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全面升級！安森美第二代1200V SiC MOSFET關(guān)鍵特性解析
- 安森美(onsemi)發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET，命名為M3S，其中S代表開(kāi)關(guān)。M3S 系列專(zhuān)注于提高開(kāi)關(guān)性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，還針對工業(yè)電源系統中的高功率應用進(jìn)行了優(yōu)化，如太陽(yáng)能逆變器、ESS、UPS 和電動(dòng)汽車(chē)充電樁等。幫助開(kāi)發(fā)者提高開(kāi)關(guān)頻率和系統效率。本應用筆記將描述M3S的一些關(guān)鍵特性，與第一代相比的顯著(zhù)性能提升，以及一些實(shí)用設計技巧。本文為第一部分，將重點(diǎn)介紹M3S的一些關(guān)鍵特性以及與
- 關(guān)鍵字： 碳化硅 SiC MOSFET
英飛凌推出OptiMOS? 6 200 V MOSFET，以更高的功率密度和效率樹(shù)立行業(yè)新標準
- 英飛凌科技股份公司近日推出OptiMOS? 6 200 V MOSFET產(chǎn)品系列，使電機驅動(dòng)應用取得了飛躍性的進(jìn)展。這一全新產(chǎn)品組合將為電動(dòng)摩托車(chē)、微型電動(dòng)汽車(chē)和電動(dòng)叉車(chē)等應用提供出色的性能。新 MOSFET產(chǎn)品的導通損耗和開(kāi)關(guān)性能均有所改善，降低了電磁干擾（EMI）和開(kāi)關(guān)損耗，有益于用于服務(wù)器、電信、儲能系統（ESS）、音頻、太陽(yáng)能等用途的各種開(kāi)關(guān)應用。此外，憑借寬安全工作區（SOA）和業(yè)界領(lǐng)先的RDS(on)，該產(chǎn)品系列非常適合電池管理系統等靜態(tài)開(kāi)關(guān)應用。全新推出的英飛凌OptiMOS? 6 200
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 OptiMOS MOSFET
英飛凌推出OptiMOS? 6200V MOSFET
- 英飛凌科技股份公司近日出OptiMOS? 6 200 V MOSFET產(chǎn)品系列，使電機驅動(dòng)應用取得了飛躍性的進(jìn)展。這一全新產(chǎn)品組合將為電動(dòng)摩托車(chē)、微型電動(dòng)汽車(chē)和電動(dòng)叉車(chē)等應用提供出色的性能。新MOSFET產(chǎn)品的導通損耗和開(kāi)關(guān)性能均有所改善，降低了電磁干擾（EMI）和開(kāi)關(guān)損耗，有益于用于服務(wù)器、電信、儲能系統（ESS）、音頻、太陽(yáng)能等用途的各種開(kāi)關(guān)應用。此外，憑借寬安全工作區（SOA）和業(yè)界領(lǐng)先的RDS(on)，該產(chǎn)品系列非常適合電池管理系統等靜態(tài)開(kāi)關(guān)應用。全新推出的英飛凌OptiMOS? 6 200 V產(chǎn)
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功率MOSFET的UIS(UIL)特性知多少？
- 在關(guān)斷狀態(tài)下，功率MOSFET的體二極管結構的設計是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場(chǎng)使得漏極和源極端子之間有大量電流流動(dòng)。典型的阻斷狀態(tài)漏電流在幾十皮安到幾百納安的數量級。之前我們討論過(guò)功率MOSFET的雪崩效應，今天，我們將繼續分享相關(guān)UIS (UIL)數據表的額定值。除了Ipk vs tav圖之外，大多數功率MOSFET數據表還包含一個(gè)UIS能量額定值，通常列在最大值表中。這有點(diǎn)誤導，因為很明顯 (E=0.5Vav*Ipk*tav) 功率 M
- 關(guān)鍵字： 安森美 MOSFET UIS
Vishay的新款80V對稱(chēng)雙通道MOSFET的RDS(ON)達到業(yè)內先進(jìn)水平，可顯著(zhù)提高功率密度、能效和熱性能
- 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型80 V對稱(chēng)雙通道n溝道功率MOSFET---SiZF4800LDT，將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV MOSFET組合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR? 3x3FS單體封裝中。Vishay Siliconix SiZF4800LDT適用于工業(yè)和通信應用功率轉換，在提高功率密度和能效的同時(shí)，增強熱性能，減少元器件數量并簡(jiǎn)化設計。日前發(fā)布的雙通道MOSFET可用來(lái)取代兩個(gè)PowerPAK 1
