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賽普拉斯推出全球首批低功耗異步SRAM
- 賽普拉斯半導體公司（納斯達克股票代碼：CY）日前宣布推出具有 32 位總線(xiàn)寬度的 128 Mb、64 Mb 和 32 Mb MoBL （更長(cháng)電池使用壽命）異步 SRAM。這些器件的推出進(jìn)一步豐富了賽普拉斯業(yè)界領(lǐng)先的 SRAM 產(chǎn)品系列（包括高性能同步、異步和微功耗器件）。這些全新 MoBL SRAM 與 32 位 DSP、FPGA 和處理器配合使用可顯著(zhù)提升系統性能，從而充分滿(mǎn)足電信、計算機、外設、消費類(lèi)產(chǎn)品、醫療、軍事等領(lǐng)域的應用需求。
- 關(guān)鍵字： 賽普拉斯 SRAM
Finfet+平面型架構混合體：傳Intel近期將公布22nm節點(diǎn)制程工藝細節
- 據消息來(lái)源透露，Intel公司近期可能會(huì )公開(kāi)其22nm制程工藝的部分技術(shù)細節，據稱(chēng)Intel的22nm制程工藝的SRAM部分將采用FinFET垂 直型晶體管結構，而邏輯電路部分則仍采用傳統的平面型晶體管結構。消息來(lái)源還稱(chēng)Intel“很快就會(huì )”對外公開(kāi)展示一款基于這種22nm制程的處理器實(shí) 物。不過(guò)記者詢(xún)問(wèn)Intel發(fā)言人后得到的答復則是:"我們不會(huì )對流言或猜測進(jìn)行評論。" 盡管早在2009年Intel高管Mark Bohr便曾公開(kāi)過(guò)其22nm制程SRA
- 關(guān)鍵字： Intel 22nm SRAM
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