旺宏NAND論文 獲國際肯定

　　內存大廠(chǎng)旺宏(2337)在3D NAND Flash研發(fā)獲得重成果，昨(29)日宣布，最新研發(fā)3D NAND記憶晶胞架構的論文入選國際電子組件大會(huì )(IEDM)，被評選為「亮點(diǎn)論文」，是今年臺灣產(chǎn)學(xué)研界唯一獲選的廠(chǎng)商，彰顯旺宏在先進(jìn)內存研發(fā)實(shí)力受到國際高度肯定，也顯示旺宏在業(yè)界最關(guān)注的3D NAND議題上扮演重要角色。

　　旺宏強調，獨立研發(fā)的平坦垂直渠道型晶體管結構(SGVC)，相較其他大廠(chǎng)現有技術(shù)，以相同的堆棧層數，卻可達到二到三倍的內存密度。

　　目前很多公司大舉投入64層或72層等3D NAND 型閃存開(kāi)發(fā)，旺宏開(kāi)發(fā)的SGVC新3D NAND Flash只要堆棧16層，內存密度即可達到現行閘極環(huán)繞型結構 (GAA)所堆棧48效果。

　　此外，由于記憶晶胞為平坦垂直渠道型晶體管結構，可大幅減少幾何效應對于整體電性的敏感度，適合于需要頻繁讀取數據的各式應用，低層數的堆棧也有利提升制程良率。