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super junction mosfet 文章 進(jìn)入super junction mosfet技術(shù)社區
使用功率MOSFET封裝技術(shù)解決計算應用的高功耗問(wèn)題
- 對于主板設計師來(lái)說(shuō)，要設計處理器電壓調節模塊(VRM)來(lái)滿(mǎn)足計算機處理器永無(wú)止境的功率需求實(shí)在是個(gè)大挑戰。Pentium 4處理器要求VRM提供的電流提高了約3倍。英特爾將其VRM指標從8.4版本升級到9.0版本，涵蓋了新的功率要求，以繼續追隨摩爾(Moore)定律。 在過(guò)去的10年間，VRM電流要求一直在增加，正如英特爾所公布的，IccMAX從VRM9.0中的60A發(fā)展成驅動(dòng)高端4核處理器的VRM11.0所要求的150A。與此同時(shí)，電流切換速率要求也有相當大的提高；芯片插座處的dI／dT從45
- 關(guān)鍵字： MOSFET VRM 英特爾 低功耗 芯片 PWB
瑞薩科技發(fā)布RQA0010和RQA0014高頻功率MOSFET器件
- 2008年5月26日,瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）今天宣布，推出和高頻功MOSFET，以實(shí)現業(yè)界最高功效級別*1 和IEC61000-4-2的4級ESD標準*2 的高可靠性。這些器件適用于手持式無(wú)線(xiàn)設備發(fā)射器的功率放大器。 這兩種產(chǎn)品可以放大轉換為高頻的音頻信號，以發(fā)射規定的輸出功率，并將該功率傳送給天線(xiàn)。1 W輸出的RQA0010的將從2008年8月開(kāi)始在日本提供樣品，0.25 W輸出的RQA0014樣品將于9月開(kāi)始提供。 這兩種產(chǎn)品具有以下特點(diǎn)。
- 關(guān)鍵字： 瑞薩科技 MOSFET 無(wú)線(xiàn)設備 發(fā)射器 功率放大器
高效能電源需求催生MOSFET變革創(chuàng )新 英飛凌專(zhuān)家詳解提升能效秘笈
- 環(huán)境污染、溫室效應、不可再生能源日趨枯竭……這些日益威脅人類(lèi)生存的難題已經(jīng)使全球有識之士認識到節能減排提高能效是未來(lái)科學(xué)技術(shù)活動(dòng)一項長(cháng)期的任務(wù)。正如英飛凌科技奧地利有限公司全球開(kāi)關(guān)電源高級市場(chǎng)經(jīng)理Thomas Schmidt所言：“能效不僅是個(gè)時(shí)髦詞匯，更是一個(gè)全球挑戰！”如何應對這項挑戰？各個(gè)半導體紛紛從半導體器件入手，幫助系統公司提升電源效率，這方面，英飛凌近年來(lái)動(dòng)作頻頻，近日，英飛凌公司高調發(fā)布其最新的OptiMOS 3系列低壓MOSFET，并
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 半導體 OptiMOS MOSFET 導通電阻 CanPAK封裝 DirectFET封裝 電源管理
運用MOSFET實(shí)現完美安全系統
- 車(chē)上所使用的燈泡到繼電器、從LED顯示照明到起動(dòng)馬達，許多組件的多元應用，不僅提供了各式各樣的高負載性、低成本效益的解決方案，另外也必須兼具注重安全性汽車(chē)所要求的通訊及診斷能力。因此，為了增加車(chē)上電子系統的可靠性及耐久性，除了降低維修成本之外，設計人員在功率器件中加入故障保護電路，才能避免組件發(fā)生故障，降低電子系統所造成損害。 另外，在一般汽車(chē)行駛的情況下，一旦出現了車(chē)上的組件出現故障狀況，將導致汽車(chē)上的電路系統發(fā)生短路，或電源無(wú)法供電。在遠程傳感器中采用車(chē)用金屬氧化半導體場(chǎng)效晶體管（Metal
- 關(guān)鍵字： MOSFET 安全系統
MOSFET開(kāi)關(guān)軌跡線(xiàn)的示波器重現方法
- MOSFET的開(kāi)關(guān)軌跡線(xiàn)是判斷MOSFET開(kāi)關(guān)過(guò)程“軟硬”程度的重要評估指標，MOSFET的軟硬程度對于開(kāi)關(guān)電源的性...
