能手機和IoT領(lǐng)域跌幅居前,分別達到了-9%和-11%。今年以來(lái)非?;鸨腍PC市場(chǎng),也并未給臺積電二季度HPC營(yíng)收帶來(lái)多大增長(cháng),環(huán)比反而還下降了5%。
三季度業(yè)績(jì)預期:營(yíng)收有望環(huán)比增長(cháng)11.6%
對于三季度的業(yè)績(jì)指引,臺積電財務(wù)長(cháng)黃仁昭指出根據目前的業(yè)務(wù)前景預計,如果以美元計算,營(yíng)收將在167 億美元到 175 億美元之間,較第二季度環(huán)比增長(cháng)6.5%~11.6%;毛利率在51.5%到53.5%之間;營(yíng)業(yè)利潤率在38%到40%之間。
如果以1美元兌30.8新臺幣的匯率計算,預計三季度營(yíng)收為新臺幣5143.6億元到5390億元之間,環(huán)比增長(cháng)7%~12.1%,同比下滑12.1~16.1%,中位數為新臺幣5266.8億元,環(huán)比增長(cháng)9.5%,同比下滑12.09%。毛利率及營(yíng)業(yè)利潤率預估中位數分別為52.5%(相比二季度降低了1.6個(gè)百分點(diǎn))和39%,分別降至近7個(gè)季度和近15個(gè)季度低點(diǎn)。
這個(gè)指引也低于市場(chǎng)分析師的普遍預期。
黃仁昭表示,三季度預期將受益于3nm制程需求的強勁成長(cháng),帶動(dòng)整體業(yè)績(jì)回升,但部分增長(cháng)動(dòng)能將會(huì )被客戶(hù)持續的庫存調整所抵消。
半導體市場(chǎng)復蘇不及預期,臺積電下調全年財測
臺積電二季度以美元計的業(yè)績(jì)低于預期,同時(shí)三季度的業(yè)績(jì)指引也低于預期,這也反應出了在半導體市場(chǎng)持續調整之下,作為晶圓代工龍頭大廠(chǎng)臺積電已難以不受影響。
那么,在臺積電看來(lái),半導體市場(chǎng)調整何時(shí)會(huì )結束?
對此,臺積電總裁魏哲家表示,“經(jīng)濟形勢比我們先前預期的弱(Macro is weaker then what we thought),比如中國大陸經(jīng)濟復蘇比預期慢、終端需求不佳也在持續,通貨膨脹因素也持續。除了AI以外,所有客戶(hù)也全面更謹慎地在管控下半年庫存,IC設計客戶(hù)的庫存預計在2023年第四季結束時(shí)才會(huì )到更健康、更低水準,但他們仍會(huì )持續管控。至于庫存調整將會(huì )持續到什么時(shí)候,還是要看大環(huán)境。”
魏哲家表示,三季度AI需求雖增加,卻不足以彌補庫存調整與經(jīng)濟前景不佳的干擾,產(chǎn)值與IC設計客戶(hù)產(chǎn)值都比先前進(jìn)一步下修。
魏哲家預期,今年不計入存儲芯片的半導體產(chǎn)值將減少中個(gè)位數百分比(約4%至6%),今年晶圓代工產(chǎn)值預計將減少十位數百分比(約14%至16%),IC設計庫存調整持續下,產(chǎn)值也將比先前預測轉趨保守。臺積電今年美元營(yíng)收恐將同比減少10%,下滑幅度高于先前預估的中個(gè)位數百分比(約4%至6%)。
在今年一季度的法說(shuō)會(huì )上,臺積電預計今年不含存儲芯片的全球半導體產(chǎn)值將衰退4-6%,其中晶圓代工業(yè)產(chǎn)值將衰退約7-9%。
顯然,相比之前的預期,臺積電最新的預期要更加悲觀(guān)。
基于以上因素對于臺積電的影響,臺積電預計,若以美元計算,臺積電2023年的全年營(yíng)收預期將同比下滑約10%。
從更長(cháng)期的角度來(lái)看,臺積電依然樂(lè )觀(guān)。魏哲家表示,在 5G 和 HPC 產(chǎn)業(yè)大趨勢的支持下,計算需求的大規模結構性成長(cháng)將持續推動(dòng)對性能和節能計算的更多需求,而這些皆需要使用到先進(jìn)制程技術(shù)。這些大趨勢預期將推動(dòng)臺積電的長(cháng)期成長(cháng),即便 2023年更具挑戰性,若以美元計,臺積電的營(yíng)收在未來(lái)幾年內仍然預期維持15%至20%的年復合成長(cháng)率 (CAGR)。
