EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
v-nand
v-nand 文章 進(jìn)入v-nand技術(shù)社區
物聯(lián)網(wǎng)風(fēng)起 我國亟需建設自主存儲
- “物聯(lián)網(wǎng)”是指連接到互聯(lián)網(wǎng)的傳感器，通過(guò)開(kāi)放的專(zhuān)用連接、自由共享數據和允許非預期應用程序，以互聯(lián)網(wǎng)的方式行事，因此電腦可以了解周?chē)氖澜?，成為?lèi)似人類(lèi)的神經(jīng)系統 ”凱文·阿什頓說(shuō)(這個(gè)術(shù)語(yǔ)的發(fā)明者)。 在我們的上一篇文章中，我們考慮了IoT的潛力——也被稱(chēng)為“一切互聯(lián)網(wǎng)” ——在接下來(lái)的十年中，將推動(dòng)NAND銷(xiāo)售，從而使Micron的利潤得以增加。 本文將對體系架構及其與內存
- 關(guān)鍵字： 物聯(lián)網(wǎng) NAND
東芝出售半導體導致NAND短缺惡化？韓媒：三星最受惠
- 東芝(Toshiba Corp.)決定出售半導體事業(yè)，但競標者眾、過(guò)程冗長(cháng)，如此一來(lái)，韓國廠(chǎng)商反倒會(huì )成為最大受惠者? 韓聯(lián)社 24 日報導，Shinhan Investment 研究員 Choi Do-yeon 發(fā)表研究報告指出，東芝的 3D NAND 快閃存儲器投資計劃勢必將因此延后，這會(huì )讓供給短缺更形惡化，也為三星電子(Samsung Electronics Co.)、SK 海力士(SK hynix Inc.)制造更多擴產(chǎn)良機。 美國硬盤(pán)機制造巨擘 Western Digital(WD
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND
中國必須建設自主存儲，為什么？
- 在即將到來(lái)的物聯(lián)網(wǎng)的世界里，NAND的應用會(huì )非常廣泛，作用也會(huì )愈發(fā)重要，出現的各種裝置和新興應用都會(huì )用到NAND。
- 關(guān)鍵字： NAND 長(cháng)江存儲
東芝是大股東的群聯(lián)董事長(cháng)：東芝芯片會(huì )賣(mài)給日資
- 東芝半導體事業(yè)各路人馬搶親，包括鴻海集團等展現高度意愿，東芝是群聯(lián)大股東，對于東芝內存出售案，但長(cháng)期和東芝半導體合作的群聯(lián)董事長(cháng)潘健成分析，東芝不可能被單一企業(yè)或公司買(mǎi)下。 他推斷最后結果，將會(huì )由日本境內私募基金或現有股東拿下，仍會(huì )維持原有東芝控制權，再讓部分策略合作伙伴持有少數股權入股。 潘健成強調，東芝半導體和早期的爾必達破產(chǎn)不一樣，東芝半導體是東芝最賺錢(qián)的事業(yè)體，而且東芝的儲存型閃存(NAND Flash)也是日本最引以為傲的技術(shù)，引發(fā)東芝財務(wù)危機的是核電事業(yè)，因此切割半導體事業(yè)獨立新公司
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND
3D NAND延續摩爾定律 電容耦合效應及可靠度仍為技術(shù)關(guān)鍵
- DIGITIMES Research觀(guān)察，2D NANDFlash制程在物理限制下難度加劇，透過(guò)3DNAND Flash制程，無(wú)論是效能及儲存容量提升上都有突破性的改善。 3D NAND Flash可謂為摩爾定律在半導體內存領(lǐng)域延伸的一項重要技術(shù)。 3D NAND Flash依存儲元件儲存機制可分浮動(dòng)閘極(Floating Gate;FG)及電荷缺陷儲存(Charge Trap;CT);依不同堆棧結構技術(shù)又可分為BiCS、P-BiCS、TCAT、VG-NAND Flash、DC-SF、S-SCG
- 關(guān)鍵字： 摩爾定律 3D NAND
日美“卡脖子” 國產(chǎn)大存儲崛起能否取得成功？
- 小時(shí)候并不知道為什么唐僧要取經(jīng),取的什么經(jīng)?后來(lái)知道了,唐僧要的是所謂“大乘佛法”,簡(jiǎn)單說(shuō)就是普度眾生,救民于水火。既有這樣的佛法,孫悟空何不多翻幾個(gè)筋斗,快快取來(lái)就是,為什么非要肉體凡胎的唐僧不辭勞苦、跋山涉水呢?難道上天就沒(méi)有好生之德嗎?還要設置各種妖怪來(lái)?yè)v亂,豈不是折騰人嗎? 上天當然會(huì )有好生之德,這沒(méi)有什么好懷疑的。至于為什么折騰唐僧,并不是上天要以此為樂(lè ),所謂天機不可泄漏,九九八十一難其實(shí)就是真經(jīng)的一部分,對嗎? 其實(shí)現實(shí)生活也是如此。 前不久,美國
- 關(guān)鍵字： 晶圓 NAND
2019量產(chǎn)64層NAND閃存 紫光絕不讓員工竊取前公司機密
- 國產(chǎn)手機勢頭越來(lái)越強勁，把三星和蘋(píng)果虐的夠嗆(主要是指國內市場(chǎng)份額)，但繁榮背后是對核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國廠(chǎng)商壟斷了。為了讓國產(chǎn)閃存有更好的發(fā)展，不少公司都在努力。挖來(lái)臺灣DRAM教父高啟全后，紫光旗下的長(cháng)江存儲開(kāi)始全速狂飆。 近日，高啟全接受媒體采訪(fǎng)時(shí)表示，長(cháng)江存儲將在2019年開(kāi)始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，這個(gè)消息無(wú)疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。對于目前行業(yè)的現狀，高啟全強調國內公司應該臺灣公司在存儲芯片上應該合作，因為大家的最大
