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v-nand 文章 進(jìn)入v-nand技術(shù)社區
ICinsights:DRAM、NAND售價(jià)已暴漲一年
- IC Insights的報告顯示，DRAM及NAND Flash售價(jià)已經(jīng)連續四個(gè)季度上漲。 不過(guò)因為原廠(chǎng)紛紛提出擴產(chǎn)計劃，IC Insights稍早憂(yōu)心忡忡認為，未來(lái)幾年包括三星電子、SK海力士、美光、英特爾、東芝、西部數據、武漢新芯、長(cháng)江存儲，都大舉提高3D NAND Flash產(chǎn)能，大陸還有新建廠(chǎng)商也會(huì )加入戰場(chǎng)，3D NAND Flash產(chǎn)能供過(guò)于求的可能性相當高。 近期SK海力士宣布今年資本支出追加至86.1億美元，進(jìn)行3D NAND Flash和DRAM兩大內存
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
NAND閃存供應短缺，三星斥資186億美元投資芯片
- 韓國三星電子有限公司本周二表示，計劃在韓國投資至少21.4萬(wàn)億韓元(約合186.3億美元)，以鞏固其在內存芯片和下一代智能手機領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。 作為世界最大的記憶芯片生產(chǎn)商，三星將在2021年前對位于平澤市的NAND閃存工廠(chǎng)投入14.4萬(wàn)億韓元。此外，位于華城市的半導體生產(chǎn)線(xiàn)也將拿到6萬(wàn)億韓元的投資。剩下的1萬(wàn)億韓元，將分配給三星位于韓國的OLED屏幕工廠(chǎng)。同時(shí)，三星還計劃為西安的NAND閃存生產(chǎn)基地添置一條新的生產(chǎn)線(xiàn)。 近年來(lái)，三星、東芝和SK海力士已投入了數百億美元來(lái)推動(dòng)NAND閃存的
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ICinsights:DRAM、NAND漲勢第四季微幅逆轉
- ICinsights認為，全球內存下半年價(jià)格上漲動(dòng)能可能減緩，包含DRAM與NAND閃存均是如此。 盡管漲勢減緩，但DRAM與NAND今年營(yíng)收預料仍將創(chuàng )新高記錄，這完全都是拜先前平均售價(jià)快速上漲之賜。 以DRAM為例，DRAM平均售價(jià)今年預估年漲幅高達63%，此為1993年有記錄以來(lái)之最。 內存價(jià)格從去年第三季起漲，ICinsights預期動(dòng)能可能持續至2017年第三季，第四季可能微幅轉負，為這波正向循環(huán)劃下休止符。 ICinsights指出，隨著(zhù)價(jià)格走揚，內存制造商也再次增加資本投
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
KBS：聚焦韓國半導體產(chǎn)業(yè)
- 韓國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展風(fēng)生水起。世界上最大的內存芯片供應商三星電子公司宣布，其在韓國平澤的新建半導體生產(chǎn)線(xiàn)已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)。NAND閃存技術(shù)開(kāi)發(fā)商SK海力士公司已經(jīng)加入了一個(gè)同盟，將投標收購日本東芝的內存部門(mén)。今天，我們邀請到了韓國真好經(jīng)濟研究院的李仁喆(音譯：???)先生，與他共同聊一聊韓國半導體產(chǎn)業(yè)的未來(lái)。首先，我們了解一下7月4日三星電子公司在平澤投產(chǎn)的半導體工廠(chǎng)的意義。 根據IT市場(chǎng)研究公司的數據，第一季度三星電子公司在NAND閃存市場(chǎng)上的份額為35.4%。 這個(gè)數字具有絕對優(yōu)勢，但平澤半導體廠(chǎng)
- 關(guān)鍵字： 半導體 NAND
NOR Flash行業(yè)趨勢解讀：供不應求或成常態(tài) 大陸存儲雄心勃勃
