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super junction mosfet 文章 進(jìn)入super junction mosfet技術(shù)社區
業(yè)內最低導通電阻MOSFET
- Vishay Intertechnology, Inc. 宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。這次推出的器件采用 SO-8 封裝，具有 ±20-V 柵源極電壓以及業(yè)內最低的導通電阻。 現有的同類(lèi) SO-8 封裝器件額定電壓下導通電阻僅低至 24 mΩ ，而Vishay的 Si7633DP 具有 3.3 mΩ （在 10 V
- 關(guān)鍵字： MOSFET
Diodes自保護式MOSFET節省85%的占板空間
- Diodes公司擴展其IntelliFET產(chǎn)品系列，推出全球體積最小的完全自保護式低壓側MOSFET。該ZXMS6004FF元件采用2.3 mm x 2.8mm扁平SOT23F封裝，與正在使用的7.3 mm x 6.7mm SOT223封裝的元件相比節省了85%的占板空間。 雖然SOT23F的扁平封裝體積小巧，但其卓越的散熱性能可使ZXMS6004FF提供三倍于同類(lèi)較大封裝元件的封裝功率密度。這款最新IntelliFET的導通電阻僅為500m?，能夠使功耗保持在絕對極小值。 ZXMS
- 關(guān)鍵字： Diodes MOSFET ZXMS6004FF
IR推出具有高封裝電流額定值的全新溝道型HEXFET功率MOSFET系列
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò )家園
- 關(guān)鍵字： InternationalRectifier HEXFET MOSFET
基于漏極導通區特性理解MOSFET開(kāi)關(guān)過(guò)程
- 本文先介紹了基于功率MOSFET的柵極電荷特性的開(kāi)關(guān)過(guò)程；然后介紹了一種更直觀(guān)明析的理解功率MOSFET開(kāi)關(guān)過(guò)程的方法：基于功率MOSFET的導通區特性的開(kāi)關(guān)過(guò)程，并詳細闡述了其開(kāi)關(guān)過(guò)程。
- 關(guān)鍵字： MOSFET 漏極 導通 開(kāi)關(guān)過(guò)程
如何進(jìn)行OLED電源設計
- 有些設計者為了追求較高的轉換效率, 選擇了升壓方式，產(chǎn)生一組高于輸入的穩定輸出, 如圖三的升壓架構。由于功率開(kāi)關(guān)MOSFET是外置的, 可提供較大的輸出功率。在輸出功率許可的條件下，也可以選擇內置MOSFET功率開(kāi)關(guān)的升壓轉換器，如MAX1722, 可有效節省空間、降低成本。 手機Vdd解決方案 對于手機Vdd，可以選擇Buck電路提供所需要的電壓。圖四便是一個(gè)內置MOSFET功率開(kāi)關(guān)的同步降壓結構，可提供400mA的輸出電流。工作頻率高達1.2MHz, 允許設計者選用小尺寸的電感和輸出電容,
- 關(guān)鍵字： MOSFET 電源 OLED
尺寸縮小對溝槽MOSFET性能的影響
- 0 引言 近幾年，隨著(zhù)電子消費產(chǎn)品需求的日益增長(cháng)，功率MOSFET的需求也越來(lái)越大。其中，TMOS由于溝道是垂直方向，在相同面積下，單位元胞的集成度較高，因此導通電阻較低，同時(shí)又具有較低的柵－漏電荷密度、較大的電流容量，從而具備了較低的開(kāi)關(guān)損耗及較快的開(kāi)關(guān)速度，被廣泛地應用在低壓功率領(lǐng)域。 低壓TMOS的導通電阻主要是由溝道電阻和外延層電阻所組成，為了降低導通電阻，同時(shí)不降低器件其他性能，如漏源擊穿電壓，最直接的辦法是減少相鄰元胞的間距，在相同的面積下，增加元胞的集成度?；诖?，本文借助了溝槽
- 關(guān)鍵字： MOSFET
安森美半導體推出8款新器件用于消費和工業(yè)應用
- 2008年11月13日 – 全球領(lǐng)先的高性能、高能效硅解決方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出8款新的MOSFET器件，專(zhuān)門(mén)為中等電壓開(kāi)關(guān)應用而設計。這些MOSFET非常適用于直流馬達驅動(dòng)、LED驅動(dòng)器、電源、轉換器、脈寬調制(PWM)控制和橋電路中，這些應用講究二極管速度和換向安全工作區域(SOA)，安森美半導體的新MOSFET器件提供額外的安全裕量，免應用受未預料的電壓瞬態(tài)影響。 這些新的60伏(V)器件均是單N溝道MOS
- 關(guān)鍵字： 安森美半導體 MOSFET
Diodes推出新型功率MOSFET優(yōu)化低壓操作
- Diodes Incorporated全面擴展旗下的功率MOSFET產(chǎn)品系列，加入能夠在各種消費、通信、計算及工業(yè)應用中發(fā)揮負載和切換功能的新型器件。新器件涵蓋Diodes和Zetex產(chǎn)品系列，包括27款30V邏輯電平、9款20V低閾值的N、P和采用不同工業(yè)標準封裝的互補MOSFET。 這些新型功率MOSFET采用SOT323、SOT23、SOT26和SO8形式封裝，引腳和占位面積與現有器件兼容，性?xún)r(jià)比具有競爭優(yōu)勢，不僅能減少物料清單，還能在無(wú)需額外成本的情況下提升性能。新器件可用于DC/DC轉
- 關(guān)鍵字： Diodes MOSFET
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