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super junction mosfet
super junction mosfet 文章 進(jìn)入super junction mosfet技術(shù)社區
Maxim推出低電壓、降壓調節器
- Maxim推出內置升壓開(kāi)關(guān)的低電壓、降壓調節器MAX17083。該器件專(zhuān)為空間緊張的應用而設計，在微小的16mm² TQFN封裝中集成了雙路n溝道MOSFET功率開(kāi)關(guān)。內部25mΩ、低邊功率MOSFET能夠提供高達5A的持續負載電流，在保證高效率的同時(shí)減少了元件數量。MAX17083無(wú)需外部肖特基二極管以及外部升壓二極管，進(jìn)一步節省了空間和成本。這款小型降壓調節器理想用于超便攜移動(dòng)PC (UMPC)、上網(wǎng)本、便攜式游戲機及其它緊湊的低功耗應用。 MAX17083采用電流模式
- 關(guān)鍵字： Maxim 降壓調節器 MAX17083 MOSFET
英飛凌推出OptiMOS 3 75V功率MOSFET系列
- 今日在深圳舉辦的中國國際電源展覽會(huì )上，英飛凌科技宣布推出OptiMOS™ 3 75V功率MOSFET系列。全新推出的這個(gè)產(chǎn)品系列具備業(yè)內領(lǐng)先的導通電阻(RDS(on))和品質(zhì)因素(FOM, Qg * RDS(on))特性，可在任何負載條件下，降低開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)、電機控制和快速開(kāi)關(guān)D類(lèi)功放等電源產(chǎn)品的功率損耗并改善其整體能效。 OptiMOS™ 3 75V功率MOSFET系列，是交流/直流開(kāi)關(guān)模式電源(譬如面向全球市場(chǎng)的臺式機和計算機服務(wù)器裝備的電源)的同步整流的
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 MOSFET OptiMOS SMPS
IR推出AUIRS2003S 200V IC
- 國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出AUIRS2003S 200V IC，適用于低、中、高壓汽車(chē)應用，包括汽車(chē)預電充開(kāi)關(guān)、步進(jìn)驅動(dòng)器和DC-DC轉換器。 AUIRS2003S符合AEC-Q100標準，是一款堅固耐用、靈活的高速功率MOSFET驅動(dòng)器，并備有高、低側參考輸出通道，適用于惡劣的汽車(chē)環(huán)境及引擎罩下的應用。這款輸出驅動(dòng)器具有高脈沖電流緩沖級，可將驅動(dòng)器跨導降至最低，而浮動(dòng)通道可在最高200V的高側配置中驅動(dòng)一個(gè) N 溝道功率MOSFET。
- 關(guān)鍵字： IR MOSFET 驅動(dòng)器IC
IR推出增強型25V及30V MOSFET
- 全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠(chǎng)商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出一系列新型 25V 及 30V N通道溝道 HEXFET 功率 MOSFET 。它們針對同步降壓轉換器和電池保護增強了轉換性能，適用于消費和網(wǎng)絡(luò )領(lǐng)域的計算應用。 新 MOSFET 系列采用了 IR 經(jīng)過(guò)驗證的硅技術(shù)，可提供基準通態(tài)電阻 (RDS(on)) ，并且提高了轉換性能。新器件的低傳導損耗改善了滿(mǎn)載效率及熱性能，即使在輕負載條件下，低轉換損耗也有助于實(shí)現高效率
- 關(guān)鍵字： IR MOSFET 硅技術(shù)
MOSFET封裝節省占板空間并提高充電器性能
- Diodes公司應用的高熱效率、超小型DFN封裝的雙器件組合技術(shù),推出便攜式充電設備的開(kāi)關(guān)。 Diodes 亞太區技術(shù)市場(chǎng)總監梁后權先生指出，DMS2220LFDB和 DMS2120LFWB把一個(gè)20V的P溝道增強模式MOSFET與一個(gè)配套二極管組合封裝，提供2mm x 2mm DFN2020及3mm x 2mm DFN3020兩種封裝以供選擇。DMP2160UFDB則把兩個(gè)相同的MOSFET組合封裝成DFN2020形式。 與傳統便攜式應用設計中常用的體積較大的3mm x 3mm封裝相
- 關(guān)鍵字： Diodes MOSFET DFN封裝
飛兆推出可將導通電阻降低50％的100V MOSFET
