EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
sram
sram 文章 進(jìn)入sram 技術(shù)社區
高速數據采集系統中的存儲與傳輸控制邏輯設計
- 隨著(zhù)信息科學(xué)的飛速發(fā)展，數據采集和存儲技術(shù)廣泛應用于雷達、通信、遙測遙感等領(lǐng)域。在高速數據采集系統中，由ADC轉換后的數據需要存儲在存儲器 中，再進(jìn)行相應的處理，保證快速準確的數據傳輸處理是實(shí)現高速數據采集的一個(gè)關(guān)鍵。由于高速ADC的轉換率很高，而大容量RAM相對ADC輸出速度較慢， 保持高速數據存儲過(guò)程的可靠性、實(shí)時(shí)性是一個(gè)比較棘手的問(wèn)題。對于數據采集系統中的大容量高速度數據存儲、傳輸，本文提出一種基于FPGA的多片RAM實(shí) 現高速數據的存儲和傳輸的方案，并應用于1GS/s數據采集系統中，實(shí)現了以低
- 關(guān)鍵字： 數據采集 存儲 傳輸 ADC SRAM RAM FIFO
瑞薩科技發(fā)布采用1MB片上SRAM的微控制器
- 近日，瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）推出總共八款SH7262和SH7264高性能32位微控制器新產(chǎn)品型號，這些集成了1M字節片上SRAM的器件適用于數字音頻和圖形儀表盤(pán)應用。樣品將從2008年8月開(kāi)始在日本交付。 作為SuperH*1 系列32位RISC微控制器/微處理器的組成部分，SH7262和SH7264屬于針對數字音頻應用的SH7260系列微控制器。芯片上集成的1M字節SRAM，可以用來(lái)取代外部SDRAM。這將有助于實(shí)現主要采用單芯片的圖形儀表盤(pán)系統強大的
- 關(guān)鍵字： 瑞薩科技 SRAM 微控制器 數字音頻 圖形儀表盤(pán) 芯片
ATmegal28擴展512KB掉電保護SRAM方案
- 如今，電子技術(shù)發(fā)展迅猛，尤其是單片機已廣泛地應用于通信、交通、家用電器、便攜式智能儀表和機器人制作等領(lǐng)域，產(chǎn)品功能、精度和質(zhì)量均有大幅度提高，且電路簡(jiǎn)單，故障率低，可靠性高，價(jià)格低廉。在單片機的某些應用中，如果不對系統的外部SRAM進(jìn)行擴展，就不能滿(mǎn)足系統設計的要求。因此如何擴展、擴展什么類(lèi)型的芯片、擴展的容量多大就成為值得考慮的問(wèn)題。這個(gè)問(wèn)題解決的好與壞直接關(guān)系到項目的成敗。本文介紹在A(yíng)VR ATmegal28中如何實(shí)現擴展掉電數據不丟失的512 KB SRAM的方案。 1 系統硬件結構
- 關(guān)鍵字： ATmegal28 SRAM
TMS320C61416 EMIF下雙FPGA加載設計
- 基于SRAM結構的FPGA容量大，可重復操作，應用相當廣泛;但其結構類(lèi)似于SRAM，掉電后數據丟失，因此每次上電時(shí)都需重新加載。 目前實(shí)現加載的方法通常有兩種：一種是用專(zhuān)用Cable通過(guò)JTAG口進(jìn)行數據加載，另一種是外掛與該FPGA廠(chǎng)商配套的PROM芯片。前者需要在PC機上運行專(zhuān)用的加載軟件，直接下載到FPGA片內，所以掉電數據仍然會(huì )丟失，只適用于FPGA調試階段而不能應用于工業(yè)現場(chǎng)的數據加載。 后者雖然可以解決數據丟失問(wèn)題，但這種專(zhuān)用芯片成本較高，供貨周期也較長(cháng)(一般大于2個(gè)月)，使F
- 關(guān)鍵字： SRAM TMS320C61416 FPGA
鐵電存儲器1T單元C-V特性的計算機模擬
