碳化硅8英寸雙線(xiàn)圈感應爐，恒普科技重磅發(fā)布兩個(gè)新?tīng)t型
發(fā)布人：先進(jìn)半導體
時(shí)間：2022-07-06
來(lái)源：工程師
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半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉：2022年7月，恒普科技同時(shí)推出2款8英寸雙線(xiàn)圈感應晶體生長(cháng)爐，新推出的2款全新?tīng)t型，對應SiC感應晶體生長(cháng)爐在8英寸或更大尺寸上的劣勢，也積極對應行業(yè)客戶(hù)的使用習慣和經(jīng)驗延續。
在碳化硅8英寸時(shí)代到來(lái)之際，隨著(zhù)坩堝的直徑增長(cháng)，感應線(xiàn)圈只能加熱坩堝的表面，不同位置的徑向溫度梯度都會(huì )隨之增大，而這樣的參數變化不適合大直徑的晶體生長(cháng)。恒普科技在6月推出了新一代2.0版SIC電阻晶體生長(cháng)爐，以【軸徑分離】+【新工藝】為核心技術(shù)，更優(yōu)化解決晶體的長(cháng)大、長(cháng)快、長(cháng)厚的行業(yè)需求。這就突顯SiC感應晶體生長(cháng)爐的技術(shù)落后，為了對應行業(yè)客戶(hù)的使用慣性及Know-How的延續，恒普科技推出了雙線(xiàn)圈感應晶體生長(cháng)爐，并且同時(shí)推出石英管（雙線(xiàn)圈外置）和金屬殼（雙線(xiàn)圈內置）兩款全新?tīng)t型。
雙線(xiàn)圈的技術(shù)并不是新的技術(shù)路線(xiàn)，但是雙線(xiàn)圈的相互干擾，特別是在坩堝中的發(fā)熱互相干擾，對工藝調整存在很大難度，物質(zhì)流傳輸及通道沉積都存在難點(diǎn)，為了克服8英寸感應晶體生長(cháng)爐的問(wèn)題點(diǎn)，恒普科技解決了雙線(xiàn)圈對石墨坩堝的溫度上下無(wú)法分離，做到了【準軸徑分離】，并將技術(shù)同時(shí)使用在了兩種爐型上，滿(mǎn)足更多客戶(hù)的使用習慣。
》》核心技術(shù)
·坩堝區域溫度分離 （相對分離）
·采用特殊定制石墨硬氈
·雙水平式線(xiàn)圈
·獨特的二次發(fā)熱體
·坩堝與熱場(chǎng)分離
·物質(zhì)流的傳輸導流控制
注：以上功能不是2款爐型都有。
》》產(chǎn)品&技術(shù)特點(diǎn)
一、SiC石英管雙線(xiàn)圈（外置）感應晶體生長(cháng)爐
技術(shù)特點(diǎn)：
·坩堝區域溫度分離
·方便原工藝過(guò)渡
·水平螺旋線(xiàn)圈，提高磁場(chǎng)平衡與雙線(xiàn)圈匹配
二、SiC金屬殼雙線(xiàn)圈（內置）感應晶體生長(cháng)爐
技術(shù)特點(diǎn)：
·爐下方向出料，解決8英寸坩堝上取料的不便
·出料時(shí)，坩堝與熱場(chǎng)自動(dòng)分離，提高爐次的重復性
·獨特的二次發(fā)熱體
·優(yōu)化內置線(xiàn)圈絕緣
·橫向多點(diǎn)測溫
·采用特殊定制石墨硬氈
▲寧波恒普真空科技股份有限公司
寧波恒普真空科技股份有限公司是一家以材料研究為基礎，以高溫熱場(chǎng)環(huán)境控制為技術(shù)核心的金屬注射成形（MIM）領(lǐng)域和寬禁帶半導體領(lǐng)域的關(guān)鍵設備供應商，主要從事金屬注射成形（MIM）脫脂燒結爐、碳化硅晶體生長(cháng)爐、碳化硅同質(zhì)外延設備等熱工裝備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售。
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