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用于SiC MOSFET的隔離柵極驅動(dòng)器使用指南
- SiC MOSFET 在功率半導體市場(chǎng)中正迅速普及，因為它最初的一些可靠性問(wèn)題已得到解決，并且價(jià)位已達到非常有吸引力的水平。隨著(zhù)市場(chǎng)上的器件越來(lái)越多，必須了解 SiC MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異，以便用戶(hù)充分利用每種器件。本系列文章概述了安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關(guān)鍵特性及驅動(dòng)條件對它的影響，作為安森美提供的全方位寬禁帶生態(tài)系統的一部分，還將提供 NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅動(dòng)器）的使用指南。本文為第三部分，將重點(diǎn)介紹NCP517
- 關(guān)鍵字： 安森美 SiC MOSFET 隔離柵極驅動(dòng)器
Nexperia擴充N(xiāo)extPower 80/100 V MOSFET產(chǎn)品組合的封裝系列
- 奈梅亨，2023年6月21日：基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今日宣布擴充N(xiāo)extPower 80/100 V MOSFET產(chǎn)品組合的封裝系列。此前該產(chǎn)品組合僅提供LFPAK56E封裝，而現在新增了LFPAK56和LFPAK88封裝設計。這些器件具備高效率和低尖峰特性，適用于通信、服務(wù)器、工業(yè)、開(kāi)關(guān)電源、快充、USB-PD和電機控制應用。 長(cháng)期以來(lái)，品質(zhì)因數Qg*RDSon一直是半導體制造商提高M(jìn)OSFET開(kāi)關(guān)效率的重點(diǎn)。然而，一味地降低該品質(zhì)因數導致產(chǎn)生了意外后果
- 關(guān)鍵字： Nexperia MOSFET
采用SiC MOSFET的高性能逆變焊機設計要點(diǎn)
- 近年來(lái)，為了更好地實(shí)現自然資源可持續利用，需要更多節能產(chǎn)品，因此，關(guān)于焊機能效的強制性規定應運而生。經(jīng)改進(jìn)的碳化硅CoolSiC? MOSFET 1200V采用基于.XT擴散焊技術(shù)的TO-247封裝，其非常規封裝和熱設計方法通過(guò)改良設計提高了能效和功率密度。逆變焊機通常是通過(guò)IGBT功率模塊解決方案設計來(lái)實(shí)現更高輸出功率，從而幫助降低節能焊機的成本、重量和尺寸[1]。在焊機行業(yè)，諸如提高效率、降低成本和增強便攜性（即，縮小尺寸并減輕重量）等趨勢一直是促進(jìn)持續發(fā)展的推動(dòng)力。譬如，多個(gè)標準法規已經(jīng)或即將強制規
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 MOSFET
干貨 | MOSFET結構及其工作原理詳解
- 01?概述MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體），FET（Field Effect Transistor場(chǎng)效應晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著(zhù)氧化層（O）利用電場(chǎng)的效應來(lái)控制半導體（S）的場(chǎng)效應晶體管。功率場(chǎng)效應晶體管也分為結型和絕緣柵型,但通常主要指絕緣柵型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET）,簡(jiǎn)稱(chēng)功率MOSFET（Power MOSFET）。結型功率場(chǎng)效應晶體管一般稱(chēng)作靜電感應晶體管（Sta
- 關(guān)鍵字： MOSFET
用于車(chē)載充電器應用的1200 V SiC MOSFET模塊使用指南
- 隨著(zhù)電動(dòng)汽車(chē)的車(chē)載充電器 (OBC) 迅速向更高功率和更高開(kāi)關(guān)頻率發(fā)展，對 SiC MOSFET 的需求也在增長(cháng)。許多高壓分立 SiC MOSFET 已經(jīng)上市，工程師也在利用它們的性能優(yōu)勢設計 OBC 系統。要注意的是，PFC 拓撲結構的變化非常顯著(zhù)。設計人員正在采用基于 SiC MOSFET 的無(wú)橋 PFC 拓撲，因為它有著(zhù)卓越的開(kāi)關(guān)性能和較小的反向恢復特性。眾所周知，使用 SiC MOSFET 模塊可提供電氣和熱性能以及功率密度方面的優(yōu)勢。安森美 (onsemi) 在使用 Si MOSFET 技術(shù)的汽
