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Hynix新NAND快閃記憶體制造廠(chǎng)在清州投產(chǎn)
- 據國外媒體報道,全球第二大電腦記憶體晶片制造商Hynix周四表示,其在韓國建成的新NAND快閃記憶體制造工廠(chǎng)正式投產(chǎn)。 據國外媒體報道,Hynix表示,該新廠(chǎng)位于清州,月產(chǎn)量可達到30萬(wàn)件,并有望于在數月后提高到50萬(wàn)件。 Hynix在清州還建有另外兩個(gè)芯片制造廠(chǎng),目前正在運作當中。 Hynix的首席執行官Kim Jong-gap表示,公司計劃加強產(chǎn)品在價(jià)格方面的競爭力,并在接下來(lái)的研發(fā)道路中保持高水準的投資。
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臺灣工研院建固態(tài)硬盤(pán)認證平臺
- 固態(tài)硬盤(pán)(SSD)借低價(jià)電腦熱潮迅速興起,英特爾、三星等國際大廠(chǎng)結合NAND閃存芯片制造和技術(shù)優(yōu)勢走在前列,臺系陣營(yíng)為了急起直追,由當地工業(yè)情報機構工研院、測試廠(chǎng)百佳泰和臺廠(chǎng)合力發(fā)起的“SSD聯(lián)盟”(SSD Alliance)合作建立了一套測試認證平臺,希望藉此機會(huì )把SSD硬件測試平臺建立起來(lái),為臺灣廠(chǎng)商臺廠(chǎng)搶占固態(tài)硬盤(pán)市場(chǎng)先機。 工研院電光所詹益仁表示,英特爾將推出容量高達80GB的SSD產(chǎn)品,2009年還將推出100GB產(chǎn)品,其他包括三星電子、東芝等廠(chǎng)商也都在積極介入
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英特爾筆記本專(zhuān)用SSD硬盤(pán)30天內上市
- 英特爾NAND產(chǎn)品事業(yè)部今天發(fā)布了高性能固態(tài)驅動(dòng)器(SSD)的產(chǎn)品線(xiàn)規劃和發(fā)布時(shí)間表。固態(tài)驅動(dòng)器適用于移動(dòng)與臺式機客戶(hù)端、企業(yè)級服務(wù)器、存儲設備和工作站。這一系列產(chǎn)品稱(chēng)作英特爾高性能SATA固態(tài)驅動(dòng)器產(chǎn)品線(xiàn),是基于固態(tài)閃存的數據存儲設備,用于存儲計算機中的數據,可模擬并替代某些計算機中的硬盤(pán)驅動(dòng)器。 與傳統的硬盤(pán)驅動(dòng)器(HDD)和目前市場(chǎng)上的固態(tài)驅動(dòng)器相比,英特爾的全新固態(tài)驅動(dòng)器具有更重要的優(yōu)勢,包括更快速的整體系統響應能力和計算機開(kāi)/關(guān)啟動(dòng)時(shí)間,卓越的耐用性和可靠性,更長(cháng)的電池壽命和更低的企業(yè)
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NAND閃存市場(chǎng)價(jià)格一路下滑 降幅超10%
- 來(lái)自閃存制造業(yè)界的消息稱(chēng),預計在八月份晚期,當前閃存芯片市場(chǎng)上的主流產(chǎn)品——8GB和16GB NAND閃存芯片的合同價(jià)格將雙雙下滑10%. NAND閃存芯片多用于當前的消費類(lèi)產(chǎn)品上,包括蘋(píng)果的iPhone手機、iPod音樂(lè )播放器以及數碼相機等產(chǎn)品上。盡管每年第三季度為消費類(lèi)產(chǎn)品的傳統銷(xiāo)售旺季,但今年卻無(wú)法止住NAND閃存芯片價(jià)格下滑步伐。 三星電子以及SanDisk都對未來(lái)的NAND閃存市場(chǎng)持悲觀(guān)態(tài)度,由于NAND閃存價(jià)格一路下滑,從而引發(fā)他們失去對該市場(chǎng)信心。與此
- 關(guān)鍵字: 閃存 NAND 芯片 三星
NAND閃存的下一個(gè)熱點(diǎn):性能

- 利用50-40nm的工藝制程節點(diǎn),NAND閃存密度已達到16 GB/D及超過(guò)2B/C多級單元(MLC)技術(shù)。盡管位元密度強勁增長(cháng),但是NAND閃存的編譯能力一直停留在10MB/S范圍內。由于數字內容需要的增長(cháng),公司更加重視改進(jìn)NAND閃存裝置的編譯和讀取性能,使其比特更高和性能更快,以滿(mǎn)足消費者的需要。再加上存儲產(chǎn)品價(jià)格急劇下降,高比特高性能已成為各個(gè)公司努力追求的方向。 2008年國際固態(tài)電路會(huì )議的論文和2007