- 這個(gè)時(shí)間點(diǎn)我們討論NorFlash行業(yè)趨勢與全年景氣度，一方面是Nor廠(chǎng)商二季度業(yè)績(jì)即將公布，而相關(guān)公司一季度業(yè)績(jì)沒(méi)有充分反映行業(yè)變化;另一方面是相關(guān)標的與行業(yè)基本面也出現了變化(如Switch超預期大賣(mài)以及兆易創(chuàng )新收到證監會(huì )反饋意見(jiàn)等)，同時(shí)我們調高AMOLED與TDDINor的需求拉動(dòng)預期，詳細測算供需缺口，以求對未來(lái)趨勢定性、定量研究; 汽車(chē)電子與工控拉動(dòng)行業(yè)趨勢反轉TDDI+AMOLED新需求錦上添花 1、汽車(chē)與工控拉動(dòng)2016趨勢反轉 從各方面驗證，2016年是NOR的拐點(diǎn)
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
三星電子全球最大規模半導體生產(chǎn)線(xiàn)投產(chǎn)
- 據韓聯(lián)社報道，三星電子平澤工廠(chǎng)全球最大規模半導體生產(chǎn)線(xiàn)近日正式投產(chǎn)。三星電子將在該工廠(chǎng)生產(chǎn)第四代64位V-NAND，月產(chǎn)能可達20萬(wàn)片，并計劃持續擴充生產(chǎn)設備，解決近年來(lái)全球半導體市場(chǎng)上供不應求的局面。 據了解，位于韓國京畿道平澤市的三星電子平澤工廠(chǎng)于2015年5月動(dòng)工建設，日均投入1.2萬(wàn)名施工人員，耗時(shí)兩年多建成全球最大的單一產(chǎn)品生產(chǎn)線(xiàn)。 三星宣布，至2021年為止，要對位于平澤市的NAND型快閃存儲器廠(chǎng)房投入14.4萬(wàn)億韓圜(約合125.4億美元)，并對華城市新建的半導體生產(chǎn)線(xiàn)投入6
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東芝明年量產(chǎn)96層3D NAND，或獨投1800億增產(chǎn)3D NAND
- 全球第 2 大 NAND 型快閃存儲器廠(chǎng)東芝(Toshiba)28 日宣布，攜手 SanDisk 研發(fā)出全球首款采用堆疊 96 層制程技術(shù)的 3D NAND Flash 產(chǎn)品，且已完成試樣。該款產(chǎn)品為 256Gb(32GB)、采用 3bit/cell(TLC：Triple Level Cel)技術(shù)的產(chǎn)品，預計于 2017 年下半送樣、2018 年開(kāi)始進(jìn)行量產(chǎn)，主要用來(lái)?yè)尮祿行挠?SSD、PC 用 SSD 以及智能手機、平板電腦和存儲卡等市場(chǎng)。 東芝今后也計劃推出采用堆疊 96 層制程技術(shù)的
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND
64層堆棧是3D NAND的「甜蜜點(diǎn)」？
- 64層堆棧的3D NAND正跨越較平面NAND更具成本效益的門(mén)坎，預計將在未來(lái)18個(gè)月內成為市場(chǎng)主流... Western Digital(WD)內存技術(shù)執行副總裁Siva Sivaram日前指出，64層堆棧的3D NAND正跨越較平面NAND更具成本效益的門(mén)坎。 在最近接受《EE Times》的訪(fǎng)問(wèn)中，Siva Sivaram將64層3D NAND定義為一種「開(kāi)創(chuàng )性技術(shù)」(seminal technology)，可望應用于WD逾50種產(chǎn)品線(xiàn)。 他預計今年WD約有一半的產(chǎn)品線(xiàn)都將采用3D
- 關(guān)鍵字： NAND 堆棧
三星64層NAND閃存宣布量產(chǎn)
- 三星電子 15 日宣布，最新 64 層 256GB V-NAND 閃存已進(jìn)入量產(chǎn)，與此同時(shí)，三星還將擴展包含服務(wù)器、PC 與行動(dòng)裝置的儲存解決方案。 64 層 V-NAND 閃存用稱(chēng)為第四代 V-NAND 芯片，南韓 ITtimes.com 報導指出，三星為穩固領(lǐng)先優(yōu)勢，打算于年底把第四代芯片占每月生產(chǎn)比重拉高至五成以上。 其實(shí)，三星今年 1 月已先為某關(guān)鍵客戶(hù)，打造第一顆內含 64 層 V-NAND 芯片的固態(tài)硬盤(pán)(SSD)，自此之后，三星持續朝行動(dòng)與消費型儲存市場(chǎng)開(kāi)發(fā)新應用，務(wù)求與 I
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND
若拿下東芝 郭董：優(yōu)先設廠(chǎng)美國
