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super junction mosfet 文章 進(jìn)入super junction mosfet技術(shù)社區
MOSFET的開(kāi)關(guān)速度將決定未來(lái)POL電源的性能
- 一個(gè)采用DirectFET MOSFET并基于四相同步整流器的VRM能夠于高達2MHz/相位下工作，并提供120A電流，且滿(mǎn)足負載點(diǎn)電源的瞬態(tài)響應要求。 與十年之前以單元密度和導通電阻作為器件設計的主要考慮因素相比，功率MOSFET技術(shù)在發(fā)展方向上正經(jīng)歷著(zhù)一場(chǎng)重大的變革。如今，并在可以預見(jiàn)的未來(lái)，開(kāi)關(guān)速度正在逐步成為負載點(diǎn)（POL）電源應用的決定性因素。對于工作電壓為1V或以下且對時(shí)鐘速度和電流需求更高的下一代微處理器而言，開(kāi)關(guān)速度是滿(mǎn)足其供電要求的關(guān)鍵因素。電源的性能將取決于功率MOSFET
- 關(guān)鍵字： MOSFET 模擬IC 電源
新型IGBT/MOSFET驅動(dòng)模塊SKHI22A/B
- SKHI22A/B是德國西門(mén)康（SEMIKRON）公司推出的一種新型的IGBT/MOSFET的驅動(dòng)模塊。
- 關(guān)鍵字： SKHI22A/B 模塊 驅動(dòng) IGBT/MOSFET 新型
基于SG3525A的太陽(yáng)能逆變電源設計
- 摘 要：本文主要介紹了SG3525A在研制太陽(yáng)能逆變電源中的應用，其脈沖波形隨設計線(xiàn)路的不同而產(chǎn)生不同的結果，從而解決了隨機燒毀功率管的技術(shù)問(wèn)題。關(guān)鍵詞：SG3525A；逆變電源；MOSFET-90N10引言本文涉及的是光明工程中一個(gè)課題的具體技術(shù)問(wèn)題。該課題的基本原理是逆變器由直流蓄電池供電，用太陽(yáng)能為蓄電池充電，然后逆變電源輸出220V、50Hz的交流電供用戶(hù)使用。在研制過(guò)程中，有時(shí)隨機出現燒毀大功率管的現象，本文對這一現象給出了解決方案。圖1 SG35
- 關(guān)鍵字： MOSFET-90N10 SG3525A 逆變電源 模擬IC 電源
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