- 鐵電存儲器同時(shí)具備可存儲大量資料的動(dòng)態(tài)隨機存儲器DRAM)與高速運作的靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的優(yōu)點(diǎn)，且在斷電后，資料不會(huì )消失，亦具備快閃存儲器的優(yōu)點(diǎn)。在所有非易失性存儲器(NVM)中，鐵電存儲器件被認為是最有吸引力的用于IT的存儲器件之一[1]。1T單元體積更小，集成度更高。特別是這種方式易于實(shí)現多值存儲，在相同規模下可以達到更高的存儲容量，因而在提高性?xún)r(jià)比方面具有極大的優(yōu)勢。 為了系統地從理論上研究鐵電存儲器IT單元特性，米勒首先提出了數學(xué)模型[2]。后人也有用實(shí)驗數據、依據實(shí)驗數據得到的
- 關(guān)鍵字： 存儲器 SRAM NVM 存儲器
用單片機實(shí)現SRAM工藝FPGA的加密應用
- 摘要：首先對采用SRAM工藝的FPGA的保密性和加密方法進(jìn)行原理分析，然后提出一種實(shí)用的采用單片機產(chǎn)生長(cháng)偽隨機碼實(shí)現加密的方法，并詳細介紹具體的電路和程序。 關(guān)鍵詞：靜態(tài)隨機存儲器（SRAM） 現場(chǎng)可編程門(mén)陣列（FPGA） 加密 在現代電子系統設計中，由于可編程邏輯器件的卓越性能、靈活方便的可升級特性，而得到了廣泛的應用。由于大規模高密度可編程邏輯器件多采用SRAM工藝，要求每次上電，對FPGA器件進(jìn)行重配置，這就使得可以通過(guò)監視配置的位數據流，進(jìn)行克隆
- 關(guān)鍵字： 靜態(tài)隨機存儲器（SRAM） 現場(chǎng)可編程門(mén)陣列（FPGA） 加密 MCU和嵌入式微處理器
揚長(cháng)補短發(fā)展FeRAM
- 存儲器在半導體行業(yè)就是一塊萬(wàn)能膏藥，或者嵌入到SoC里或者當做單獨的存儲元件，有數據計算和程序存儲的要求就有它的用武之地。當前的主流半導體存儲器可以簡(jiǎn)單的分成易失性和非易失性?xún)刹糠?，它們各有所長(cháng)，應用領(lǐng)域也因這一特性而是涇渭分明。 易失性的存儲器包括靜態(tài)存儲器SRAM和動(dòng)態(tài)存儲器DRAM，SRAM和DRAM在掉電的時(shí)候均會(huì )失去保存的數據，但是RAM 類(lèi)型的存儲器易于使用、性能好。非易失性存儲器在掉電的情況下并不會(huì )丟失所存儲的數據。然而所有的主流的非易失性存儲器均源自于ROM（只讀存儲器）技術(shù)，包
- 關(guān)鍵字： DRAM FeRAM RAM SRAM 存儲器
瑞薩科技與松下開(kāi)發(fā)新SRAM制造技術(shù)
- 瑞薩科技（Renesas Technology Corp.）與松下電器產(chǎn)業(yè)有限公司宣布，共同開(kāi)發(fā)出一種新技術(shù)，可以使45nm工藝傳統CMOS的SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器）穩定工作。這種SRAM可嵌入在SoC（系統(集成)芯片）器件和微處理器（MPU）當中。經(jīng)測試證實(shí)，采用該技術(shù)的512Kb SRAM的實(shí)驗芯片，可以在寬泛的溫度條件下（-40℃－125℃）穩定工作，而且在工藝發(fā)生變化時(shí)具有較大的工作電壓范圍裕量。用于實(shí)驗的SRAM芯片采用45nm CMOS工藝生產(chǎn)，集成了兩種不同的存儲單元設計，一個(gè)元
- 關(guān)鍵字： SRAM 瑞薩科技 松下 存儲器
sram 介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條sram !
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對sram 的理解，并與今后在此搜索sram 的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對sram 的理解，并與今后在此搜索sram 的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
sram 電路
sram 相關(guān)帖子
sram 資料下載
sram 專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473