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super junction mosfet
super junction mosfet 文章 進(jìn)入super junction mosfet技術(shù)社區
帶有集成MOSFET的6A雙同步降壓穩壓器
- Intersil公司的ISL65426是一款高效率雙輸出單向同步降壓穩壓器，輸入電壓范圍為2.375V至5.5V。該單芯片電源解決方案提供2個(gè)輸出電壓，可以在1V至電壓電源的80%的范圍內進(jìn)行選擇或者進(jìn)行外部調節，并且總輸出電流高達6A。2個(gè)PWM是180o異相同步的，降低了EMI和有效值輸入電流與紋波電壓。 ISL65426的獨特電源模塊架構允許對6個(gè)電流高達1A的模塊進(jìn)行分配，以便支持4個(gè)輸出配置選項之一。一個(gè)主電源模塊與各個(gè)同步轉換器通道相關(guān)聯(lián)。4個(gè)浮動(dòng)從電源模塊允許用戶(hù)將其分配給任一條通
- 關(guān)鍵字： MOSFET 電源技術(shù) 模擬技術(shù) 雙同步降壓穩壓器
ZETEX推出帶診斷功能的自保護MOSFET ZXMS6002/3
- ZXMS6002/3是采用SOT223封裝的低端自保護MOSFET，它可通過(guò)獨立狀態(tài)引腳提供診斷反饋，有效地提高汽車(chē)和工業(yè)性高壓系統的可靠性。 最新ZXMS6002G及ZXMS6003G器件是Zetex公司IntelliFET產(chǎn)品系列的新成員，均屬于60V、500mΩ 額定值的N溝道器件，特別適用于高浪涌電流的開(kāi)關(guān)負載，如電燈、電機及電磁鐵。 ZXMS6002G具有針對過(guò)熱、過(guò)流和過(guò)壓故障的保護功能，可提供正常、限流和熱關(guān)斷等不同模式的模擬指示，無(wú)需外部元件。這種診斷功能有助于實(shí)現智能的
- 關(guān)鍵字： MOSFET ZXMS6002/3 工業(yè)控制 工業(yè)控制
Zetex推出首款采用SOT223封裝的低端自保護MOSFET
- Zetex Semiconductors (捷特科) 公司推出首款采用SOT223封裝的低端自保護MOSFET，它可通過(guò)獨立狀態(tài)引腳提供診斷反饋，有效地提高汽車(chē)和工業(yè)性高壓系統的可靠性。 最新ZXMS6002G及ZXMS6003G器件是Zetex公司IntelliFET產(chǎn)品系列的新成員，均屬于60V、500mΩ 額定值的N溝道器件，特別適用于高浪涌電流的開(kāi)關(guān)負載，如電燈、電機及電磁鐵。 ZXMS6002G具有針對過(guò)熱、過(guò)流和過(guò)壓故障的保護功能，可提供正常、限流和熱關(guān)斷等不同模
- 關(guān)鍵字： MOSFET Zetex 單片機 嵌入式系統 封裝
飛兆推出 200V/250V的PowerTrench工藝MOSFET
- 飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新的FDB2614 (200V) 和 FDB2710 (250V) N溝道MOSFET，這兩款產(chǎn)品經(jīng)專(zhuān)門(mén)設計，可為等離子體顯示板 (PDP) 應用提供業(yè)界領(lǐng)先的系統效率和優(yōu)化的占位空間。利用飛兆半導體專(zhuān)利的PowerTrench® 工藝技術(shù)，這些MOSFET比較市場(chǎng)上同類(lèi)型器件提供最低的導通阻抗RDS(on) (FDB2614的典型值為22.9毫歐；FDB2710的典型值為36.3 毫歐)。超低的RDS(on) 加上極低
- 關(guān)鍵字： MOSFET 單片機 飛兆 嵌入式系統
RF功率MOSFET產(chǎn)品及其工藝開(kāi)發(fā)
- 摘 要：本文簡(jiǎn)述了RF 功率 MOSFET器件的應用，分析了以L(fǎng)DMOSFET工藝為基礎的RF 功率 MOSFET的功能特性、產(chǎn)品結構和制造工藝特點(diǎn)。文中結合6寸芯片生產(chǎn)線(xiàn)，設計了產(chǎn)品的制造工藝流程，分析了制造工藝的難點(diǎn)，并提出了解決方案。關(guān)鍵詞：RF 功率 MOSFET；LDMOSFET；器件結構；制造工藝 引言RF 功率 MOSFET的最大應用是無(wú)線(xiàn)通訊中的RF功率放大器。直到上世紀90年代中期，RF功率MOSFET還都是使用硅雙極型晶體管或GaAs MOSFET
- 關(guān)鍵字： LDMOSFET MOSFET RF RF專(zhuān)題 電源技術(shù) 功率 模擬技術(shù) 器件結構 制造工藝
Zetex新型MOSFET適用于超低柵極驅動(dòng)操作
- 模擬信號處理及功率管理解決方案供應商 Zetex Semiconductors 近日推出三款為有限驅動(dòng)電壓應用設計的N 溝道增強模式 MOSFET。 這三款新產(chǎn)品分別為 20V 的ZXMN2B03E6 （SOT236封裝）、ZXMN2B14FH和ZXMN2B01F（兩者均為SOT23封裝）。這些器件均具有1.8VGS條件下的低損耗開(kāi)關(guān)功能，可以使用兩個(gè)1.2V 電池或一個(gè)鋰離子電池驅動(dòng)。其超低柵極驅動(dòng)意味著(zhù)可
- 關(guān)鍵字： MOSFET Zetex 超低柵極驅動(dòng) 電源技術(shù) 模擬技術(shù)
飛兆半導體推出光隔離 MOSFET 柵極驅動(dòng)器
- 能夠驅動(dòng)工業(yè)應用中高達 30A/1200V 的 MOSFET FOD3180/FOD3181與飛兆半導體領(lǐng)先業(yè)界的功率產(chǎn)品系列相輔相成， 為設計人員提供由毫瓦至千瓦的完整功率解決方案 飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 領(lǐng)先業(yè)界的功率產(chǎn)品系列又添新成員，宣布推出高頻光隔離MOSFET柵極驅動(dòng)器系列的全新產(chǎn)品，能夠在工業(yè)應用中驅動(dòng)高達30A/1200V的MOSFET。FOD3180 (2A) 和F
- 關(guān)鍵字： MOSFET 單片機 飛兆半導體 光隔離 嵌入式系統 柵極驅動(dòng)器
常用MOSFET技術(shù)參數
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò )家園
- 關(guān)鍵字： MOSFET
英飛凌推出新一代MOSFET節能器件
- 英飛凌推出新一代MOSFET節能器件，助力電源制造商實(shí)現能效目標 英飛凌科技股份公司（FSE/NYSE：IFX）日前發(fā)布應用于計算機、電信設備和消費電子產(chǎn)品的直流/直流變換器的新一代功率半導體產(chǎn)品家族。全新的OptiMOS® 3 30V N溝道MOSFET家族可使標準電源產(chǎn)品的可靠性和能源效率提高1%至1.3%，并在導通電阻、功率密度和門(mén)極電荷等主要功率轉換指標上達到業(yè)界領(lǐng)先水平。 許多電源產(chǎn)品，如用于服務(wù)器、筆記本電腦、等離子或液晶電視以及游戲機的電源產(chǎn)
- 關(guān)鍵字： MOSFET 電源技術(shù) 節能器件 模擬技術(shù) 英飛凌
單芯片大電流同步降壓方案助力簡(jiǎn)化電源設計
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- 關(guān)鍵字： MOSFET
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super junction mosfet介紹
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