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用于模擬IC設計的小信號MOSFET模型

MOSFET的小信號特性在模擬IC設計中起著(zhù)重要作用。在本文中，我們將學(xué)習如何對MOSFET的小信號行為進(jìn)行建模。正如我們在上一篇文章中所解釋的那樣，MOSFET對于現代模擬IC設計至關(guān)重要。然而，那篇文章主要關(guān)注MOSFET的大信號行為。模擬IC通常使用MOSFET進(jìn)行小信號放大和濾波。為了充分理解和分析MOS電路，我們需要定義MOSFET的小信號行為。什么是小信號分析？當我們說(shuō)“小信號”時(shí)，我們的確切意思是？為了定義這一點(diǎn)，讓我們參考圖1，它顯示了逆變器的輸出傳遞特性。逆變器的傳輸特性。圖
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利用低電平有效輸出驅動(dòng)高端MOSFET輸入開(kāi)關(guān)以實(shí)現系統電源循環(huán)

摘要在無(wú)線(xiàn)收發(fā)器等應用中，系統一般處于偏遠地區，通常由電池供電。由于鮮少有人能夠前往現場(chǎng)進(jìn)行干預，此類(lèi)應用必須持續運行。系統持續無(wú)活動(dòng)或掛起后，需要復位系統以恢復操作。為了實(shí)現系統復位，可以切斷電源電壓，斷開(kāi)系統電源，然后再次連接電源以重啟系統。本文將探討使用什么方法和技術(shù)可以監控電路的低電平有效輸出來(lái)驅動(dòng)高端輸入開(kāi)關(guān)，從而執行系統電源循環(huán)。簡(jiǎn)介為了提高電子系統的可靠性和穩健性，一種方法是實(shí)施能夠檢測故障并及時(shí)響應的保護機制。這些機制就像安全屏障，能夠減輕潛在損害，確保系統正常運行
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如何增強系統魯棒性？這三樣法寶請您收下！

本文研究具有背靠背MOSFET的理想二極管以及其他更先進(jìn)的器件。文中還介紹了一種集成多種功能以提供整體系統保護的理想二極管解決方案。二極管是非常有用的器件，對許多應用都很重要。標準硅二極管的壓降為0.6 V至0.7 V。肖特基二極管的壓降為0.3 V。一般來(lái)說(shuō)，壓降不是問(wèn)題，但在高電流應用中，各個(gè)壓降會(huì )產(chǎn)生顯著(zhù)的功率損耗。理想二極管是此類(lèi)應用的理想器件。幸運的是，MOSFET可以取代標準硅二極管，并提供意想不到的應用優(yōu)勢。簡(jiǎn)介理想二極管使用低導通電阻功率開(kāi)關(guān)（通常為MOSFET）來(lái)模擬二極管的單向
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SiC MOSFET用于電機驅動(dòng)的優(yōu)勢

低電感電機有許多不同應用，包括大氣隙電機、無(wú)槽電機和低泄露感應電機。它們也可被用在使用PCB定子而非繞組定子的新電機類(lèi)型中。這些電機需要高開(kāi)關(guān)頻率（50-100kHz）來(lái)維持所需的紋波電流。然而，對于50kHz以上的調制頻率使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）無(wú)法滿(mǎn)足這些需求，如果是380V系統，硅MOSFET耐壓又不夠，這就為寬禁帶器件開(kāi)創(chuàng )了新的機會(huì )。在我們的傳統印象中，電機驅動(dòng)系統往往采用IGBT作為開(kāi)關(guān)器件，而SiC MOSFET作為高速器件往往與光伏和電動(dòng)汽車(chē)充電等需要高頻變換的應用相關(guān)聯(lián)。但在特定的
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NMOS和PMOS詳解

一、簡(jiǎn)介MOS管，是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET金屬-氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管，簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。其中，G是柵極，S是源極，D是漏極。二、nmos和pmos的原理與區別NMOSNMOS英文全稱(chēng)為N-Metal-Oxide-Semiconductor。意思為N型金屬-氧化物-半導體，而擁有這種結構的晶體管我們稱(chēng)之為NMOS晶體管。MOS晶體管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MO
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ROHM開(kāi)發(fā)出采用SOT-223-3小型封裝的600V耐壓Super Junction MOSFET

