中天弘宇：攻克核心設計缺陷 重建NOR閃存新生

閃存是當今數據存儲的重要介質(zhì)之一，主流的閃存體系有NAND和NOR兩種。不過(guò)隨著(zhù)半導體工藝不斷發(fā)展，相比于NAND技術(shù)的快速演進(jìn)，NOR技術(shù)似乎在幾年前工藝就遲滯不前，因為存在部分設計缺陷而讓NOR閃存無(wú)法繼續跟進(jìn)先進(jìn)工藝成為了阻礙NOR閃存大規模應用的關(guān)鍵。經(jīng)過(guò)中天弘宇集成電路有限公司的潛心研發(fā)，NOR閃存的應用也許將重獲新生。 

“我們經(jīng)過(guò)了近十年的研發(fā)積累，完成了對原有NOR閃存架構的大膽創(chuàng )新，也可以說(shuō)是一個(gè)完全的顛覆。我們沿用了整個(gè)NOR的架構，但和英特爾最早發(fā)明的NOR完全不是一回事，我們有自己完整的知識產(chǎn)權和專(zhuān)利體系?！?/span> 中天弘宇集成電路有限公司執行董事長(cháng)趙涇生先生的開(kāi)場(chǎng)白顯得非常自豪，“我們對NOR閃存架構設計進(jìn)行了全新的改進(jìn)，從而克服了固有的設計缺陷，這點(diǎn)連Intel都非常震驚，通過(guò)我們的架構設計完全可以讓NOR閃存進(jìn)入到65nm甚至28nm以下的工藝?！?/span> 

相比于更適合大容量應用的NAND閃存，NOR閃存的讀取速度要快得多，非常適合芯片內的存儲應用，但限于工藝制程，NOR閃存的應用市場(chǎng)比起千億級的NAND閃存要小得多，很多芯片內還在采用DRAM+NAND的方式代替。中天弘宇的技術(shù)突破將讓NOR閃存變得更具競爭力，通過(guò)取代DRAM+NAND的方式可以為芯片帶來(lái)更高讀取速度和更低的內存讀取功耗，而后者現在已經(jīng)成為芯片整體功耗中非常關(guān)鍵的一環(huán)。難怪趙涇生先生感嘆，“通過(guò)解決了壽命和工藝兩大問(wèn)題，擺在我們面前的將是千億美元規模的未來(lái)的NOR市場(chǎng)！” 

如此具有突破意義的技術(shù)創(chuàng )新將會(huì )帶來(lái)哪些產(chǎn)品的創(chuàng )新? 趙涇生先生介紹中天弘宇目前主要的工作有兩個(gè)方面，一個(gè)是繼續優(yōu)化NOR內存的設計，并通過(guò)和代工廠(chǎng)的合作進(jìn)行試生產(chǎn)，從而提供給部分客戶(hù)成品的NOR閃存進(jìn)行測試和設計選用，未來(lái)希望能夠廣泛應用到客戶(hù)的設計中。另一方面，為了給更多對此產(chǎn)品持有懷疑態(tài)度的客戶(hù)展示NOR產(chǎn)品的強大性能，中天弘宇研發(fā)了一款ARM架構的MCU，其核心特點(diǎn)就是通過(guò)選用自己的NOR閃存能夠把電壓從1.65V降到1V，從而大幅降低MCU的功耗，實(shí)現性能的全新突破。 

光有產(chǎn)品并不是中天弘宇集成電路有限公司的全部計劃，他們未來(lái)還計劃推出各種專(zhuān)利授權的模式和各種不同的客戶(hù)合作。，趙涇生先生表示，“我們將采取多種合作方式推廣NOR閃存技術(shù)，不僅推出各種產(chǎn)品，而且還可以對客戶(hù)進(jìn)行專(zhuān)利授權和共同開(kāi)發(fā)等方式，讓更多客戶(hù)通過(guò)介入設計環(huán)節進(jìn)行產(chǎn)品的定制化創(chuàng )新，帶來(lái)更多的競爭優(yōu)勢”。

 趙涇生先生在論壇上還透露了中天弘宇的愛(ài)國情懷，“我們中國公司攻克了NOR閃存的技術(shù)缺陷并掌握了核心技術(shù)專(zhuān)利，我們也希望將NOR閃存的生產(chǎn)工藝專(zhuān)利留在中國，因此我們選擇的是中芯國際和華虹宏力兩家代工廠(chǎng)進(jìn)行工藝開(kāi)發(fā)合作。通過(guò)和上下游合作伙伴一起進(jìn)行制造和工藝攻關(guān)，邁出中國閃存更大的一步，提升我國芯片自主化水平?！?/span>

我們真的可以自豪的說(shuō)，中天弘宇的突破創(chuàng )新讓未來(lái)的NOR閃存的產(chǎn)業(yè)主導權將全面掌握在中國企業(yè)手中，屆時(shí)中國的IC設計產(chǎn)業(yè)將會(huì )比國外競爭對手搶占更高的NOR閃存設計先機。