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龔翊出任恒憶亞洲區嵌入式業(yè)務(wù)部副總裁
- 全球非易失性存儲領(lǐng)先廠(chǎng)商恒憶(Numonyx)宣布任命龔翊(Grace Gong)為恒憶亞洲區嵌入式業(yè)務(wù)部副總裁。在加入恒憶前龔翊任飛索半導體(Spansion)嵌入式事業(yè)部亞洲區副總裁，龔翊的加入將為恒憶帶來(lái)更多針對亞洲嵌入式市場(chǎng)的經(jīng)驗。作為副總裁，她將負責恒憶亞洲區嵌入式產(chǎn)品的銷(xiāo)售與業(yè)務(wù)管理，帶領(lǐng)團隊為亞洲客戶(hù)和合作伙伴提供更完善的服務(wù)與支持。 “亞洲在全球嵌入式產(chǎn)品市場(chǎng)具有重要的戰略地位，恒憶致力于提供相關(guān)產(chǎn)品與技術(shù)支持，以滿(mǎn)足嵌入式市場(chǎng)的需求”，恒憶全球嵌入式業(yè)務(wù)
- 關(guān)鍵字： Numonyx 嵌入式 NOR NAND PCM
三星與SanDisk續簽7年NAND專(zhuān)利許可協(xié)議
- 據國外媒體報道，三星電子周三宣布，以更低的許可價(jià)格，與美國芯片生產(chǎn)商SanDisk續簽了7年的NAND閃存技術(shù)許可協(xié)議，不過(guò)協(xié)議規定三星必須向SanDisk供應芯片。 三星在提交給韓國證交所的文件中稱(chēng)，由于協(xié)議是2家公司內部簽署的，無(wú)法透露所有信息，但可以透露的是，許可費將是當前協(xié)議的1半左右。SanDisk公司董事長(cháng)和CEO埃里·哈拉利(Eli Harari)表示，對于今天宣布的協(xié)議我們感到非常滿(mǎn)意，此外，繼續獲得三星閃存芯片可使我們在控制資本支出上擁有更大的靈活性。 新協(xié)
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND 閃存
Unity可能與IM Flash合作制造RRAM
- 近期剛宣布將在2010年制成64Gbit非易失電阻式RAM的美國Unity Semiconductor公司計劃找一家IDM合作建廠(chǎng)來(lái)制造該產(chǎn)品。 Intel和Micron的NAND閃存合資公司——IM Flash是潛在合作伙伴之一，盡管Unity更傾向于將工廠(chǎng)建在亞洲，因為該存儲產(chǎn)品需用到鈣鈦礦。 據悉，建該工廠(chǎng)和一座先進(jìn)邏輯晶圓廠(chǎng)相比要便宜一些。IM Flash顯然是一家理想的合作伙伴。Unity公司總裁兼CEO Darrel Rinerson在Micron度過(guò)了
- 關(guān)鍵字： Intel NAND 晶圓
NAND Flash買(mǎi)氣急凍 通路庫存塞車(chē)
- NAND Flash經(jīng)歷2個(gè)月價(jià)格狂飆后，近期市場(chǎng)買(mǎi)氣一夕轉淡，記憶體模組廠(chǎng)紛因庫存急增，開(kāi)始出現驚慌失措。模組廠(chǎng)表示，3、4月NAND Flash漲價(jià)時(shí)，通路商一度擔心會(huì )缺貨，因而囤積不少庫存，然5月NAND Flash市場(chǎng)卻出乎意外地很快冷卻下來(lái)，由于消費者需求不振，導致中間通路商手上庫存整個(gè)塞住，并造成16Gb產(chǎn)品現貨價(jià)跌破4美元心理關(guān)卡，合約價(jià)漲勢亦熄火，模組廠(chǎng)5月同時(shí)面臨NAND Flash和DRAM需求不振，恐將反應在營(yíng)收表現上。 模組廠(chǎng)表示，2009年第1季NAND Flash市場(chǎng)
- 關(guān)鍵字： 蘋(píng)果 DRAM NAND
美硅谷公司開(kāi)發(fā)出數據存儲新技術(shù) 有望取代NAND閃存
- 美國硅谷一家公司19日宣布開(kāi)發(fā)出一種新技術(shù)，并計劃利用它來(lái)制造比閃存容量更大、讀寫(xiě)速度更快的新型存儲器。 這家名為“統一半導體”的公司發(fā)布新聞公報說(shuō)，新型存儲器的單位存儲密度有望達到現有NAND型閃存芯片的4倍，存儲數據的速度有可能達到后者的5倍到10倍。 NAND型閃存因為存儲容量大等特點(diǎn)，目前在數碼產(chǎn)品中應用比較廣泛。但也有一些專(zhuān)家認為，NAND型閃存未來(lái)可能遭遇物理極限，容量將無(wú)法再進(jìn)一步提高。“統一半導體”表示，其制造的新型存儲器旨在
- 關(guān)鍵字： 存儲器 NAND 閃存
三星預計今年全球芯片商仍將艱難度日
