飛兆半導體推出業(yè)界最薄的MicroFET? (0.55mm) MOSFET

　　飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新超薄的高效率MicroFET產(chǎn)品FDMA1027，滿(mǎn)足現今便攜應用的尺寸和功率要求。FDMA1027是20V P溝道PowerTrench® MOSFET，FDFMA2P853則是20V P溝道PowerTrench® MOSFET，帶有肖特基二極管，并采用2mm x 2mm x 0.55mm MLP封裝。相比低電壓設計中常用的3mm x 3mm x 1.1mm MOSFET，新產(chǎn)品的體積減小55%、高度降低50%。這種薄型封裝選項可滿(mǎn)足下一代便攜產(chǎn)品如手機的超薄外形尺寸需求。

　　FDMA1027和FDFMA2P853專(zhuān)為更高效率而設計，能夠解決影響電池壽命的豐富功能的功率挑戰。這些器件采用飛兆半導體專(zhuān)有的PowerTrench® MOSFET工藝，能降低傳導和開(kāi)關(guān)損耗，提供卓越的功率消耗和降低傳導損耗。與采用2mm x 2mm SC-70封裝類(lèi)似尺寸的器件比較，FDMA1027和FDFMA2P853提供更低的傳導損耗 (降低約60%)，并且能夠耗散1.4W功率，而SC-70封裝器件的功率消耗則為300mW。

　　飛兆半導體的MicroFET系列提供了具吸引力的優(yōu)勢如緊湊型封裝和高性能，能夠滿(mǎn)足電池充電、負載轉換、升壓和DC-DC轉換的需求。

　　FDMA1027和FDFMA2P853采用無(wú)鉛 (Pb-free) 端子，潮濕敏感度符合IPC/JEDEC J-STD-020標準對無(wú)鉛回流焊的要求。所有飛兆半導體產(chǎn)品均滿(mǎn)足歐盟有害物質(zhì)限用指令 (RoHS) 的要求。

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