- 關(guān)鍵字： MOSFET 損耗 開(kāi)關(guān) 動(dòng)態(tài) 截至 飽和
Intersill推出新型大電流MOSFET柵極驅動(dòng)器
- Intersil公司宣布推出高頻 6A 吸入電流同步（sink synchronous） MOSFET 柵極驅動(dòng)器 ISL6615 和 ISL6615A 。這些新器件有助于為系統安全提供更高的效率、靈活性和更多的保護功能。 Intersil 公司此次推出的新型驅動(dòng)器增加了柵極驅動(dòng)電流（ UGATE 的流出和吸入柵極驅動(dòng)電流為 4A ，LGATE 的吸入和流出電流則分別為 6A 和 4A ），可以縮短柵極電壓上升、下降時(shí)間。這將最大限度地降低開(kāi)關(guān)損耗并改善效率，尤其是在每相并聯(lián)功率MOSFET 的
- 關(guān)鍵字： Intersil MOSFET 驅動(dòng)器 柵極驅動(dòng)電流
大功率寬帶射頻脈沖功率放大器設計
- 大功率線(xiàn)性射頻放大器模塊廣泛應用于電子對抗、雷達、探測等重要的通訊系統中，其寬頻帶、大功率的產(chǎn)生技術(shù)是無(wú)線(xiàn)電子通訊系統中的一項非常關(guān)鍵的技術(shù)。隨著(zhù)現代無(wú)線(xiàn)通訊技術(shù)的發(fā)展，寬頻帶大功率技術(shù)、寬頻帶跳頻、擴頻技術(shù)對固態(tài)線(xiàn)性功率放大器設計提出了更高的要求，即射頻功率放大器頻率寬帶化、輸出功率更大化、整體設備模塊化。 通常情況下，在HF~VHF頻段設計的寬帶射頻功放，采用場(chǎng)效應管(FET)設計要比使用常規功率晶體管設計方便簡(jiǎn)單，正是基于場(chǎng)效應管輸入阻抗比較高，且輸入阻抗相對頻率的變化不會(huì )有太大的偏差，易
- 關(guān)鍵字： 放大器 寬帶射頻 MOSFET
Zetex推出全新ZXGD3000雙極柵極驅動(dòng)器系列
- Zetex Semiconductors (捷特科) 推出全新ZXGD3000雙極柵極驅動(dòng)器系列，用于開(kāi)關(guān)電源和電機驅動(dòng)器中的MOSFET及IGBT。低成本的ZXGD3000系列能灌入高達9A的電流，柵極電容的充、放電速度比柵極驅動(dòng)器IC更快，有助于加快開(kāi)關(guān)時(shí)間，提高電路效率。 該系列包含4款高速非反向柵極驅動(dòng)器，電源電壓范圍為12V至40V。其快速開(kāi)關(guān)射極跟隨器配置，實(shí)現了小于2ns的傳播延遲和大約10ns的上升/下降時(shí)間，有效改善了對MOSFET開(kāi)關(guān)性能的控制。ZXGD3000還能防止鎖定，
- 關(guān)鍵字： Zetex ZXGD3000 MOSFET IGBT
讀取隔離端數字狀態(tài)無(wú)需附加電源(06-100)
- 電子系統常常要求其輸入電路或輸出電路必須與主控回路的進(jìn)行隔離,比如在醫療產(chǎn)品中，基于安全性考慮，連接到病人身上的輸入傳感器或激勵源必須與后級處理電路隔離,當然需要隔離的應用場(chǎng)合還很多，如采集爆炸現場(chǎng)參數的電路同樣需要與后級完全隔離，等等。 在這些應用中,通常需要采集被隔離電路的數字線(xiàn)上的一些狀態(tài)參數, 傳統的辦法是采用光耦得以實(shí)現.然而采用光耦有許多局限性:首先,它要消耗隔離端電路許多電流,其次轉換時(shí)間長(cháng)(或動(dòng)態(tài)響應慢)，再者,隨著(zhù)光發(fā)射器老化，其光電轉換增益將隨時(shí)間減小。 采用圖1所示電
- 關(guān)鍵字： Maxim MOSFET RC DATA_IN
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