- 全球最大的存儲芯片制造商--韓國三星電子公司11日預計，由于全球經(jīng)濟形勢惡化，2009年對于芯片商而言是艱難的一年。 據道瓊斯新聞網(wǎng)報道，三星電子公司半導體業(yè)務(wù)總裁權五鉉當天對投資者說(shuō)，很難預測全球芯片市場(chǎng)何時(shí)回暖。他說(shuō)，隨著(zhù)企業(yè)壓縮信息技術(shù)產(chǎn)品開(kāi)支以及消費者收緊“腰包”，今年以來(lái)全球個(gè)人電腦和手機市場(chǎng)需求正在持續萎縮。 不過(guò)，他指出，今年三星公司的存儲芯片出貨量仍將繼續增加，預計今年該公司DRAM芯片的出貨量最高將增加15%，NAND閃存芯片出貨量最高將增加30%
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND 存儲芯片
恒憶聯(lián)合群聯(lián)電子海力士開(kāi)發(fā)閃存控制器
- 恒憶半導體(Numonyx)、群聯(lián)電子(Phison Electronics Corp.)和海力士(Hynix)今天宣布三家公司簽署一份合作開(kāi)發(fā)協(xié)議，三方將按照JEDEC新發(fā)布的JEDEC eMMC™ 4.4產(chǎn)業(yè)標準，為下一代managed-NAND解決方案開(kāi)發(fā)閃存控制器。 預計此項合作將加快當前業(yè)內最先進(jìn)的eMMC標準的推廣，有助于管理和簡(jiǎn)化大容量存儲需求，提高無(wú)線(xiàn)設備和嵌入式應用的整個(gè)系統級性能。 根據這項協(xié)議，恒憶、群聯(lián)電子和海力士將利用各自的技術(shù)，開(kāi)發(fā)能夠支持各種NAND閃存
- 關(guān)鍵字： Numonyx NAND 閃存控制器
內存行業(yè)或已觸底 現貨漲價(jià)但復蘇道路漫長(cháng)
- 《華爾街日報》撰文稱(chēng)，從上周末三星和海力士發(fā)布的財報可以看出，內存芯片行業(yè)似乎已經(jīng)觸底，這對整個(gè)半導體行業(yè)來(lái)說(shuō)是一個(gè)積極的信號。 雖然內存芯片行業(yè)收入只占全球半導體行業(yè)2600億美元總收入的14%，但作為使用廣泛的芯片，其地位類(lèi)似芯片行業(yè)中的日用商品，很難與其他芯片部門(mén)區分開(kāi)來(lái)，因此是芯片行業(yè)整體表現的主要指標。內存行業(yè)下滑開(kāi)始于2007年初，隨后芯片行業(yè)在2008年就開(kāi)始了全面衰退。 上周五，兩家全球最大的內存芯片商三星電子和海力士都在發(fā)布第一季度報告時(shí)稱(chēng)，與芯片有關(guān)的虧損低于上年同期。
- 關(guān)鍵字： 海力士 NAND 內存
iSuppli：存儲芯片市場(chǎng)恢復盈利還為時(shí)過(guò)早
- 在面臨破產(chǎn)威脅之際，許多內存供應商為了維護自己的形象，紛紛強調潛在的市場(chǎng)復蘇，試圖向外界描繪出一幅比較樂(lè )觀(guān)的圖景。但是，雖然預計總體內存芯片價(jià)格將在2009年剩余時(shí)間內趨于穩定，但iSuppli公司認為，這些廠(chǎng)商不會(huì )在近期真正恢復需求與獲利能力。 繼 在面臨破產(chǎn)威脅之際，許多內存供應商為了維護自己的形象，紛紛強調潛在的市場(chǎng)復蘇，試圖向外界描繪出一幅比較樂(lè )觀(guān)的圖景。但是，雖然預計總體內存芯片價(jià)格將在2009年剩余時(shí)間內趨于穩定，但iSuppli公司認為，這些廠(chǎng)商不會(huì )在近期真正恢復需求與獲利能力。
- 關(guān)鍵字： NAND 存儲芯片
TDK推出兼容串行ATA II的GBDriver RS2系列NAND閃存控制器
- TDK公司日前宣布開(kāi)發(fā)出兼容串行ATA (SATA) II的NAND閃存控制器芯片GBDriver RS2 系列，并計劃于五月份開(kāi)始銷(xiāo)售。 TDK新型GBDriver RS2是一款高速SATA控制器芯片，支持有效速率達95MB/S的高速訪(fǎng)問(wèn)。該產(chǎn)品支持2KB/頁(yè)和4KB/頁(yè)結構的SLC(單層單元)內存以及MLC(多層單元)NAND閃存，可用于制造容量為128MB至64GB的高速SATA存儲。因而，GBDriver RS2可廣泛用于各種應用領(lǐng)域，從SATADOM1及其他的嵌入式存儲器，到視聽(tīng)設
- 關(guān)鍵字： TDK NAND
內存晴雨表：聲稱(chēng)內存市場(chǎng)復蘇的報告過(guò)于夸張
