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z-trak 3d apps studio
z-trak 3d apps studio 文章 進(jìn)入z-trak 3d apps studio技術(shù)社區
3D NAND還是卷到了300層
- 近日，三星電子宣布計劃在明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存，據爆料，這款閃存將采用雙層堆棧架構，并超過(guò) 300 層。同樣在 8 月，SK 海力士表示將進(jìn)一步完善 321 層 NAND 閃存，并計劃于 2025 年上半期開(kāi)始量產(chǎn)。早在 5 月份，據歐洲電子新聞網(wǎng)報道，西部數據和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實(shí)現 8 平面 3D NAND 設備以及超過(guò) 300 字線(xiàn)的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數「爭霸賽」眾所周知，固態(tài)硬盤(pán)的數據傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還
- 關(guān)鍵字： V-NAND 閃存 3D NAND
3D DRAM時(shí)代即將到來(lái)，泛林集團這樣構想3D DRAM的未來(lái)架構
- 動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應用于需要低成本和高容量?jì)却娴臄底蛛娮釉O備，如現代計算機、顯卡、便攜式設備和游戲機。技術(shù)進(jìn)步驅動(dòng)了DRAM的微縮，隨著(zhù)技術(shù)在節點(diǎn)間迭代，芯片整體面積不斷縮小。DRAM也緊隨NAND的步伐，向三維發(fā)展，以提高單位面積的存儲單元數量。（NAND指“NOT AND”，意為進(jìn)行與非邏輯運算的電路單元。）l 這一趨勢有利于整個(gè)行業(yè)的發(fā)展，因為它能推動(dòng)存儲器技術(shù)的突破，而且每平方微米存儲單元數量的增加意味著(zhù)生產(chǎn)成本的降低。l DRAM技
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瑞薩MCU和MPU將支持Microsoft Visual Studio Code
- 2023 年 8 月 1 日，中國北京訊 - 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布其客戶(hù)現可以使用Microsoft? Visual Studio Code（VS Code）開(kāi)發(fā)瑞薩全系列微控制器（MCU）和微處理器（MPU）。瑞薩已為其所有嵌入式處理器開(kāi)發(fā)了工具擴展，并將其發(fā)布在Microsoft VS Code網(wǎng)站上，使習慣于使用這款流行的集成開(kāi)發(fā)環(huán)境（IDE）和代碼編輯器的大量設計師能夠在他們熟悉的開(kāi)發(fā)環(huán)境中工作。VS Code IDE簡(jiǎn)化并加速了跨多種平臺和操作系統的代碼編
- 關(guān)鍵字： 瑞薩 MCU MPU Microsoft Visual Studio Code
Teledyne將在Vision China展示最新3D和AI成像方案
- 中國上海，2023 年 7 月 4 日 — Teledyne 將于 7 月 11-13 日在上海國家會(huì )展中心舉辦的 2023中國（上海）機器視覺(jué)展 (Vision China) 展示最新產(chǎn)品和解決方案。歡迎各位蒞臨 5.1A101 展位了解先進(jìn)的 3D 解決方案，Teledyne DALSA、e2v 和 FL
- 關(guān)鍵字： Teledyne Vision China 3D AI成像
全新測量、控制、試驗管理平臺軟件- imc STUDIO 2023
- 2023年4月底——Axiometrix Solutions工業(yè)測試集團旗下制造商imc Test & Measurement，發(fā)布了最新版imc STUDIO 2023，適用于整個(gè)測量流程。對于使用imc數據采集系統和數據記錄儀的測試工程師來(lái)說(shuō)，全新的imc STUDIO 2023版本將提高新老用戶(hù)的人機界面易用性，令工作流程更高效。在設置和管理數據采集設備、操作測量，甚至或是復雜的測試程序時(shí)，imc STUDIO 2023都能提供直觀(guān)而簡(jiǎn)單的方法，以實(shí)現軟件的全面功能提升，效果立竿見(jiàn)影?？焖偃?/li>
