存儲器行業(yè)的2018：冰與火之歌｜盤(pán)點(diǎn)2018

　　存儲器一直被看成是半導體行業(yè)的晴雨表，它的表現也影響著(zhù)整個(gè)市場(chǎng)的枯榮變換。2018年的存儲器行業(yè)在興奮和失望迷茫的情緒交替中前行，伴隨著(zhù)技術(shù)上的幾許亮色，邁向了2019年。

　　從熱火朝天到凜冬將至

　　2017年的存儲器市場(chǎng)可以用火熱來(lái)形容，三大存儲器公司(三星、海力士、美光)的財報都非常喜人，SK海力士、美光的營(yíng)收規模均成長(cháng)近8成，西部數據的營(yíng)收更是增長(cháng)了120.2%，就是以NANDFlash為主要產(chǎn)品的東芝，也成長(cháng)了29.2%;而三星電子更是奪取了英特爾把持多年的全球半導體營(yíng)收頭把交椅。

　　整體來(lái)說(shuō)，2017年全球半導體市場(chǎng)規模比2016年成長(cháng)22.2%，達4197.2億美元。根據Gartner的分析，存儲器的短缺是市場(chǎng)蓬勃發(fā)展的最主要原因。整整2017年全年，DRAM價(jià)格成長(cháng)高達44%，NANDFlash價(jià)格也上漲了17%。尤其是，NANDFlash價(jià)格是有統計數據以來(lái)首次呈現上漲的局面。

　　2018開(kāi)年以后更是延續了這種良好的態(tài)勢，數據中心、人工智能和汽車(chē)電子等應用的成長(cháng)，使得整個(gè)市場(chǎng)持續增溫。以NANDFlash為代表的閃存市場(chǎng)更是快步前進(jìn)。美光公司CEO就表示，存儲器市場(chǎng)已出現典范轉型，以智能手機為中心的移動(dòng)時(shí)代，逐步轉入人工智能等驅動(dòng)的數據經(jīng)濟時(shí)代。數據經(jīng)濟需要搭載大量DRAM及NANDFlash協(xié)助運算，存儲器市場(chǎng)可望一路好到2021年。

　　各大存儲器廠(chǎng)商亦紛紛開(kāi)足馬力，據福布斯報道，廠(chǎng)商們都在2017年擴大了64層3DNAND存儲器的出貨量，而128層的3DNAND預計在2020年就可問(wèn)世，2018年3DNAND將恢復供應量成為市場(chǎng)主流。

　　世界半導體貿易統計協(xié)會(huì )(WSTS)在2018年初的預測報告中，將2018年全球半導體市場(chǎng)規模(銷(xiāo)售額)自2017年11月預估的4372.65億美元(年增7.0%)修訂至4634.12億美元(年增12.4%)。其中，存儲器的銷(xiāo)售額預估將暴增26.5%至1567.86億美元。

　　就在一片看好的聲音中，一些令人不安的預兆也出現了。部分存儲器價(jià)格在2018年初出現下滑，導致三星電子當期的財報預測低于預期。不過(guò)，業(yè)界仍認為“這種價(jià)格變化在預期之內，并且對整體市場(chǎng)發(fā)展有益”。

　　轉折卻在無(wú)聲中到來(lái)了。DRAMeXchange于6月27日發(fā)布了閃存市場(chǎng)分析報告，稱(chēng)2018下半年，NAND閃存市場(chǎng)的增長(cháng)潛力疲軟。報告指出，由于處于傳統的淡季和產(chǎn)能拉升期，所以在上半年，閃存市場(chǎng)已經(jīng)有連續兩個(gè)季度的價(jià)格走弱。在這樣的態(tài)勢下，一些供應商甚至暫緩了面向更高密度存儲芯片的產(chǎn)能擴張，以避免價(jià)格走到崩盤(pán)的局面。

　　但到了下半年，市場(chǎng)并沒(méi)有好轉。在9月6號，摩根斯坦利分析師ShawnKim就指出，內存市況近幾周來(lái)有惡化跡象，DRAM需求逐漸趨疲，庫存、定價(jià)壓力與日俱增，而NAND型閃存的供給則確實(shí)太多。另一位分析師也指出，智能手機的購買(mǎi)需求難以提升，NAND型閃存的供給過(guò)剩情況最近日益惡化。他估計下半年智能手機的出貨表現將相對疲弱，蘋(píng)果與中國智能手機的供應鏈前景都不太妙。后來(lái)的市場(chǎng)表現果然應驗了這種預測。目前，對于2019年的市場(chǎng)，各方都認為首季價(jià)格跌幅恐持續擴大，直至第2季中旬才會(huì )趨緩。

　　從年初的蓬勃發(fā)展到下半年的寒冬，造成市場(chǎng)反轉的元兇是什么?從目前的分析來(lái)看，智能手機銷(xiāo)量的增長(cháng)乏力，中美貿易戰的陰影，還有產(chǎn)能的盲目擴張都是重要因素。在新的驅動(dòng)力沒(méi)有充分發(fā)展起來(lái)之前，市場(chǎng)恐還會(huì )在低位繼續運行。

　　技術(shù)發(fā)展上仍有亮色

　　雖然市場(chǎng)起伏過(guò)大，但存儲器的技術(shù)發(fā)展仍未停步，特別是閃存技術(shù)。

　　今年，閃存開(kāi)始步入QLC時(shí)代。這種變化在手機上體現最為明顯，上半年，NAND原廠(chǎng)的技術(shù)主要以量產(chǎn)64層TLC(三比特)為主，下半年部分原廠(chǎng)已經(jīng)轉為96層TLC或者64層QLC。

　　QLC閃存每單元可以保存4比特數據，相比TLC又多了三分之一，這樣既有利于做大容量，也有利于降低成本，必然是閃存廠(chǎng)商們未來(lái)的重點(diǎn)。

　　而在容量上，TB時(shí)代也逐步逼近。NAND2D極限容量已從128GB上升到64層512GB，96層會(huì )向512GB過(guò)渡，技術(shù)成熟以后量產(chǎn)到1TB技術(shù)。隨著(zhù)QLC的量產(chǎn)，即使采用64層QLC也可以量產(chǎn)1T容量。

　　值得一提的是，國內企業(yè)在閃存技術(shù)上也有突破。存儲器新勢力長(cháng)江存儲公司就在2018年發(fā)布了自主創(chuàng )新的Xtacking架構。該架構可用于消費級/企業(yè)級SSD還有UFS閃存，且實(shí)現了NAND矩陣與外圍電路的并行加工。這種模塊化閃存開(kāi)發(fā)和制造工藝將大幅縮短新一代3DNAND的上市時(shí)間，并使NAND產(chǎn)品定制化成為可能。并且，在一向薄弱的SSD主控芯片領(lǐng)域，國內企業(yè)今年也有新品問(wèn)世。相信在2019年，這種趨勢會(huì )延續下去。

　　2019年，國內存儲器領(lǐng)域最大的突破將是自主研發(fā)的閃存量產(chǎn)，這將為整個(gè)行業(yè)帶來(lái)什么變化，現在仍未可知，但這一定會(huì )提升國內半導體行業(yè)的士氣，為今后的發(fā)展奠定堅實(shí)的一步。