最新！臺積電2025年量產(chǎn)2納米芯片

據中國臺灣最新消息，臺積電將于2025年開(kāi)始量產(chǎn)2納米半導體工藝（N2節點(diǎn)）。這一時(shí)間表與臺積電的計劃相同，該公司管理層曾在投資者會(huì )議上多次談到這一計劃。此外，臺積電正在計劃一種名為N2P的新型2納米節點(diǎn)，將在N2節點(diǎn)之后的一年投入生產(chǎn)。

據稱(chēng)，臺積電的2納米芯片量產(chǎn)正在按計劃進(jìn)行。該公司的高管在不同場(chǎng)合多次解釋下一代芯片制造工藝的時(shí)間表。例如，在2021年的一次會(huì )議上，該公司的CEO 魏哲家博士表示，臺積2納米的大規模生產(chǎn)將在2025年開(kāi)始。

臺積電研發(fā)和技術(shù)高級副總裁Mii博士去年也證實(shí)了這一時(shí)間表。今年1月，魏博士表示，這一過(guò)程將會(huì )“提前”，測試小規模生產(chǎn)將于2024年開(kāi)始。最新的報道補充說(shuō)，大規模量產(chǎn)將在臺積電位于新竹寶山的工廠(chǎng)進(jìn)行。

臺積還在臺中地區建設第二家工廠(chǎng)，這座名為Fab 20的制造工廠(chǎng)將分階段建造。另一個(gè)值得注意的點(diǎn)是，雖然臺積電表示N3節點(diǎn)有一個(gè)高性能版本，稱(chēng)為N3P，但似乎N2節點(diǎn)的改進(jìn)節點(diǎn)N2P還沒(méi)有宣布。

供應鏈中的消息人士表示，N2P將通過(guò)使用BSPD(后端電力傳輸)來(lái)提高性能。BSPD英文全稱(chēng)是Backside Power Delivery，是所謂“通過(guò)硅孔”（TSV）的擴展技術(shù)。TSV是貫穿晶圓的連接，可以堆疊多個(gè)芯片晶粒，如存儲晶粒和CPU晶?？赏ㄟ^(guò)TSV封裝到一起。BSPDN(后端電力輸送網(wǎng)絡(luò ))涉及到將用于信號傳輸的后端金屬布線(xiàn)和用于電壓輸送的金屬線(xiàn)分開(kāi)，然后將用于電壓輸送的金屬線(xiàn)放置到晶圓背面制造，這種方式有至少兩個(gè)優(yōu)點(diǎn)，一方面晶圓正面節省了金屬線(xiàn)層數從而可以增加晶體管密度，另一方面晶圓背面供電可直接連接晶體管減少電阻損耗。

摩根士丹利表示，臺積電可能會(huì )將其2023年的收入預測從“小幅增長(cháng)”調整為“持平”，而其主要客戶(hù)蘋(píng)果公司將不得不在今年晚些時(shí)候接受芯片價(jià)格上漲3%。研究報告稱(chēng)，臺積電用于制造iPhone的N3工藝節點(diǎn)的產(chǎn)量也有所改善。