黃仁昭也表示,由于半導體周期性的影響、3nm的推出、海外晶圓廠(chǎng)擴張以及通貨膨脹成本(包括中國臺灣的公用事業(yè)成本上升),2023年全年的毛利率面臨著(zhù)產(chǎn)能利用率下降的挑戰,不過(guò)預測長(cháng)期毛利率仍可達53%或更高。
全年資本支出維持320~360億美元
在資本支出方面,臺積電第二季資本支出約81.7億美元,環(huán)比下滑17.81%,同比增長(cháng)11.31%。累計上半年資本支出約181.1億美元,同比增長(cháng)8.31%。
至于2023全年資本支出,將維持320~360億美元不變。大約更多是偏向320億美元這邊。
在折舊費用方面,臺積電2023年的折舊費用,相較于前一年將成長(cháng)二十位數中段 (mid-twenties) 百分比,主要因素為3nm技術(shù)量產(chǎn)。另外,盡管正處于短期庫存周期,仍重申支持客戶(hù)成長(cháng)的承諾,嚴謹的資本支出和產(chǎn)能規劃仍是基于長(cháng)期的結構性市場(chǎng)需求。
升級版3nm四季度量產(chǎn),2025年量產(chǎn)2nm
前面我們有提到,在臺積電第二季營(yíng)收當中,7nm及以下先進(jìn)制程的營(yíng)收占比已經(jīng)達到了53%。雖然3nm在二季度尚未貢獻業(yè)績(jì),但是預計在三季度將會(huì )帶來(lái)一個(gè)比較大的增長(cháng)。
魏哲家表示,今年下半年3nm制程有望快速成長(cháng),至于升級版3nm制程,目前已通過(guò)驗證,并達成性能與良率目標,預計今年第四季量產(chǎn)。
至于2nm制程方面,魏哲家指出,2nm制程技術(shù)研發(fā)進(jìn)展順利,基于全新的GAA晶體管架構,將如期于2025年量產(chǎn)。
此外魏哲家還進(jìn)一步表示,臺積電在2nm還在研發(fā)背面供電解決方案,適用于高性能計算相關(guān)應用,目標在2025年下半年推出,2026年量產(chǎn)。
AI芯片爆炸式增長(cháng),5年內在臺積電營(yíng)收占比將超10%
魏哲家表示,最近人工智能相關(guān)需求的增加,對臺積電來(lái)說(shuō)是正面的影響。生成式人工智能需要更高的計算能力和互連帶寬,這推動(dòng)了半導體內容的增加,無(wú)論是使用CPU、GPU,還是專(zhuān)用AI芯片(ASIC)進(jìn)行AI訓練和推理,共同點(diǎn)在于需要先進(jìn)的技術(shù)和強大的晶圓代工生態(tài)系統,這些都是臺積電的優(yōu)勢,目前這類(lèi)服務(wù)器AI處理器需求貢獻的營(yíng)收約占臺積電總營(yíng)收的6%左右,預測這項需求在未來(lái)五年內將以近50%的年復合增長(cháng)率增加,屆時(shí)在臺積電總營(yíng)收當中的占比也將增加到十位數百分比低段區間(超過(guò)10%)。
預測這將在未來(lái)五年內以接近50%的年增長(cháng)率增長(cháng),并占臺積電營(yíng)收的10%左右。
另外,定義為 CPU、GPU 和 AI 加速器等執行訓練和推論功能的伺服器 AI 處理器,其需求約占臺積電總營(yíng)收的 6%。因此,預測這項需求在未來(lái)五年將以近 50% 的年複合成長(cháng)率增加,在臺積電營(yíng)收的占比也將增加到十位數低段區間。而針對節能運算永無(wú)止境的需求以數據中心為開(kāi)端,預期隨著(zhù)時(shí)間推移,此一需求將拓展到邊緣和終端設備上,這將帶來(lái)進(jìn)一步的長(cháng)期機會(huì )。
對于節能計算的需求也開(kāi)始從數據中心等領(lǐng)域增長(cháng),預計這種需求將擴散到邊緣和終端設備,進(jìn)而帶來(lái)更多長(cháng)期的機會(huì )。
魏哲家表示,已經(jīng)將AI需求的某些假設納入了臺積電的長(cháng)期資本支出和增長(cháng)預測中,臺積電的高性能計算平臺預計將成為臺積電未來(lái)幾年長(cháng)期增長(cháng)的主要引擎和最大增量貢獻者。