- 關(guān)鍵字： Vishay MOSFET 對稱(chēng)雙通道
英飛凌推出全新CoolSiC? MOSFET 2000 V，在不影響系統可靠性的情況下提供更高功率密度
- 英飛凌科技股份公司近日推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiC??MOSFET?2000?V。這款產(chǎn)品不僅能夠滿(mǎn)足設計人員對更高功率密度的需求，而且即使面對嚴格的高電壓和開(kāi)關(guān)頻率要求，也不會(huì )降低系統可靠性。CoolSiC? MOSFET具有更高的直流母線(xiàn)電壓，可在不增加電流的情況下提高功率。作為市面上第一款擊穿電壓達到2000 V的碳化硅分立器件，CoolSiC? MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，爬電距離為14 mm，電氣間隙為5
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 CoolSiC MOSFET
英飛凌推出新一代碳化硅技術(shù)CoolSiC? MOSFET G2，推動(dòng)低碳化的高性能系統
- 英飛凌科技股份公司近日推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，開(kāi)啟功率系統和能量轉換的新篇章。與上一代產(chǎn)品相比，?英飛凌全新的CoolSiC? MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技術(shù)在確保質(zhì)量和可靠性的前提下，將MOSFET的主要性能指標（如能量和電荷儲量）提高了20%，不僅提升了整體能效，更進(jìn)一步推動(dòng)了低碳化進(jìn)程。CoolSiC? MOSFET Generation 2 (G2)?技術(shù)繼續發(fā)揮碳化硅的性能優(yōu)勢，通過(guò)降低能量損耗來(lái)提高功率轉換過(guò)程
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 碳化硅 CoolSiC MOSFET
?MOSFET共源放大器的頻率響應
- 在本文中，我們通過(guò)研究MOSFET共源放大器的s域傳遞函數來(lái)了解其頻率響應。之前，我們了解了MOSFET共源放大器的大信號和小信號行為。這些分析雖然有用，但僅適用于低頻操作。為了了解共用源（CS）放大器在較高頻率下的功能，我們需要更詳細地研究其頻率響應。在本文中，我們將在考慮MOSFET寄生電容的情況下導出CS放大器的全傳遞函數。然而，在我們這么做之前，讓我們花點(diǎn)時(shí)間回顧頻域中更為普遍的傳遞函數（TF）分析。s域傳輸函數TF是表示如何由線(xiàn)性系統操縱輸入信號（x）以產(chǎn)生輸出信號（y）的方程式。其形式為：&n
- 關(guān)鍵字： MOSFET 共源放大器
輕松了解功率MOSFET的雪崩效應
- 在關(guān)斷狀態(tài)下，功率MOSFET的體二極管結構的設計是為了阻斷最小漏極-源極電壓值。MOSFET體二極管的擊穿或雪崩表明反向偏置體二極管兩端的電場(chǎng)使得漏極和源極端子之間有大量電流流動(dòng)。典型的阻斷狀態(tài)漏電流在幾十皮安到幾百納安的數量級。根據電路條件不同，在雪崩、MOSFET漏極或源極中，電流范圍可從微安到數百安。 額定擊穿電壓，也可稱(chēng)之為“BV”，通常是在給定溫度范圍（通常是整個(gè)工作結溫范圍）內定義的MOSFET器件的最小阻斷電壓（例如30V）。數據表中的BVdss值是在低雪崩電流（通常為
- 關(guān)鍵字： MOSFET 雪崩 電流
Nexperia在A(yíng)PEC 2024上發(fā)布拓寬分立式FET解決方案系列
- 奈梅亨，2024年2月29日：Nexperia再次在A(yíng)PEC上展示產(chǎn)品創(chuàng )新，今天宣布發(fā)布幾款新型MOSFET，以進(jìn)一步拓寬其分立開(kāi)關(guān)解決方案的范圍，可用于多個(gè)終端市場(chǎng)的各種應用。此次發(fā)布的產(chǎn)品包括用于PoE、eFuse和繼電器替代產(chǎn)品的100 V 應用專(zhuān)用MOSFET (ASFET)，采用DFN2020封裝，體積縮小60%，以及改進(jìn)了電磁兼容性(EMC)的40 ?V NextPowerS3 MOSFETPoE交換機通常有多達48個(gè)端口，每個(gè)端口需要2個(gè)MOSFET提供保護。單個(gè)PCB上有多達96
