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ASML的稱(chēng)霸之路!

發(fā)布人:旺材芯片 時(shí)間:2023-04-15 來(lái)源:工程師 發(fā)布文章

來(lái)源:自由財經(jīng)


當今世界前三光刻機制造商依序排名為,荷蘭阿斯麥(ASML)以及日本的尼康(Nikon)、佳能(Canon),尼康與佳能是百年相機老牌不必多說(shuō),但是阿斯麥是什么來(lái)頭?這個(gè)1984年才成立,年齡只有39歲的小伙,是如何反超2個(gè)老前輩,成為眾星捧月的半導體設備供應商?


臺積電浸潤式微影技術(shù) 只有ASML相信


從上世紀80年代截至本世紀初,全球光刻機企業(yè)屈指可數,當時(shí)的霸主還是美國GCA(1988年被收購)以及尼康和佳能,阿斯麥在行業(yè)內算是無(wú)名小卒,不過(guò)這樣的小卒卻非常幸運的碰上2位貴人。


第1位貴人:臺積電。在2004年以前,光刻機技術(shù)主要還是以干式曝光為主,這時(shí)卻殺出個(gè)林本堅,林本堅時(shí)任臺積電研發(fā)副總經(jīng)理,2002年發(fā)明出浸潤式微影技術(shù),這個(gè)不被尼康、佳能看好的新技術(shù),當時(shí)受到了阿斯麥的重用,他們一拍即合,僅用1年時(shí)間,就在2004年拼全力趕出第1臺樣機,并先后奪下IBM和臺積電等大客戶(hù)的訂單。


可以這么說(shuō),阿斯麥的成功靠的不是自己,而是林本堅,他的193納米浸潤式微影技術(shù)能顯著(zhù)提升蝕刻精度,使其成為當時(shí)高端光刻機的主流技術(shù)方案,一舉壟斷市場(chǎng)。當然,臺積電之后在技術(shù)、人才、資金方面持續加碼,也促進(jìn)了阿斯麥在市場(chǎng)上所向披靡。


第2位貴人:英特爾(Intel)。1997年,為了嘗試突破193納米,英特爾早就聯(lián)合政府、企業(yè)成立EUV LLC前沿技術(shù)組織,成員除了英特爾以外,還有美國能源部、摩托羅拉(Motorola)、超微半導體(AMD)、IBM,最后1個(gè)位置英特爾本想拉尼康和阿斯麥入伙,問(wèn)題是,這2間公司1個(gè)來(lái)自日本、1個(gè)來(lái)自荷蘭,但極紫外光(EUV)被美國視為半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的核心技術(shù),所以不希望外企參與其中。最后,阿斯麥與美國達成協(xié)議,正式成為組織一員。


美國對日本半導體存戒心 


阿斯麥在加入起初就遞交投名狀,同意在美國建立1所工廠(chǎng)和1個(gè)研發(fā)中心,以此滿(mǎn)足所有美國本土的產(chǎn)能需求,還保證55%的零組件均從美國供應商處采購,并接受定期審查。


眾所周知的是,日本半導體產(chǎn)業(yè)在80年代一度強大到可以吊打美國,逼得美國對日本發(fā)動(dòng)全面貿易戰才將日本的半導體產(chǎn)業(yè)打下去,所以比起荷蘭,美國對日本存有更大戒心,因此才放棄尼康。


因為2位貴人的加持,阿斯麥終于在2015年將極紫外光工藝處于可量產(chǎn)狀態(tài),不僅不愁沒(méi)有地方賣(mài),每家半導體制造商還都搶著(zhù)要。隨后5年,尼康痛失50%以上的光刻機市占率。


尼康閉門(mén)造車(chē) 錯失商機 


加入EUV LLC后的阿斯麥覺(jué)得,一旦研發(fā)出極紫外光技術(shù),可能會(huì )被美國提防,于是決定讓出公司股份,讓英特爾、臺積電、三星(Samsung)等半導體大廠(chǎng)成為股東,這個(gè)決定證實(shí)阿斯麥不僅消除美國顧慮、贏(yíng)得盟友,還因合作得到許多技術(shù)支援。


當對手靠產(chǎn)業(yè)鏈一起發(fā)力,尼康還在自己搞定。舉例而言,三星與臺積電生產(chǎn)的是DRAM、ASIC等通用性產(chǎn)品,追求產(chǎn)品通用性有助于生產(chǎn)線(xiàn)規格統一,結果尼康從投影系統、控制臺、對位系統、軟體甚至機身全是自制,只有照明系統采用德國蔡司(Zeiss)。


其結果就是尼康對各構成的知識非常豐富,且有很強的調整與客戶(hù)應對能力,但各構成系統的最優(yōu)化方面幾乎沒(méi)有積累。阿斯麥則與之相反,設備搬入顧客工廠(chǎng)后還能微調模組,不斷積累下臺光刻機最佳模組化設計的經(jīng)驗,與其他同業(yè)相比,阿斯麥完全是在做全球化光刻機。


一步踏錯步步錯


在那個(gè)還在想要把193納米光波再磨細的年代,半導體大隊分出2派人馬,1派是EUV LLC,另1派則以尼康為首,尼康既因企業(yè)本身,還有顧客面原因,仍主張采用前代技術(shù)的基礎上,使用157納米的F2雷射。


臺積電林本堅的技術(shù)他們不是不知道,只是若要改用全新工藝,前期投入的研發(fā)、設備等同于推倒重來(lái),簡(jiǎn)直是革自己的命,若真要采用,談何容易?不說(shuō)日企「工匠精神」的心態(tài)問(wèn)題,只說(shuō)現實(shí)層面,未加入EUV LLC、未即時(shí)采用浸潤技術(shù),尼康與佳能就注定讓位半導體設備商冠軍寶座。


在阿斯麥推出首臺極紫外光刻機后,雖然尼康很快也亮出了干式微影157納米技術(shù)的成品,但畢竟被阿斯麥搶了頭陣,何況波長(cháng)還略落后于對手,等到1年后,尼康完成對浸潤微影的追趕,也無(wú)法再追上阿斯麥的步伐。


以光刻機技術(shù)而言,90納米、45納米、22納米分別是1個(gè)門(mén)檻,90納米升級到65納米不難,但65納米要到45納米可難了,干式曝光會(huì )在45納米這個(gè)門(mén)檻面臨極限。所以,當時(shí)只要誰(shuí)能突破這個(gè)極限,誰(shuí)就是贏(yíng)家,而我們現在都知道這個(gè)贏(yíng)家是誰(shuí)。



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