～產(chǎn)品陣容新增具有低噪聲、高速開(kāi)關(guān)和超短反向恢復時(shí)間特點(diǎn)的5款新產(chǎn)品～全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開(kāi)發(fā)出采用SOT-223-3小型封裝（6.50mm×7.00mm×1.66mm）的600V耐壓Super Junction MOSFET*1“R6004END4?/ R6003KND4?/ R6006KND4?/ R6002JND4?/ R6003JND4”，新產(chǎn)品非常適用于照明用小型電源、電泵和電機等應用。?近年來(lái)，隨著(zhù)照明用的小型電源
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英飛凌推出首款采用OptiMOS? 7技術(shù)15 V PQFN封裝的溝槽功率MOSFET

數據中心和計算應用對電源的需求日益增長(cháng)，需要提高電源的效率并設計緊湊的電源。英飛凌科技股份公司順應系統層面的發(fā)展趨勢，推出業(yè)界首款15 V溝槽功率MOSFET ——全新OptiMOS? 7系列。OptiMOS? 7 15 V系列于服務(wù)器、計算、數據中心和人工智能應用上提升DC-DC轉換率。該半導體產(chǎn)品組合包含最新的PQFN 3.3 x 3.3 mm2源極底置（Source-Down）封裝，標準門(mén)級和門(mén)級居中引腳排列形式均提供底部冷卻型和雙面冷卻型以供選擇；此外，該產(chǎn)品組合還包含穩定可靠的超小型的PQFN
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Nexperia首款SiC MOSFET提高了工業(yè)電源開(kāi)關(guān)應用的安全性、穩健性和可靠性標準

奈梅亨，2023年11月30日：基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用3引腳TO-247封裝的1200 V分立器件，RDS(on)分別為40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，隨后Nexperia將持續擴大產(chǎn)品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。這次推出的兩款器件可用性高，可滿(mǎn)足電動(dòng)
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Nexperia與三菱電機就SiC MOSFET分立產(chǎn)品達成戰略合作伙伴關(guān)系

Nexperia近日宣布與三菱電機公司建立戰略合作伙伴關(guān)系，共同開(kāi)發(fā)碳化硅(SiC) MOSFET分立產(chǎn)品。Nexperia和三菱電機都是各自行業(yè)領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，雙方聯(lián)手開(kāi)發(fā)，將促進(jìn)SiC寬禁帶半導體的能效和性能提升至新高度，同時(shí)滿(mǎn)足對高效分立式功率半導體快速增長(cháng)的需求。三菱電機的功率半導體產(chǎn)品有助于客戶(hù)在汽車(chē)、家用電器、工業(yè)設備和牽引電機等眾多領(lǐng)域實(shí)現大幅節能。該公司提供的高性能SiC模塊產(chǎn)品性能可靠，在業(yè)界享有盛譽(yù)。日本備受贊譽(yù)的高速新干線(xiàn)列車(chē)采用了這些模塊，并以出色的效率、安全性和可靠性聞名遐邇。N
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了解 MOSFET 通態(tài)漏源電阻

分立 MOSFET 數據表中重要的規格之一是漏源通態(tài)電阻，縮寫(xiě)為 R DS (on)。這個(gè) R DS (on)想法看起來(lái)非常簡(jiǎn)單：當 FET 處于截止狀態(tài)時(shí)，源極和漏極之間的電阻非常高，以至于我們假設電流為零。當 FET 的柵源電壓 (V GS ) 超過(guò)閾值電壓 (V TH ) 時(shí)，它處于“導通狀態(tài)”，漏極和源極通過(guò)電阻等于 R DS(on) 的溝道連接。然而，如果您熟悉 MOSFET 的實(shí)際電氣行為，您應該很容易認識到該模型與事實(shí)不符。首先，FET 并不真正具有“導通狀態(tài)”。當未處于截止狀態(tài)時(shí)（我們在此
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東芝推出30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設備以及電池組保護