- 關(guān)鍵字： Nexperia APEC 2024 拓寬分立式FET MOSFET
MOSFET共源放大器介紹
- 在本文中，我們介紹了具有不同負載類(lèi)型的MOSFET共源放大器的基本行為。模擬電路隨處可見(jiàn)，放大器基本上是每個(gè)模擬電路的一部分。MOSFET能夠制造出卓越的放大器件，這就是為什么有多種基于它們的單級放大器拓撲結構的原因。根據哪個(gè)晶體管端子是輸入端和哪個(gè)晶體管端子是輸出端來(lái)區分它們。在本文中，我們將討論共用源極（CS）放大器，它使用柵極作為其輸入端子，使用漏極作為其輸出。在交流信號方面，源端子對于輸入和輸出都是公共的，因此得名為共源。圖1顯示了具有理想電流源的CS放大器。具有理想電流源負載的共源放大器。&nb
- 關(guān)鍵字： MOSFET 共源放大器
?MOSFET共源放大器介紹
- 在本文中，我們介紹了具有不同負載類(lèi)型的MOSFET共源放大器的基本行為。模擬電路隨處可見(jiàn)，放大器基本上是每個(gè)模擬電路的一部分。MOSFET能夠制造出卓越的放大器件，這就是為什么有多種基于它們的單級放大器拓撲結構的原因。根據哪個(gè)晶體管端子是輸入端和哪個(gè)晶體管端子是輸出端來(lái)區分它們。在本文中，我們將討論共用源極（CS）放大器，它使用柵極作為其輸入端子，使用漏極作為其輸出。在交流信號方面，源端子對于輸入和輸出都是公共的，因此得名為共源。圖1顯示了具有理想電流源的CS放大器。具有理想電流源負載的共源放大器。&nb
- 關(guān)鍵字： MOSFET 共源放大器
內置1700V耐壓SiC MOSFET的AC-DC轉換器IC，助推工廠(chǎng)智能化
- 本文的關(guān)鍵要點(diǎn)各行各業(yè)的工廠(chǎng)都在擴大生產(chǎn)線(xiàn)的智能化程度，在生產(chǎn)線(xiàn)上的裝置和設備旁邊導入先進(jìn)信息通信設備的工廠(chǎng)越來(lái)越多。要將高壓工業(yè)電源線(xiàn)的電力轉換為信息通信設備用的電力，需要輔助設備用的高效率電源，而采用內置1700V耐壓SiC MOSFET的AC-DC轉換器IC可以輕松構建這種高效率的輔助電源。各行各業(yè)加速推進(jìn)生產(chǎn)線(xiàn)的智能化如今，從汽車(chē)、半導體到食品、藥品和化妝品等眾多行業(yè)的工廠(chǎng)，既需要進(jìn)一步提升生產(chǎn)效率和產(chǎn)品品質(zhì)，還需要推進(jìn)無(wú)碳生產(chǎn)（降低功耗和減少溫室氣體排放）。在以往的制造業(yè)中，提高工廠(chǎng)的生產(chǎn)效率和
- 關(guān)鍵字： 電力轉換 SiC MOSFET
2000V 12-100mΩ CoolSiC? MOSFET
- CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，規格為12-100mΩ。由于采用了.XT互聯(lián)技術(shù)，CoolSiC?技術(shù)的輸出電流能力強，可靠性提高。產(chǎn)品型號：???IMYH200R012M1H???IMYH200R024M1H???IMYH200R050M1H???IMYH200R075M1H???IMYH200R0100M1H產(chǎn)品特點(diǎn)■ VDSS=2000V，可用于最高母線(xiàn)電壓為1500VDC系統■ 開(kāi)關(guān)損
- 關(guān)鍵字： MOSFET CoolSiC Infineon
談?wù)凷iC MOSFET的短路能力
- 在電力電子的很多應用，如電機驅動(dòng)，有時(shí)會(huì )出現短路的工況。這就要求功率器件有一定的扛短路能力，即在一定的時(shí)間內承受住短路電流而不損壞。目前市面上大部分IGBT都會(huì )在數據手冊中標出短路能力，大部分在5~10us之間，例如英飛凌IGBT3/4的短路時(shí)間是10us，IGBT7短路時(shí)間是8us。而 大 部 分 的 SiC MOSFET 都 沒(méi) 有 標 出 短 路 能 力 ， 即 使 有 ， 也 比 較 短 ， 例 如 英 飛 凌 的CoolSiCTM MOSFET單管封裝器件標稱(chēng)短路時(shí)間是3us，EASY封裝器件標
- 關(guān)鍵字： infineon MOSFET
si mosfet介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條si mosfet!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對si mosfet的理解，并與今后在此搜索si mosfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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