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v-nand 文章 進(jìn)入v-nand技術(shù)社區
ARM平臺數據為何會(huì )莫名其妙丟失
- Nand-Flash/eMMC(帶有Flash控制器的Nand-Flash)作為一種非線(xiàn)性宏單元模式存儲器，為固態(tài)大容量存儲的實(shí)現提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-Flash存儲器具有容量大，改寫(xiě)速度快等優(yōu)點(diǎn)，適用于大量數據的存儲，因而越來(lái)越廣泛地應用在如嵌入式產(chǎn)品、智能手機、云端存儲資料庫等業(yè)界各領(lǐng)域?！ ?nbsp; 圖1 Nand-Flash與eMMC芯片 1.1存儲器件使用壽命 使用了Nand-Flash的主板出現丟數據掉程序現象，是一個(gè)讓無(wú)數工程師毛骨悚然的
- 關(guān)鍵字： Nand-Flash eMMC
東芝宣布興建第7座NAND Flash工廠(chǎng)
- 2017 年是 NAND Flash 閃存廠(chǎng)商豐收的一年，零售價(jià)格的暴漲帶動(dòng)了廠(chǎng)商的營(yíng)收，同時(shí)還對獲利有了巨大貢獻。 所以，當前全球的 4 大 NAND Flash 廠(chǎng)商，包括三星、Intel/美光、東芝、SK 海力士也有了充足的資金來(lái)進(jìn)行新一波的投資。 而根據外電的報導，東芝就最新宣布，將拿出 70 億日圓的金額，準備興建第 7 座閃存工廠(chǎng)(Fab7)，地點(diǎn)就在日本的四日市(Yokkaichi)。 事實(shí)上，目前東芝的第 6 座工廠(chǎng)(Fab 6)正在建設當中，預計將于 2018 年第 4 季完工
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND
明年上半年DRAM吃緊、NAND恐供大于求
- 內存明年市況恐將不同調，DRAM市場(chǎng)仍將持續吃緊，NAND Flash市場(chǎng)則將于明年上半年轉為供過(guò)于求。 DRAM 與 NAND Flash 市場(chǎng)今年都處于供不應求狀態(tài)，產(chǎn)品價(jià)格同步高漲，只是業(yè)界普遍預期，明年 DRAM 與 NAND Flash 市況恐將不同調。 內存模塊廠(chǎng)創(chuàng )見(jiàn)指出，DRAM 市場(chǎng)供貨持續吃緊，價(jià)格未見(jiàn)松動(dòng)跡象。 NAND Flash 方面，隨著(zhù) 3D NAND Flash 技術(shù)日益成熟，生產(chǎn)良率改善，可望填補供貨缺口。 另一內存模塊廠(chǎng)威剛表示，短期內全球 DRAM
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
DRAM下季度再漲5%,已連漲七季歷史最長(cháng)
- DRAM嚴重供不應求，三星明年首季再漲價(jià)3%至5%之后，SK海力士 下季也將漲價(jià)約5%，全球DRAM價(jià)格連續七季上揚，是歷來(lái)漲勢最久的一次。 業(yè)界解讀，三星、海力士下季漲價(jià)態(tài)度堅決，等于向全球宣告，韓系大廠(chǎng)決定維持DRAM價(jià)格持穩不墜的決心，消除外界認為兩大韓廠(chǎng)打算調降售價(jià)格，防止中國DRAM競爭對手竄起的流言。 手機中國聯(lián)盟秘書(shū)長(cháng)王艷輝認為，有人說(shuō)三星瘋狂擴產(chǎn)存儲器是為了將中國存儲器產(chǎn)業(yè)扼殺在萌芽，有點(diǎn)太看得起自己，雖然明年大陸存儲器產(chǎn)業(yè)開(kāi)始進(jìn)入試產(chǎn)階段，要與三星、海力士抗衡，至少還需要
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
潘健成：明年3D NAND進(jìn)入96層 群聯(lián)準備好了
