業(yè)內最低導通電阻MOSFET

　　Vishay Intertechnology, Inc. 宣布推出新型 20-V 和 30-V p-通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Si7633DP和Si7135DP。這次推出的器件采用 SO-8 封裝，具有 ±20-V 柵源極電壓以及業(yè)內最低的導通電阻。

　　現有的同類(lèi) SO-8 封裝器件額定電壓下導通電阻僅低至 24 mΩ ，而Vishay的 Si7633DP 具有 3.3 mΩ （在 10 V 時(shí)）及 5.5 mΩ （在4.5 V 時(shí)）的超低導通電阻。這些值比最接近的同類(lèi) 30-V 器件低 27%（在 10 V 時(shí)）和 28% （在4.5 V 時(shí)），比最接近的同類(lèi) 25-V SO-8 器件分別低 28% 和 15%。30-V Si7135DP 的導通電阻為 3.9 mΩ（在 10 V 時(shí)） 和 6.2 mΩ（在4.5 V 時(shí)），比最接近的同類(lèi)器件分別低 13% （在 10 V 時(shí)）和 19.5% （在4.5 V 時(shí)）。

　　這次推出的兩款 MOSFET均采用 PowerPAK  
® SO-8 封裝，可容許比其它 SO-8 封裝器件高 60% 的最大漏電流和高 75 % 的最大功率損耗。

　　這兩款新型器件可用作適配器切換開(kāi)關(guān)，用于筆記本電腦及工業(yè)/通用系統中的負載切換應用。適配器切換開(kāi)關(guān)（在適配器/墻壁電源和電池電源間切換）一直處于導通狀態(tài)，消耗電流。Si7633DP 和Si7135DP的低導通電阻能耗低，節省電力并延長(cháng)兩次充電間的電池可用時(shí)間。

　　Vishay 還推出了采用 SO-8 封裝的 Si4459ADY 30-V p-通道 TrenchFET 功率 MOSFET。該器件具有 5 mΩ（在 10 V 時(shí)）和 7.75 mΩ（在4.5 V 時(shí)）的導通電阻。此次推出的所有器件 100% 通過(guò) Rg 和 UIS 認證，且不含鹵素。