不過(guò),有報道稱(chēng),臺積電警告稱(chēng),從短期來(lái)看,要降低對訓練人工智能模型芯片熱潮的預期,并表示尚不確定 ChatGPT帶來(lái)的需求激增是可持續的。這一點(diǎn)從臺積電二季度HPC業(yè)務(wù)的營(yíng)收變化能夠看出一些端倪,其二季度HPC業(yè)務(wù)營(yíng)收環(huán)比不僅沒(méi)有增長(cháng),反而還下降了5%。
CoWoS產(chǎn)能供不應求
此前韓國媒體The Elec報導稱(chēng),由于臺積電CoWoS先進(jìn)封裝產(chǎn)能供不應求,臺積電大客戶(hù)NVIDIA(英偉達)考慮將其所需的第三代HBM(高帶寬內存)及 2.5D 封裝訂單的10%交由三星電子。
對此,魏哲家表示,AI熱潮推升臺積電CoWoS先進(jìn)封裝產(chǎn)能吃緊,目前正在加速擴產(chǎn)。
自去年起,臺積電CoWoS產(chǎn)能需求幾乎是雙倍成長(cháng),面對CoWoS先進(jìn)封裝產(chǎn)能爆滿(mǎn),臺積電此前就曾表示,計劃將CoWoS產(chǎn)能擴大40%以上。目前優(yōu)先規劃把先進(jìn)封裝龍潭AP3廠(chǎng)部分InFO制程轉至南科廠(chǎng),空出來(lái)的龍潭廠(chǎng)加大力度擴充CoWoS產(chǎn)能,竹南AP6廠(chǎng)也將加入支援,擴充先進(jìn)封裝制程。
業(yè)界此前也傳出臺積電積極買(mǎi)設備擴產(chǎn),辛耘、弘塑等相關(guān)設備供應商獲得大單的消息。然而,臺積電買(mǎi)機臺須經(jīng)過(guò)驗證、良率調校等程序,無(wú)法馬上加入生產(chǎn)線(xiàn),勢必得尋求委外產(chǎn)能支援。
劉德音在此前的臺積電股東會(huì )上就曾透露,受益于A(yíng)I需求增加,客戶(hù)端對于先進(jìn)封裝需求遠大于臺積電現有產(chǎn)能,迫使公司急需增加先進(jìn)封裝產(chǎn)能,在此狀態(tài)下,會(huì )把CoWoS制程中的oS流程交由專(zhuān)業(yè)封測代工廠(chǎng)(OSAT)。
雖然劉德音并未透露臺積電委外合作的封測代工廠(chǎng),但業(yè)界猜測應該是日月光,主因雙方已合作多年,加上日月光先進(jìn)封裝競爭優(yōu)勢強,以日月光在今年5月中旬發(fā)布的Fan-Out-Chip-on-Substrate-Bridge技術(shù)為例,已實(shí)現最新突破的技術(shù),在70mm x 78mm尺寸的大型高效能封裝體中,能透過(guò)八個(gè)橋接連接(Bridge)整合二顆ASIC和八個(gè)HBM元件。
在CoWoS先進(jìn)封裝委外方面,魏哲家在此次法說(shuō)會(huì )上也強調,“會(huì )用各種方式滿(mǎn)足客戶(hù)需求”。臺積電正加速增加CoWoS先進(jìn)封裝產(chǎn)能,預期2024年新產(chǎn)能可舒緩客戶(hù)需求。
美國廠(chǎng)將延后至2025年量產(chǎn)
對于海外建廠(chǎng)進(jìn)展方面,臺積電董事長(cháng)劉德音表示,美國亞利桑那州廠(chǎng)正面臨一些挑戰,主要為熟悉半導體設備的專(zhuān)業(yè)人員不足致使建廠(chǎng)進(jìn)度落后,因此原計劃于2024年量產(chǎn)的4nm,將延后到2025年。
但劉德音也表示,目前臺積電正積極改善這種情況,包括調派中國臺灣人員至美國,以及在當地培訓員工。
日本熊本晶圓廠(chǎng)進(jìn)展順利,將如期于2024年底量產(chǎn),將生產(chǎn)16nm、22nm及28nm制程。
至于歐洲建廠(chǎng)計劃,臺積電表示,將加速評估德國建設車(chē)用特殊制程產(chǎn)能,但具體仍要基于客戶(hù)需求及政府支持狀況而確定。
另外,中國大陸南京廠(chǎng)在擴產(chǎn)28nm制程,也會(huì )繼續在中國臺灣投資并擴大產(chǎn)能。
劉德音說(shuō),臺積電的海外布局會(huì )視客戶(hù)的需求及客戶(hù)的支持情況而定,但因為海外設廠(chǎng)時(shí),晶圓廠(chǎng)規模較小、整體供應鏈成本高,以及海外的半導體生態(tài)系統尚不成熟,都墊高了臺積電海外設廠(chǎng)的成本,為降低成本,臺積電目前正嘗試爭取各國最高補助。
編輯:芯智訊-浪客劍
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