- 今年全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)成功轉換至64/72層3D NAND規格，隨著(zhù)制程轉換完成，全球缺貨問(wèn)題也逐漸紓解，群聯(lián)董事長(cháng)潘健成指出，2018年底將進(jìn)入96層的3D NAND技術(shù)世代，帶動(dòng)單一芯片的容量提升至256Gb/512Gb，SSD控制芯片技術(shù)也全面提升至新層次，群聯(lián)的關(guān)鍵技術(shù)已經(jīng)準備好了，呈現蓄勢待發(fā)的姿態(tài)! 今年的NAND Flash產(chǎn)業(yè)受到技術(shù)轉換不順、數據中心對于儲存容量需求快速攀升之故，導致產(chǎn)業(yè)供需失衡，芯片價(jià)格一直高居不下，但這樣的狀況停留太久后，導致終端產(chǎn)品的需求被抑制，
- 關(guān)鍵字： SSD NAND
旺宏NAND論文 獲國際肯定
- 內存大廠(chǎng)旺宏(2337)在3D NAND Flash研發(fā)獲得重成果，昨(29)日宣布，最新研發(fā)3D NAND記憶晶胞架構的論文入選國際電子組件大會(huì )(IEDM)，被評選為「亮點(diǎn)論文」，是今年臺灣產(chǎn)學(xué)研界唯一獲選的廠(chǎng)商，彰顯旺宏在先進(jìn)內存研發(fā)實(shí)力受到國際高度肯定，也顯示旺宏在業(yè)界最關(guān)注的3D NAND議題上扮演重要角色。 旺宏強調，獨立研發(fā)的平坦垂直渠道型晶體管結構(SGVC)，相較其他大廠(chǎng)現有技術(shù)，以相同的堆棧層數，卻可達到二到三倍的內存密度。 目前很多公司大舉投入64層或72層等3D NA
- 關(guān)鍵字： 旺宏 NAND
讓汽車(chē)更智能，適用于汽車(chē)遠程信息處理系統的全新 NAND+LPDDR4 MCP
- 被譽(yù)為世界三大車(chē)展之一的東京車(chē)展于近日開(kāi)幕，來(lái)自全世界的主要汽車(chē)生產(chǎn)廠(chǎng)商通過(guò)展示最新的產(chǎn)品和技術(shù)來(lái)描繪下一代汽車(chē)發(fā)展藍圖，其中 “人工智能”、“自動(dòng)駕駛”和“新能源”儼然已成為汽車(chē)產(chǎn)業(yè)界公認的未來(lái)的發(fā)展方向?！ ±?，豐田展出的“愛(ài)i”系列，能憑借大量數據分析解駕駛員的日常習慣及行為模式，甚至判斷出駕駛員的興趣愛(ài)好、感情狀態(tài)等。不僅是轎車(chē)，豐田展示的依靠氫燃料電池提供動(dòng)力的大巴“SORA”，不僅助力環(huán)保，更在智能性方面有了極大提高。SORA內外搭載有8個(gè)高清晰攝像頭，能捕捉到周?chē)男腥?、?chē)輛
- 關(guān)鍵字： NAND LPDDR4
東芝第二財季運營(yíng)利潤增長(cháng)76% 芯片業(yè)務(wù)表現強勁
- 11月9日消息，據國外媒體報道，日本東芝公司今天公布財報顯示，由于受到旗下內存芯片業(yè)務(wù)強勁業(yè)績(jì)的驅動(dòng)，該公司本財年第二季度運營(yíng)利潤增長(cháng)了76%。最近，該公司同意將旗下內存芯片業(yè)務(wù)以180億美元對外出售。 處于困境狀況的這家日本工業(yè)巨頭表示，本財年7至9月份這個(gè)第二季度運營(yíng)利潤從上年同期的768.8億日元增長(cháng)至1250,8億日元(約合12億美元)。 這個(gè)業(yè)績(jì)好于分析師預期，湯森路透StarMine SmartEstimate此前根據5位分析師預估，東芝本財年第二季度運營(yíng)利潤是1244.7億日
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND
美光3D NAND技術(shù)發(fā)威 搶占邊緣存儲商機
- 美系存儲器大廠(chǎng)美光(Micron)3D NAND技術(shù)逐漸成熟后，開(kāi)始拓展旗下產(chǎn)品線(xiàn)廣度，日前耕耘工業(yè)領(lǐng)域有成，將推出影像監控邊緣儲存解決方案，32GB和64GB版microSD卡搶先問(wèn)世，預計2018年第1季128GB和256GB版會(huì )開(kāi)始送樣，同年第2季量產(chǎn)。 美光的64層3D NAND技術(shù)今年成熟且開(kāi)始量產(chǎn)，除了主攻服務(wù)器∕企業(yè)端、消費性固態(tài)硬碟(SSD)領(lǐng)域，也積極推動(dòng)工業(yè)領(lǐng)域應用，日前推出全系列的影像監控邊緣裝置儲存解決方案產(chǎn)品組合，以32GB和64GB版microSD卡搶先試水溫。
- 關(guān)鍵字： 美光 3D NAND
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