- 關(guān)鍵字： imc STUDIO 2023 imc Test&Measurement
3D NAND 堆疊可超 300 層，鎧俠解讀新技術(shù)
- 5 月 5 日消息， 鎧俠和西數展示最新的技術(shù)儲備，雙方正在努力實(shí)現 8 平面 3D NAND 設備以及具有超過(guò) 300 條字線(xiàn)的 3D NAND IC。根據其公布的技術(shù)論文，鎧俠展示了一種八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件，有超過(guò) 210 個(gè)有源層和 3.2 GT/s 接口，可提供 205 MB/s 的程序吞吐量，讀取延遲縮小到 40 微秒。此外，鎧俠和西部數據還合作開(kāi)發(fā)具有超過(guò) 300 個(gè)有源字層的 3D NAND 器件，這是一個(gè)具有實(shí)驗性的 3D NAND IC，通過(guò)金屬誘導側向
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Silicon Labs Simplicity Studio支持MIKROE mikroSDK 2.0 Click Board驅動(dòng)程序
- 是第一家在Click boards?開(kāi)發(fā)版上將mikroSDK Click驅動(dòng)程序集成到自己的軟件開(kāi)發(fā)環(huán)境中的IC供應商 2023年5月4日: MikroElektronika (MIKROE) ，作為一家通過(guò)提供基于成熟標準的創(chuàng )新式硬軟件產(chǎn)品來(lái)大幅縮短開(kāi)發(fā)時(shí)間的嵌入式解決方案公司，今天宣布為更互聯(lián)的世界提供安全、智能無(wú)線(xiàn)技術(shù)的領(lǐng)導者Silicon Labs (NASDAQ: SLAB) 成為第一家支持mikroSDK 2.0 Click Board的IC供應商。 這是通過(guò)在MIKROE的Ge
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意法半導體STM32全面支持Microsoft Visual Studio Code
- 2023年4月26日，中國 – 服務(wù)多重電子應用領(lǐng)域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST；紐約證券交易所代碼:STM)發(fā)布了新的擴展工具，把微軟的集成開(kāi)發(fā)環(huán)境 Microsoft? Visual Studio Code (VS Code) 的優(yōu)勢引入 STM32 微控制器。VS Code 是一個(gè)人氣頗高的集成開(kāi)發(fā)環(huán)境(IDE)，以好用和靈活性而享譽(yù)業(yè)界，例如，IntelliSense可簡(jiǎn)化并加快代碼編輯?，F在開(kāi)發(fā)者能夠從 VS Code進(jìn)入STM32生態(tài)系統
- 關(guān)鍵字： 意法半導體 STM32 Microsoft Visual Studio Code
Cadence 推出開(kāi)拓性的 Virtuoso Studio
- · 這是一個(gè)業(yè)界用于打造差異化定制芯片的領(lǐng)先平臺，可借助生成式 AI 技術(shù)顯著(zhù)提升設計生產(chǎn)力；· Virtuoso Studio 與 Cadence 最前沿的技術(shù)和最新的底層架構集成，助力設計工程師在半導體和 3D-IC 設計方面取得新突破；· 依托 30 年來(lái)在全線(xiàn)工藝技術(shù)方面取得的行業(yè)領(lǐng)先
- 關(guān)鍵字： Cadence Virtuoso Studio
平面→立體，3D DRAM重定存儲器游戲規則？
- 近日，外媒《BusinessKorea》報道稱(chēng)，三星的主要半導體負責人最近在半導體會(huì )議上表示正在加速3D DRAM商業(yè)化，并認為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法，據稱(chēng)這將改變存儲器行業(yè)的游戲規則。3D DRAM是什么？它將如何顛覆DRAM原有結構？壹摩爾定律放緩，DRAM工藝將重構1966年的秋天，跨國公司IBM研究中心的Robert H. Dennard發(fā)明了動(dòng)態(tài)隨機存取存儲器（DRAM），而在不久的將來(lái)，這份偉大的成就為半導體行業(yè)締造了一個(gè)影響巨大且市場(chǎng)規模超千億美元的產(chǎn)業(yè)帝國。DRA
- 關(guān)鍵字： 3D DRAM 存儲器
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