- 在面臨破產(chǎn)威脅之際，許多內存供應商為了維護自己的形象，紛紛強調潛在的市場(chǎng)復蘇，試圖向外界描繪出一幅比較樂(lè )觀(guān)的圖景。但是，雖然預計總體內存芯片價(jià)格將在2009年剩余時(shí)間內趨于穩定，但iSuppli公司認為，這些廠(chǎng)商不會(huì )在近期真正恢復需求與獲利能力。 繼第一季度全球DRAM與NAND閃存營(yíng)業(yè)收入比去年第四季度下降14.3%之后，這些產(chǎn)品市場(chǎng)將在今年剩余時(shí)間內增長(cháng)。第二季度DRAM與NAND閃存營(yíng)業(yè)收入合計將增長(cháng)3.6%，第三和第四季度分別增長(cháng)21.9%和17.5%。 圖4所示為iSuppli公
- 關(guān)鍵字： iSuppli NAND DRAM
集邦：海力士大幅減產(chǎn)NAND 將由第三位滑落至第五位
- 針對NAND閃存產(chǎn)業(yè)，研究機構集邦科技最新研究報告指出，三星可望穩居今年全球市占率龍頭寶座，而海力士則因大幅減產(chǎn)，市場(chǎng)占有率恐將下滑剩下10%，落居第5名。 集邦科技根據各NAND Flash供貨商目前的制程技術(shù)、產(chǎn)能、營(yíng)運狀況分析指出，三星因擁有較大產(chǎn)能，同時(shí)制程持續轉往42納米及3x納米，預期今年市占率 40%以上居冠，日本東芝與美商SanDisk聯(lián)盟的產(chǎn)能利用率略降，但制程技術(shù)也將轉往 43納米及32納米，預期東芝今年的市場(chǎng)占有率約在30%以上居次。 集邦科技表示，市場(chǎng)占有率第三和第
- 關(guān)鍵字： 海力士 NAND 晶圓
三星和海力士獲得蘋(píng)果7000萬(wàn)NAND大單
- 4月15日消息 據韓國媒體報道 蘋(píng)果最近向韓國三星電子與海力士?jì)杉夜鞠聠?，要求供?000萬(wàn)顆NAND型閃存芯片，用于生產(chǎn)iPhone和iPod。此次訂單較去年大漲了八成，引發(fā)蘋(píng)果可能推出新一代iPhone的聯(lián)想 韓國時(shí)報指出，有可靠的消息來(lái)源透露“三星電子被要求供應5000萬(wàn)顆8Gb的NAND型閃存芯片給蘋(píng)果，而海力士也將供應2000萬(wàn)顆。” 部分分析師認為，蘋(píng)果這次大規模訂單，將刺激韓國芯片廠(chǎng)商業(yè)績(jì)，同時(shí)，也有助于全球芯片產(chǎn)業(yè)早日復蘇。 分析師還指出，N
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND 芯片
三維NAND內存技術(shù)將讓固態(tài)存儲看到希望
- IBM的技術(shù)專(zhuān)家Geoff Burr曾說(shuō)過(guò)，如果數據中心的占地空間象足球場(chǎng)那么大，而且還要配備自己的發(fā)電廠(chǎng)的話(huà)，那將是每一位首席信息官最害怕的噩夢(mèng)。然而，如果首席信息官們現在不定好計劃將他們的數據中心遷移到固態(tài)技術(shù)平臺的話(huà)，那么10年以后他們就會(huì )陷入那樣的噩夢(mèng)之中。 這并非危言聳聽(tīng)，過(guò)去的解決方案現在已經(jīng)顯露出存儲性能和容量不足的現象，這就是最好的證明。以前，如果需要更多的性能或容量，企業(yè)只需在數據中心添加更多的傳統硬盤(pán)就可以了，而且那樣做也很方便?，F在，Geoff Burr在2008年發(fā)表的一
- 關(guān)鍵字： IBM NAND 固態(tài)存儲
FSI國際宣布將ViPR?全濕法去除技術(shù)擴展到NAND存儲器制造
- 美國明尼阿波利斯(2009年3月24日)——全球領(lǐng)先的半導體制造晶圓加工、清洗和表面處理設備供應商FSI國際有限公司(納斯達克：FSII)今日宣布：一家主要的存儲器制造商將FSI 帶有獨特ViPR?全濕法無(wú)灰化清洗技術(shù)的ZETA?清洗系統擴展到NAND閃存生產(chǎn)中。許多器件制造商對采用FSI的ZETA ViPR技術(shù)在自對準多晶硅化物形成過(guò)程所帶來(lái)的益處非常了解。該IC制造商就這一機臺在先進(jìn)的NAND制造中可免除灰化引發(fā)損害的全濕法光刻膠去除能力進(jìn)行了評估?？蛻?hù)
- 關(guān)鍵字： FSI NAND 存儲器
v-nand介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條v-nand!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對v-nand的理解，并與今后在此搜索v-nand的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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