中國上海，2023年11月7日——東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社（“東芝”）今日宣布，推出“SSM10N961L”低導通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設備以及電池組保護。該產(chǎn)品于今日開(kāi)始支持批量出貨。截至目前，東芝的N溝道共漏極MOSFET產(chǎn)品線(xiàn)重點(diǎn)聚焦于12V產(chǎn)品，主要用于智能手機鋰離子電池組的保護。30V產(chǎn)品的發(fā)布為電壓高于12V的應用提供了更廣泛的選擇，如USB充電設備電源線(xiàn)路的負載開(kāi)關(guān)以及筆記本電腦與平板電腦的鋰離子電池組保護。&nbs
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2023年慕尼黑華南電子展：EEPW&先之科半導體科技（東莞）有限公司

先之科半導體科技（東莞）有限公司于2018年成立，旗下子公司先科電子于1991年就開(kāi)始專(zhuān)注于半導體分立器件研發(fā)及銷(xiāo)售，在半導體行業(yè)闖蕩了32年。作為一家成熟的半導體企業(yè)，先之科擁有占地60畝的生產(chǎn)基地，超過(guò)1400名員工，保證了其1.8億只的日產(chǎn)能，讓其旗下產(chǎn)品可以出現在任何需要它們的地方。今天展會(huì )之上，先之科為我們帶來(lái)了豐富的產(chǎn)品，包括各類(lèi)二極管、整流管、保護器件、三極管以及MOSFET，橫跨汽車(chē)電子、光學(xué)逆變器和通信電源等領(lǐng)域。而本次所展出的AD-SiC MOSFET令人印象深刻，其采用了分立式封裝，
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IGBT／MOSFET 的基本柵極驅動(dòng)光耦合器設計

本應用筆記涵蓋了計算柵極驅動(dòng)光耦合器 IC 的柵極驅動(dòng)器功率和熱耗散的主題。柵極驅動(dòng)光耦合器用于驅動(dòng)、開(kāi)啟和關(guān)閉功率半導體開(kāi)關(guān)、MOSFET/IGBT。柵極驅動(dòng)功率計算可分為三部分；驅動(dòng)器內部電路中消耗或損失的功率、發(fā)送至功率半導體開(kāi)關(guān)(IGBT/MOSFET)的功率以及驅動(dòng)器IC和功率半導體開(kāi)關(guān)之間的外部組件處（例如外部柵極電阻器上）損失的功率。在以下示例中，我們將討論使用 Avago ACPL-332J（2.5nApeak 智能柵極驅動(dòng)器）的 IGBT 柵極驅動(dòng)器設計。本應用筆記涵蓋了計算柵極驅動(dòng)光耦
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詳解大功率電源中MOSFET功耗的計算

功率MOSFET是便攜式設備中大功率開(kāi)關(guān)電源的主要組成部分。此外，對于散熱量極低的筆記本電腦來(lái)說(shuō)，這些MOSFET是最難確定的元件。本文給出了計算MOSFET功耗以及確定其工作溫度的步驟，并通過(guò)多相、同步整流、降壓型CPU核電源中一個(gè)30A單相的分布計算示例，詳細說(shuō)明了上述概念。也許，今天的便攜式電源設計者所面臨的最嚴峻挑戰就是為當今的高性能CPU提供電源。CPU的電源電流最近每?jì)赡昃头环?。事?shí)上，今天的便攜式核電源電流需求會(huì )高達60A或更多，電壓介于0.9V和1.75V之間。但是，盡管電流需求在穩步增
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SiC主驅逆變器讓電動(dòng)汽車(chē)延長(cháng)5%里程的秘訣

不斷增長(cháng)的消費需求、持續提高的環(huán)保意識/環(huán)境法規約束，以及越來(lái)越豐富的可選方案，都在推動(dòng)著(zhù)人們選用電動(dòng)汽車(chē) (EV)，令電動(dòng)汽車(chē)日益普及。高盛近期的一項研究顯示，到 2023 年，電動(dòng)汽車(chē)銷(xiāo)量將占全球汽車(chē)銷(xiāo)量的 10%；到 2030 年，預計將增長(cháng)至 30%；到 2035 年，電動(dòng)汽車(chē)銷(xiāo)量將有可能占全球汽車(chē)銷(xiāo)量的一半。然而，“里程焦慮”，也就是擔心充一次電后行駛里程不夠長(cháng)，則是影響電動(dòng)汽車(chē)普及的主要障礙之一?？朔@一問(wèn)題的關(guān)鍵是在不顯著(zhù)增加成本的情況下延長(cháng)車(chē)輛行駛里程。本文闡述了如何在主驅逆變器中使用碳化
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