- 鴻海董事長(cháng)郭臺銘昨(12)日證實(shí)，將籌組美、日、臺夢(mèng)幻團隊，共同競標東芝半導體。 對日本出現擔心鴻?！钢袊蛩亍沟脑u論，郭董炮火全開(kāi)，左打美系私募基金，右批日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省高層，并強調，鴻海如果順利得標，海外市場(chǎng)將優(yōu)先考慮在美設內存芯片廠(chǎng)。 東芝半導體競標案進(jìn)入倒數計時(shí)，預計本周公布結果。 競標者之一鴻海動(dòng)作不斷，郭臺銘接連接受日經(jīng)新聞、路透社專(zhuān)訪(fǎng)。 郭董強調，如果鴻海順利標下東芝半導體事業(yè)，希望未來(lái)能在海外建立內存工廠(chǎng)，地點(diǎn)將優(yōu)先考慮美國。 郭臺銘補充，因為美國國內市場(chǎng)需求在當地還沒(méi)達到，
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NAND閃存的三種架構：MLC、SLC、MBC
- NAND閃存的內部架構:NAND閃存可以分為三種不同架構，即：?jiǎn)螌訂卧猄LC 多層單元MLC多位單元MBC。其中，MBC以NROM技術(shù)為基礎的NAND閃存架構，由英飛凌與Saifun合作開(kāi)發(fā)，但該項架構技術(shù)并不成熟。采SLC架構是在每個(gè)Cell中存儲1個(gè)bit的信息，以達到其穩定、讀寫(xiě)速度快等特點(diǎn)，Cell可擦寫(xiě)次數為10萬(wàn)次左右。作為SLC架構，其也有很大的缺點(diǎn)，就是面積容量相對比較小，并且由于技術(shù)限制，基本上很難再向前發(fā)展了。
- 關(guān)鍵字： MLC 閃存 NAND 英特爾
NAND Flash下季度或史上最缺貨
- NAND Flash控制芯片與模塊廠(chǎng)群聯(lián)董事長(cháng)潘健成日前估計，接下來(lái)將面臨史上最缺貨的第3季，而該公司也積極備戰，近日捧著(zhù)5000多萬(wàn)美元現金，大舉吃下某大廠(chǎng)釋出的貨源，為下半年建立更多庫存。 群聯(lián)在去年初NAND Flash市況尚未大熱時(shí)，建立的庫存水位一度超過(guò)三億美元，后來(lái)市場(chǎng)景氣于去年第3季開(kāi)始往上，價(jià)格走升，也讓該公司因此大賺。 潘健成提到，今年大概只有5月有機會(huì )多收貨，所以該公司在前兩個(gè)禮拜以現金買(mǎi)了大約5000多萬(wàn)美元的額外貨源，預計可供第3季使用。 群聯(lián)在今年4月時(shí)，手
- 關(guān)鍵字： NAND
2017第一季度NAND Flash品牌廠(chǎng)商營(yíng)收排名
- 集邦咨詢(xún)半導體研究中心(DRAMeXchange)指出，第一季整體NAND Flash市況延續第四季持續受到缺貨影響，即使第一季度為傳統NAND Flash淡季，渠道顆粒合約價(jià)卻仍上揚約20-25%。在智能終端設備如智能手機與平板電腦內的行動(dòng)式存儲價(jià)格也呈現雙漲的狀況下，2017年將是NAND Flash成果豐碩的一年。 DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋表示，由于NAND在平面制程(2D/Planar NAND)面臨微縮限制，進(jìn)而轉進(jìn)垂直堆棧制程(3D/Vertical-NAND)
- 關(guān)鍵字： NAND SK海力士
Gartner：2016年全球半導體收入增長(cháng)2.6%
- 全球領(lǐng)先的信息技術(shù)研究和顧問(wèn)公司Gartner的研究顯示，2016年全球半導體收入總計3,435億美元，較2015年的3,349億美元提升2.6%。在企業(yè)并購潮的影響下，前二十五大半導體廠(chǎng)商總收入增加10.5%，表現遠優(yōu)于整體產(chǎn)業(yè)增長(cháng)率?！ artner研究總監James Hines表示：“2016年半導體產(chǎn)業(yè)出現回彈。雖然其年初因受到庫存調整的影響而表現疲軟，但下半年需求增強，定價(jià)環(huán)境得到改善。助力全球半導體收入增長(cháng)的因素包括多項電子設備部門(mén)產(chǎn)量的增加、NAND閃存售價(jià)的上揚及相對溫和的
- 關(guān)鍵字： 半導體 NAND
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對v-nand的理解，并與今后在此搜索v-nand的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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