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三星上半年閃存產(chǎn)品銷(xiāo)量居全球第一
- 新華網(wǎng)首爾8月20日電 韓國三星電子公司19日宣布,公司上半年閃存產(chǎn)品銷(xiāo)量位列全球第一。 三星公司援引市場(chǎng)研究公司iSuppli日前發(fā)表的一份報告稱(chēng),今年1至6月份,三星閃存產(chǎn)品銷(xiāo)售額達75.1億美元,占全球閃存市場(chǎng)的30%。 韓國海力士半導體公司位列第二,全球市場(chǎng)份額為13%,美國米克倫技術(shù)公司和日本的爾必達內存公司分列第三、第四位,市場(chǎng)份額分別為8%和7%。 三星的成功主要源自NAND閃存產(chǎn)品的暢銷(xiāo),第二季度該類(lèi)產(chǎn)品銷(xiāo)售額達14.2億美元,占當季全球NAND閃存銷(xiāo)售的42.3%,
- 關(guān)鍵字: 三星 閃存 NAND DRAM
三星上半年閃存產(chǎn)品銷(xiāo)量居全球第一
- 新華網(wǎng)首爾8月20日電 韓國三星電子公司19日宣布,公司上半年閃存產(chǎn)品銷(xiāo)量位列全球第一。 三星公司援引市場(chǎng)研究公司iSuppli日前發(fā)表的一份報告稱(chēng),今年1至6月份,三星閃存產(chǎn)品銷(xiāo)售額達75.1億美元,占全球閃存市場(chǎng)的30%。 韓國海力士半導體公司位列第二,全球市場(chǎng)份額為13%,美國米克倫技術(shù)公司和日本的爾必達內存公司分列第三、第四位,市場(chǎng)份額分別為8%和7%。 三星的成功主要源自NAND閃存產(chǎn)品的暢銷(xiāo),第二季度該類(lèi)產(chǎn)品銷(xiāo)售額達14.2億美元,占當季全球NAND閃存銷(xiāo)售的42.3%,
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TDK推出兼容U.DMA6的GBDriver RA8系列NAND閃存控制器LSI

- TDK 公司日前宣布開(kāi)發(fā)出GBDriver RA8系列NAND閃存控制器LSI,該產(chǎn)品計劃于九月份開(kāi)始銷(xiāo)售。 GBDriver RA8系列是用于U.DMA6的高速NAND控制器IC,與2K字節/頁(yè)和4K字節/頁(yè)的NAND閃存兼容。該控制器支持單級單元 (SLC) 和多級單元(MLC) NAND 閃存,實(shí)現了從128M字節到1 G字節(SLC) 和256M字節到32G字節(MLC)的高速閃存存儲容量,因而該控制器適用的應用領(lǐng)域非常廣泛。此外,該控制器具有128 針TQPF 封裝方式和121 針VF
- 關(guān)鍵字: TDK NAND 閃存 控制器 LSI
Hynix與Numonyx簽5年協(xié)議共同開(kāi)發(fā)NAND技術(shù)
- 據國外媒體報道,近日,全球第二大電腦記憶體晶片制造商Hynix表示,已與意法半導體(STMicroelectronics NV)和英特爾的合資公司Numonyx BV簽署了一項為期五年的協(xié)議,拓展其在快速增長(cháng)的NAND閃存領(lǐng)域的共同開(kāi)發(fā)項目。 據國外媒體報道,根據協(xié)議內容,兩家公司將合作擴大NAND產(chǎn)品線(xiàn),推出新產(chǎn)品和實(shí)現技術(shù)創(chuàng )新,從而應對未來(lái)五年NAND技術(shù)所面臨的挑戰。 根據協(xié)議內容,Hynix和Numonyx將共同開(kāi)發(fā)技術(shù)項目,聯(lián)合提供領(lǐng)先的NAND存儲技術(shù)和產(chǎn)品,并進(jìn)行資源整合以促
- 關(guān)鍵字: NAND 閃存 Hynix 意法半導體 Numonyx
恒憶與海力士擴大合作 共同推廣創(chuàng )新的NAND閃存技術(shù)與產(chǎn)品

- 恒憶(Numonyx)今天宣布與海力士半導體公司達成為期五年的協(xié)議,在飛速增長(cháng)的NAND閃存領(lǐng)域擴展聯(lián)合開(kāi)發(fā)計劃。針對NAND技術(shù)在未來(lái)五年面臨的挑戰,兩家公司將擴大NAND產(chǎn)品線(xiàn)并共同研發(fā)未來(lái)產(chǎn)品,進(jìn)行技術(shù)創(chuàng )新。 根據新協(xié)議,恒憶和海力士將擴大聯(lián)合開(kāi)發(fā)的范圍,共同提供領(lǐng)先的NAND存儲器技術(shù)和產(chǎn)品,并且整合資源以加快未來(lái)NAND技術(shù)及解決方案的開(kāi)發(fā)。在應用于手機多芯片封裝的移動(dòng)DRAM領(lǐng)域,雙方也將進(jìn)行合作。 恒憶總裁兼首席執行官Brian Harrison表示:"未來(lái)五年,在