- 關(guān)鍵字： 安森美 車(chē)載充電器 MOSFET
三極管用飽和Rce，而MOSFET用飽和Vds？
- MOSFET和三極管，在ON 狀態(tài)時(shí)，MOSFET通常用Rds，三極管通常用飽和Vce。那么是否存在能夠反過(guò)來(lái)的情況，三極管用飽和Rce，而MOSFET用飽和Vds呢？MOSFET和三極管，在ON 狀態(tài)時(shí)，MOSFET通常用Rds，三極管通常用飽和Vce。那么是否存在能夠反過(guò)來(lái)的情況，三極管用飽和Rce，而MOSFET用飽和Vds呢？三極管ON狀態(tài)時(shí)工作于飽和區，導通電流Ice主要由Ib與Vce決定，由于三極管的基極驅動(dòng)電流Ib一般不能保持恒定，因而Ice就不能簡(jiǎn)單的僅 由Vce來(lái)決定，即不能采用飽和Rc
- 關(guān)鍵字： 三極管 MOSFET
如何利用1200 V EliteSiC MOSFET 模塊，打造充電更快的車(chē)載充電器？
- 要能快速高效地為電動(dòng)車(chē)更大的電池充電，電動(dòng)車(chē)才能在市場(chǎng)普及并發(fā)展。2021 年，市場(chǎng)上排名前 12 位的電動(dòng)汽車(chē)的平均電池容量為 80 kW-hr。消費者主要在家中使用車(chē)輛的車(chē)載充電器(OBC) 進(jìn)行充電。為確保合理的車(chē)輛充電時(shí)間，OEM 還將 OBC 的功率容量從 6.6 kW 提高到 11 kW，甚至高達 22 kW。使用 6.6 kW OBC 時(shí)，這些電動(dòng)汽車(chē)需要 12.1 小時(shí)才能充滿(mǎn)電。而將 OBC 功率增加到 11 kW 后，充電時(shí)間縮短至 7.3 小時(shí)，而使用 22 kW OBC 時(shí)，只需
- 關(guān)鍵字： MOSFET 車(chē)載充電器
中國電科55所高性能高可靠碳化硅MOSFET成功通過(guò)技術(shù)鑒定
- 近日，中國電科55所牽頭研發(fā)的“高性能高可靠碳化硅MOSFET技術(shù)及應用”成功通過(guò)技術(shù)鑒定。鑒定委員會(huì )認為，該項目技術(shù)難度大，創(chuàng )新性顯著(zhù)，總體技術(shù)達到國際先進(jìn)水平。該項目聚焦新能源汽車(chē)、光伏儲能、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域對高性能高可靠碳化硅MOSFET器件自主創(chuàng )新的迫切需求，突破多項關(guān)鍵工藝技術(shù)，貫通碳化硅襯底、外延、芯片、模塊全產(chǎn)業(yè)鏈量產(chǎn)平臺，國內率先研制出750V/150A和6500V/25A的大電流碳化硅MOSFET器件，實(shí)現新能源汽車(chē)、光伏、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域碳化硅MOSFET批量供貨，有力保障碳化硅功率器件供
- 關(guān)鍵字： 中國電科 55所 碳化硅 MOSFET
SMPD先進(jìn)絕緣封裝充分發(fā)揮SiC MOSFET優(yōu)勢
- SMPD可用于標準拓撲結構，如降壓、升壓、橋臂(phase-leg)，甚至是定制的組合。它們可用于各種技術(shù)產(chǎn)品，如Si/SiC MOSFET、IGBT、二極管、晶閘管、三端雙向可控硅，或定制組合，具有從40V到3000V不同電壓等級。ISOPLUS - SMPD 及其優(yōu)勢SMPD代表表面安裝功率器件(Surface Mount Power Device)，是先進(jìn)的頂部散熱絕緣封裝，由IXYS（現在是Littelfuse公司的一部分）在2012年開(kāi)發(fā)。SMPD只有硬幣大小，具有幾項關(guān)鍵優(yōu)勢：·
- 關(guān)鍵字： Littelfuse SMPD MOSFET
安森美與Kempower就電動(dòng)汽車(chē)充電樁達成戰略協(xié)議
- 2023 年 5 月 16 日—智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)導者安森美（onsemi，美國納斯達克上市代號：ON），宣布與Kempower達成戰略協(xié)議，將為Kempower 提供EliteSiC MOSFET和二極管，用于可擴展的電動(dòng)汽車(chē)（EV）充電樁。雙方此項合作使得Kempower能采用包括安森美EliteSiC產(chǎn)品在內的各種功率半導體技術(shù)，開(kāi)發(fā)電動(dòng)汽車(chē)充電方案套件。這些器件將用于有源AC-DC前端以及初級側和次級側的DC-DC轉換器。 安森美為Kempower 的Satellit
- 關(guān)鍵字： 安森美 Kempower 充電樁 EliteSiC MOSFET 電動(dòng)汽車(chē)快充
