臺積電3nm將按計劃試產(chǎn)：速度提升11%，節能27%

臺積電正在持續推進(jìn)3nm開(kāi)發(fā)的多元應用，據數據顯示，該制程節點(diǎn)目標較5nm家族在效能、功耗及面積（Performance，Power，Area；PPA）同步精進(jìn)，其中在速度提升11%之際將更節能27%，此外3nm家族還有多個(gè)版本延伸配合HPC客戶(hù)需求特殊化設計。

臺積電近期在開(kāi)放創(chuàng )新論壇釋出更多先進(jìn)制程技術(shù)演進(jìn)過(guò)程的數據，依據semiwiki整理論壇簡(jiǎn)報顯示，臺積電先進(jìn)制程持續推進(jìn)若以ARM架構模擬之下，3nm制程在開(kāi)放創(chuàng )新伙伴的設計技術(shù)協(xié)同優(yōu)化 (DTCO) 之下目標PPA較5nm將達成包含邏輯密度增加!1.6倍以上、傳輸速度提升11%以及更節能27%。

同時(shí)臺積電也在論壇上展示3nm家族的N3HPC相關(guān)技術(shù)。

之前，美系外資曾示警，指出臺積電3nm制程遇到技術(shù)性問(wèn)題，可能延至明年上半年試產(chǎn)，較原訂時(shí)程延遲1至2季時(shí)間。

對此說(shuō)法，臺積電總裁魏哲家在10月14日法說(shuō)會(huì )上表示，臺積電3nm按照計劃開(kāi)發(fā)，獲得諸多客戶(hù)參與，也已開(kāi)發(fā)完整平臺支持高效能運算及智能手機應用。目標在 2021年試產(chǎn)，并預計2022下半年量產(chǎn)。

魏哲家還宣布臺積電將推出N3E制程，將在3nm制程量產(chǎn)1年后導入量產(chǎn)。意即N3E制程將于2023年下半年量產(chǎn)。

魏哲家并透露，2nm制程將采用環(huán)繞閘極（GAA）架構，預計2025年量產(chǎn)。這是臺積電首度揭露2nm制程技術(shù)時(shí)程。魏哲家不愿評論競爭對手，不過(guò)他強調，臺積電2nm制程技術(shù)在密度及效能上將最具競爭力。

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