芯片研發(fā)過(guò)程中的可靠性測試——碳化硅功率器件
碳化硅作為第三代半導體經(jīng)典的應用,具有眾多自身優(yōu)勢和技術(shù)優(yōu)勢,它所制成的功率器件在生活中運用十分廣泛,越來(lái)越無(wú)法離開(kāi),因此使用碳化硅產(chǎn)品的穩定性在一定程度上也決定了生活的質(zhì)量。作為高尖精的產(chǎn)品,芯片的可靠性測試貫徹始終,從設計到選材再到最后的出產(chǎn),那研發(fā)過(guò)程中具體需要做哪些測試呢?金譽(yù)半導體帶大家了解一下。
芯片研發(fā)環(huán)節的可靠性測試
對于半導體企業(yè),進(jìn)行可靠性試驗是提升產(chǎn)品質(zhì)量的重要手段。在進(jìn)行工業(yè)級產(chǎn)品可靠性驗證時(shí),HTGB、H3TRB、TC、HTRB、AC/PCT、IOL試驗就是驗證器件可靠性的主要項目:
HTGB(高溫門(mén)極偏置測試)
高溫門(mén)極偏置測試是針對碳化硅MOS管的最重要的實(shí)驗項目。在高溫環(huán)境下對門(mén)極長(cháng)期施加電壓會(huì )促使門(mén)極的性能加速老化,且MOSFET的門(mén)極長(cháng)期承受正電壓,或者負電壓,其門(mén)極的門(mén)檻值VGSth會(huì )發(fā)生漂移。
H3TRB(高壓高溫高濕反偏測試)
AEC-Q101中只有H3TRB這個(gè)類(lèi)別,其缺點(diǎn)是反壓過(guò)低,只有100V。主要是針對高溫高電壓環(huán)境下的失效的加速實(shí)驗。高濕環(huán)境是對分立器件的封裝樹(shù)脂材料及晶片表面鈍化層的極大考驗,樹(shù)脂材料是擋不住水汽的,只能靠鈍化層,3種應力的施加使早期的缺陷更容易暴露出來(lái);
TC(溫度循環(huán)測試)
綁定線(xiàn)、焊接材料及樹(shù)脂材料受到熱應力均存在老化和失效的風(fēng)險。溫度循環(huán)測試把被測對象放入溫箱中,溫度在-55℃到150℃之間循環(huán)(H等級),這個(gè)過(guò)程是對封裝材料施加熱應力,評估器件內部各種不同材質(zhì)在熱脹冷縮作用下的界面完整性;此項目標準對碳化硅功率模塊而言很苛刻,尤其是應用于汽車(chē)的模塊。
HTRB(高溫反偏測試)
HTRB是分立器件可靠性最重要的一個(gè)試驗項目,其目的是暴露跟時(shí)間、應力相關(guān)的缺陷,這些缺陷通常是鈍化層的可移動(dòng)離子或溫度驅動(dòng)的雜質(zhì)。半導體器件對雜質(zhì)高度敏感,制造過(guò)程中有可能引入雜質(zhì),雜質(zhì)在強電場(chǎng)作用下會(huì )呈現加速移動(dòng)或擴散現象,最終雜質(zhì)將擴散至半導體內部導致失效。同樣的晶片表面鈍化層損壞后,雜質(zhì)可能遷移到晶片內部導致失效。
HTRB試驗可以使這些失效加速呈現,排查出異常器件。半導體器件在150℃的環(huán)境溫箱里被施加80%的反壓,會(huì )出現漏電現象。如果在1000小時(shí)內漏電參數未超出規格底線(xiàn),且保持穩定不發(fā)生變化,說(shuō)明器件設計和封裝組合符合標準。
AC/PCT(高溫蒸煮測試)
高溫蒸煮測試是把被測對象放進(jìn)高溫高濕高氣壓的環(huán)境中,考驗晶片鈍化層的優(yōu)良程度及樹(shù)脂材料的性能。被測對象處于凝露高濕氣氛中,且環(huán)境中氣壓較高,濕氣能進(jìn)入封裝內部,可能出現分層、金屬化腐蝕等缺陷。
IOL(間歇工作壽命測試)
間歇工作壽命測試是一種功率循環(huán)測試,將被測對象置于常溫環(huán)境Ta=25℃,通入電流使其自身發(fā)熱結溫上升,且使Tj≧100℃,等其自然冷卻至環(huán)境溫度,再通入電流使其結溫上升,不斷循環(huán)反復。此測試可使被測對象不同物質(zhì)結合面產(chǎn)生應力,可發(fā)現綁定線(xiàn)與鋁層的焊接面斷裂、芯片表面與樹(shù)脂材料的界面分層、綁定線(xiàn)與樹(shù)脂材料的界面分層等缺陷。對于材質(zhì)多且材質(zhì)與材質(zhì)接觸面比較多的模塊,此通過(guò)此項目難度較高。
以上每種可靠性試驗都對應著(zhù)某種失效模式,可歸納為環(huán)境試驗、壽命試驗、篩選試驗、現場(chǎng)使用試驗、鑒定試驗五大類(lèi),是根據環(huán)境條件、試驗項目、試驗目的、試驗性質(zhì)的不同,試驗方法的不同分類(lèi)。
這是產(chǎn)品在投入市場(chǎng)前必須進(jìn)行可靠性試驗??煽啃栽囼瀸⑹КF象復現出來(lái)排除隱患,避免在使用過(guò)程中出現可避免的失效。
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