Nexperia首創(chuàng )交互式數據手冊，助力工程師隨時(shí)隨地分析MOSFET行為
- 奈梅亨，2023年5月11日：基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今天宣布推出與功率MOSFET配套使用的新一代交互式數據手冊，大幅提升了對半導體工程師的設計支持標準。通過(guò)操作數據手冊中的交互式滑塊，用戶(hù)可以手動(dòng)調整其電路應用的電壓、電流、溫度和其他條件，并觀(guān)察器件的工作點(diǎn)如何動(dòng)態(tài)響應這些變化。 這些交互式數據手冊使用Nexperia的高級電熱模型計算器件的工作點(diǎn)，可有效地為電路仿真器提供一種圖形用戶(hù)界面。此外，工程師借助這些交互式數據手冊可以即時(shí)查看柵極電壓、漏極電流、RDS(o
- 關(guān)鍵字： Nexperia 交互式數據手冊 MOSFET
MOSFET電路不可不知
- MOSFET已成為最常用的三端器件，給電子電路界帶來(lái)了一場(chǎng)革命。沒(méi)有MOSFET，現在集成電路的設計似乎是不可能的。它們非常小，制造過(guò)程非常簡(jiǎn)單。由于MOSFET的特性，模擬電路和數字電路都成功地實(shí)現了集成電路，MOSFET電路可以從大信號模型小信號模型兩種方式進(jìn)行分析。大信號模型是非線(xiàn)性的。它用于求解器件電流和電壓的de值。小信號模型可以在大信號模型線(xiàn)性化的基礎上推導出來(lái)。截止區、三極管區和飽和區是MOSFET的三個(gè)工作區。當柵源電壓(VGS)小于閾值電壓(Vtn)時(shí)，器件處于截止區。當MOSFET用作
- 關(guān)鍵字： 雷卯 MOSFET
SiC MOSFET的設計挑戰——如何平衡性能與可靠性
- 碳化硅（SiC）的性能潛力是毋庸置疑的，但設計者必須掌握一個(gè)關(guān)鍵的挑戰：確定哪種設計方法能夠在其應用中取得最大的成功。先進(jìn)的器件設計都會(huì )非常關(guān)注導通電阻，將其作為特定技術(shù)的主要基準參數。然而，工程師們必須在主要性能指標（如電阻和開(kāi)關(guān)損耗），與實(shí)際應用需考慮的其他因素（如足夠的可靠性）之間找到適當的平衡。優(yōu)秀的器件應該允許一定的設計自由度，以便在不對工藝和版圖進(jìn)行重大改變的情況下適應各種工況的需要。然而，關(guān)鍵的性能指標仍然是盡可能低的比電阻，并結合其他重要的參數。圖1顯示了我們認為必不可少的幾個(gè)標準，或許還
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 SiC MOSFET
深挖 GaN 潛力，中國企業(yè)別掉隊
- 氮化鎵（GaN）是一種寬禁帶半導體材料，其禁帶寬度達到 3.4eV，是最具代表性的第三代半導體材料。除了更寬的禁帶寬度，氮化鎵還具備更高的擊穿電場(chǎng)、更高的熱導率、更高的電子飽和速率，以及更優(yōu)的抗輻照能力，這些特性對于電力電子、射頻和光電子應用有獨特優(yōu)勢。GaN 產(chǎn)業(yè)上游主要包括襯底與外延片的制備，下游是 GaN 芯片元器件的設計和制造。襯底的選擇對于器件性能至關(guān)重要，襯底也占據了大部分成本，因而襯底制備是降低 GaN 器件成本的突破口。襯底GaN 單晶襯底以 2-4 英寸為主，4 英寸已實(shí)現商用，6 英寸
- 關(guān)鍵字： GaN-on-Si 氮化鎵
功率半導體“放量年”，IGBT、MOSFET與SIC的思考
- 4月24日，東芝電子元器件及存儲裝置株式會(huì )社宣布，在石川縣能美市的加賀東芝電子公司舉行了一座可處理300毫米晶圓的新功率半導體制造工廠(chǎng)的奠基儀式。該工廠(chǎng)是其主要的分立半導體生產(chǎn)基地。施工將分兩個(gè)階段進(jìn)行，第一階段的生產(chǎn)計劃在2024財年內開(kāi)始。東芝還將在新工廠(chǎng)附近建造一座辦公樓，以應對人員的增加。此外，今年2月下旬，日經(jīng)亞洲報道，東芝計劃到2024年將碳化硅功率半導體的產(chǎn)量增加3倍以上，到2026年增加10倍。而據日媒3月16日最新消息，東芝又宣布要增加SiC外延片生產(chǎn)環(huán)節，布局完成后將形成：外延設備+外
- 關(guān)鍵字： 功率半導體 IGBT MOSFET SIC
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您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條si mosfet!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對si mosfet的理解，并與今后在此搜索si mosfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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