- 關(guān)鍵字： 紫光 NAND
紫光2019年要量產(chǎn)64層NAND閃存 打破韓企壟斷
- 國產(chǎn)手機勢頭越來(lái)越強勁，把三星和蘋(píng)果虐的夠嗆(主要是指國內市場(chǎng)份額)，但繁榮背后是對核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國廠(chǎng)商壟斷了。為了讓國產(chǎn)閃存有更好的發(fā)展，不少公司都在努力。挖來(lái)臺灣DRAM教父高啟全后，紫光旗下的長(cháng)江存儲開(kāi)始全速狂飆。 近日，高啟全接受媒體采訪(fǎng)時(shí)表示，長(cháng)江存儲將在2019年開(kāi)始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，這個(gè)消息無(wú)疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。 對于目前行業(yè)的現狀，高啟全強調國內公司應該臺灣公司在存儲芯片上應該合作，因為大
- 關(guān)鍵字： 紫光 NAND
韓國3D NAND閃存三季度有望占全球一半市場(chǎng)
- 市場(chǎng)調查機構DRAMeXchange近日發(fā)布的調查結果顯示，到今年三季度，三星電子、SK海力士等韓企的3D NAND閃存半導體在全球整體NAND閃存市場(chǎng)所占份額有望超過(guò)50%。 閃存是指在斷電情況下仍能存儲數據的半導體，主要用于智能手機等移動(dòng)終端的周邊裝置。3D NAND在2D NAND的基礎上，增加了回路垂直排列，大大提高了性能和容量。新一代韓產(chǎn)3D NAND將陸續上市，三星電子和美光科技(Micron)等企業(yè)于今年二季度起量產(chǎn)64層3D NAND，SK海力士將于三季度在全球最先推出72層的3
- 關(guān)鍵字： NAND SK海力士
新世代內存陸續小量產(chǎn) 商品化指日可待
- 內存是半導體的主力產(chǎn)品之一，目前主要由動(dòng)態(tài)隨機存取內存(DRAM)及具備非揮發(fā)特性的NAND閃存(Flash)為最重要的兩項產(chǎn)品。 不過(guò)，由于DRAM必須持續上電才能保存數據，NAND Flash又有讀寫(xiě)速度較DRAM慢，且讀寫(xiě)次數相對有限的先天限制，因此內存業(yè)者一直試圖發(fā)展出新的內存架構，希望能兼具DRAM的速度、耐用度和NAND的非揮發(fā)特性 根據研究機構Tech Insights估計，包含STT-MRAM、FRAM、CBRAM、3D Xpoint等新世代內存，都已陸續進(jìn)入小量生產(chǎn)階段。 不過(guò)
- 關(guān)鍵字： 內存 NAND
全球3D NAND大軍技術(shù)對決 下半年產(chǎn)出可望大增
- 2017年將是3D NAND Flash應用市場(chǎng)快速崛起的關(guān)鍵年，包括三星電子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、東芝(Toshiba)等陸續推出具競爭力的64層3D NAND Flash加入競局，SK海力士(SK Hynix)更一舉跳到72層3D NAND Flash技術(shù)以求突圍，由于新舊技術(shù)轉換，良率仍不穩定，加上固態(tài)硬碟(SSD)需求起飛，造成NAND Flash市場(chǎng)大缺貨，業(yè)者預期2017年下半產(chǎn)出可望大增，全面開(kāi)啟3D NAND Flash時(shí)代。 三星在2
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND
機構:DRAM與NAND FLASH價(jià)格下半年將下降
- Gartner 表示，在 NAND Flash 方面 2017 年第 2 季將會(huì )開(kāi)始呈現反轉，使得全球 NAND Flash 和 SSD 的價(jià)格會(huì )在 2018 年出現明顯下滑，并在 2019 年重新陷入一個(gè)相對低點(diǎn)。 Gartner 表示，自 2016 年中期以來(lái)，隨著(zhù) NAND Flash 的漲價(jià)，SSD 的每字節的成本也出現了驚人上漲。 不過(guò)，這種上漲趨勢將在本季達到頂峰。 其原因在于中國廠(chǎng)商大量投入生產(chǎn)的結果，在產(chǎn)能陸續開(kāi)出后，市場(chǎng)價(jià)格就一反過(guò)去的漲勢，開(kāi)始出現下跌的情況。 Gart
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
v-nand介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條v-nand!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對v-nand的理解，并與今后在此搜索v-nand的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對v-nand的理解，并與今后在此搜索v-nand的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
v-nand電路
v-nand相關(guān)帖子
v-nand資料下載
v-nand專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473