- 飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 為隔離式DC-DC應用設計人員提供一款新型100V MOSFET器件FDMS86101，具有低達50% 的RDS(ON) 和出色的品質(zhì)因數 (figure of merits, FOM)，有效提高電源設計的效率。FDMS86101是采用5mm x 6mm MLP Power56 封裝的100V MOSFET器件，使用了飛兆半導體先進(jìn)的PowerTrench® 工藝技術(shù)，能夠最大限度地減小導通阻抗，同時(shí)保持優(yōu)良的開(kāi)關(guān)性能和穩健性
- 關(guān)鍵字： Fairchild MOSFET
IR推出新型邏輯電平溝道MOSFET
- 全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠(chǎng)商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出新系列邏輯電平柵極驅動(dòng)溝道HEXFET功率MOSFET。該器件具有基準通態(tài)電阻 (RDS(on)) 和高封裝電流額定值，適用于高功率DC電機和電動(dòng)工具、工業(yè)電池及電源應用。 新系列基準MOSFET采用了IR最新的溝道技術(shù)，可在4.5V Vgs下實(shí)現非常低的RDS(on) ，顯著(zhù)改善了熱效率。此外，這些器件具有更高的電流額定值，多余瞬變可以帶來(lái)更多防護頻帶，并可減少由
- 關(guān)鍵字： IR 溝道 MOSFET
Maxim推出雙通道、Quick-PWM?、降壓控制器
- Maxim推出具有同步整流的雙通道、Quick-PWM降壓控制器MAX17031，用于為電池供電系統產(chǎn)生5V/3.3V電源。器件內置100mA線(xiàn)性穩壓器，以產(chǎn)生上電或其它低功耗、“常備電路”所需的5V偏置電壓?？刂破鬟€包含一路低電流(5mA)，“始終開(kāi)啟”的線(xiàn)性穩壓器，當筆記本電腦的其它所有調節器關(guān)閉時(shí)為實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC)供電。MAX17031能夠為筆記本電腦、便攜式PC及其它便攜式設備提供完整的、節省空間的電源方案。 器件采用低邊MOSFET
- 關(guān)鍵字： Maxim MOSFET 控制器
飛兆半導體推出具有業(yè)界最低RDS(ON) 的20V MicroFET? MOSFET
- 飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 為便攜應用的設計人員帶來(lái)具有業(yè)界最低RDS(ON) 的20V 2mm x 2mm x 0.55mm 薄型MicroFET MOSFET器件。FDMA6023PZT是采用緊湊、薄型封裝的雙P溝道MOSFET，能夠滿(mǎn)足便攜設計的嚴苛要求，采用延長(cháng)電池壽命的技術(shù)，實(shí)現更薄、更小的應用。FDMA6023PZT采用超薄的微型引線(xiàn)框架的MicroFET 封裝，相比傳統的MOSFET，它具有出色的熱阻，能提供超卓的功率耗散，并可減少傳導損耗。該器件采
- 關(guān)鍵字： Fairchild MOSFET
Diodes 推出全新OR'ing 控制器
- Diodes 公司推出有源OR'ing控制器芯片ZXGD3102，使共享式電源系統的設計人員能以高效MOSFET取代散熱阻流二極管，從而在對正常運行時(shí)間要求苛刻的電信、服務(wù)器及大型機應用中，實(shí)現更低溫度的運行、更少的維護和更可靠的操作。 Diodes 亞太區技術(shù)市場(chǎng)總監梁后權表示，傳統上用于電源故障保護的肖特基阻流二極管的熱耗散很高，這與其很強的0. 5V 正向壓降有直接關(guān)系。如果用典型正向電壓低于100mV的導通電阻較低的MOSFET替代二極管，功耗將明顯減少。ZXGD3102正是為了控
- 關(guān)鍵字： Diodes MOSFET
飛兆半導體的柵極驅動(dòng)器提高汽車(chē)的燃油效率
- 飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 為設計人員提供一系列能夠提升汽車(chē)應用功耗、噪聲免疫能力和瞬態(tài)電壓性能的柵極驅動(dòng)器FAN7080x系列，讓工程師開(kāi)發(fā)出在所有操作條件下更準確、精密的燃油噴射控制系統，從而提高燃油效率。這些柵極驅動(dòng)器在高邊和橋驅動(dòng)器應用中驅動(dòng) MOSFET 和 IGBT，如直接燃油噴射系統和電機控制。與市場(chǎng)上同類(lèi)器件相比，它們的靜態(tài)功耗減少一半以上 (靜態(tài)電流100µA對比240µA)，容許設計人員優(yōu)化系統和擴大工作范圍。這些產(chǎn)品
- 關(guān)鍵字： Fairchild 柵極驅動(dòng)器 MOSFET IGBT
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