一款專(zhuān)為SiC Mosfet設計的DC-DC模塊電源

　　SiC Mosfet具有耐高壓、低功耗、高速開(kāi)關(guān)的特質(zhì)，極大地提升了太陽(yáng)能逆變器的電源轉換效率，拉長(cháng)新能源汽車(chē)的可跑里程，應用在高頻轉換器上，為重型電機、工業(yè)設備帶來(lái)高效率、大功率、高頻率優(yōu)勢。。。。。。。據調查公司Yole developmet統計，SiC Mosfet現有市場(chǎng)容量為9000萬(wàn)美元，估計在2013-2020年SiC Mosfet市場(chǎng)將每年增長(cháng)39%。由此可預見(jiàn)，SiC即將成為半導體行業(yè)的新寵!

　　SiC Mosfet對比Si IGBT主要有以下優(yōu)勢：

　　i. 低導通電阻RDS(ON)，使SiC Mosfet具有優(yōu)越的正向壓降和導通損耗性能，更適應高溫環(huán)境下的工作;

　　ii. 優(yōu)良的輸入特性，即SiC Mosfet擁有低柵極電荷，具備卓越的切換速率;

　　iii. 寬禁帶寬度材料，SiC Mosfet具有相當低的漏電流，更適應在高電壓環(huán)境中的應用;

　　日前，MORNSUN與SiC Mosfet行業(yè)龍頭企業(yè)合作，打造了一款SiC Mosfet專(zhuān)用的隔離轉換DC-DC模塊電源--QA01C。

　　QA01C在效率高達83%的情況下，具有不對稱(chēng)+20VDC/+100mA、-4VDC/-100mA輸出，完美滿(mǎn)足SiC Mosfet的可靠開(kāi)啟及關(guān)斷要求。低至3.5pF的隔離電容，允許QA01C工作在高頻應用中，不被重復充放電拖慢工作頻率。3500VAC高隔離耐壓，減少了高壓總線(xiàn)對低壓控制側的干擾。220uF大容性負載使得QA01C具有瞬時(shí)驅動(dòng)大功率特性，更好地應對SiC Mosfet對高頻開(kāi)關(guān)的要求。

　　目前，QA01C系列已經(jīng)通過(guò)了UL/CE/CB60950認證，產(chǎn)品可靠性已經(jīng)得到了權威機構的認可。

　　● 隔離電容3.5pF

　　● 高隔離電壓3500VAC

　　● 不對稱(chēng)驅動(dòng)電壓：輸出電壓+20/-4VDC，輸出電流+100/-100mA

　　● 大容性負載220uF

　　● 效率高達83%

　　● 工作溫度范圍: -40℃ ~ +105℃

　　● 可持續短路保護