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微控制器的市場(chǎng)前景及發(fā)展趨勢
- 微控制器廣泛應用于各種小型電器,隨著(zhù)技術(shù)的發(fā)展,其不但價(jià)格低廉,而且功能越來(lái)越強大。由于家用電器、手持式消費電子產(chǎn)品、手持式通信裝置和車(chē)用電子等領(lǐng)域的市場(chǎng)推動(dòng),微控制器的使用量越來(lái)越大而且表現出了更新?lián)Q代的趨勢。預計在未來(lái)的市場(chǎng)中,低階應用將會(huì )以8位微控制器為主,而高階應用將會(huì )由32位微控制器稱(chēng)霸。當然,也有可能沖出一個(gè)比32位微控制器更強大的產(chǎn)品,如果能夠控制成本,則32位微控制器將面臨很快被淘汰的命運。不過(guò)就目前的情形來(lái)看,32位微控制器將在市場(chǎng)中活躍一陣子。其市場(chǎng)占有率將會(huì )逐漸上升,到2010年
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蘋(píng)果大量訂購NAND芯片:三星預警缺貨
- 據我國臺灣省的一家媒體報道稱(chēng),三星對其客戶(hù)發(fā)出預警,因蘋(píng)果大量訂購NAND閃存芯片,預計這類(lèi)芯片將在一段時(shí)間內缺貨。 當地時(shí)間本周三,《電子時(shí)報》報道稱(chēng),三星在對其客戶(hù)發(fā)出的預警中表示,蘋(píng)果最近向三星訂購了5000萬(wàn)顆8Gb的NAND閃存芯片,計劃用于3G版iPhone上;想必大家都聽(tīng)說(shuō)此事了。因此三星的其它客戶(hù)需要等上一段時(shí)間后才能收到三星的發(fā)貨。三星是蘋(píng)果的固定供應商之一,兩家公司在2005年簽署了NAND閃存供貨合同。 蘋(píng)果這次訂購的NAND閃存芯片總容量相當于5000萬(wàn)GB(8Gb
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五月份全球半導體銷(xiāo)售增長(cháng)7.5%達到218億美元
- 【eNet硅谷動(dòng)力消息】半導體工業(yè)協(xié)會(huì )公布月度報告顯示,今年五月份全球半導體的銷(xiāo)售收入從去年同期的203億美元增長(cháng)了7.5%達到218億美元。受到全球消費電子產(chǎn)品銷(xiāo)售強勁和美國消費性支出好轉的推動(dòng),五月份半導體銷(xiāo)售收入比四月份增長(cháng)了2.8%,四月份全球半導體銷(xiāo)售收入為212億美元。 數據顯示,在半導體銷(xiāo)售中,計算機是最大的終端市場(chǎng)。今年前五個(gè)月,全球半導體銷(xiāo)售收入達到1034億美元,比去年同期增長(cháng)了5.3%。 半導體工業(yè)協(xié)會(huì )總裁George Scalise在一份聲明中表示,盡管有媒體報告了
- 關(guān)鍵字: 半導體 計算機 芯片 數碼相機 手機 NAND 閃存
全球閃存市場(chǎng)達254億美元 廠(chǎng)商Q4投身30nm制程
- 據外電報道,NAND Flash(閃存)制造廠(chǎng)制程技術(shù)持續不斷推進(jìn),集邦科技表示,各Flash制造廠(chǎng)自今年第四季起將陸續轉進(jìn)30納米制程技術(shù)。 根據美光預估,今年全球NAND Flash市場(chǎng)可望增長(cháng)至254億美元規模,除了目前一般數字影音播放器、UFD(通用串行總線(xiàn)閃存儲存驅動(dòng)器)、記憶卡等應用外,也相當看好移動(dòng)儲存市場(chǎng)的發(fā)展潛力。 為降低生產(chǎn)成本,強化競爭力,NAND Flash制造廠(chǎng)持續不斷進(jìn)行制程技術(shù)微縮,其中IM Flash陣營(yíng)已宣示,34納米制程技術(shù)將于今年第四季投產(chǎn)。韓國三星電
- 關(guān)鍵字: 閃存 NAND Flash 移動(dòng)儲存 30納米
v-nand介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條v-nand!
歡迎您創(chuàng )建該詞條,闡述對v-nand的理解,并與今后在此搜索v-nand的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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