EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
si mosfet
si mosfet 文章 進(jìn)入si mosfet技術(shù)社區
當SiC MOSFET遇上2L-SRC
- 導讀】事物皆有兩面：SiC MOSFET以更快的開(kāi)關(guān)速度，相比IGBT可明顯降低器件開(kāi)關(guān)損耗，提升系統效率和功率密度；但是高速的開(kāi)關(guān)切換，也產(chǎn)生了更大的dv/dt和di/dt，對一些電機控制領(lǐng)域的電機絕緣和EMI設計都帶來(lái)了額外的挑戰。應用痛點(diǎn)氫燃料系統中的高速空壓機控制器功率35kW上下，轉速高達10萬(wàn)轉以上，輸出頻率可達2000Hz，調制頻率50kHz以上是常見(jiàn)的設計，SiC MOSFET是很好的解決方案。但是，SiC的高dv/dt和諧波會(huì )造成空壓機線(xiàn)包發(fā)熱和電機軸電流。一般的對策有二：1.采用大的柵
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 MOSFET 2L-SRC
SiC MOSFET驅動(dòng)電壓測試結果離譜的六大原因
- _____開(kāi)關(guān)特性是功率半導體開(kāi)關(guān)器件最重要的特性之一，由器件在開(kāi)關(guān)過(guò)程中的驅動(dòng)電壓、端電壓、端電流表示。一般在進(jìn)行器件評估時(shí)可以采用雙脈沖測試，而在電路設計時(shí)直接測量在運行中的變換器上的器件波形，為了得到正確的結論，獲得精準的開(kāi)關(guān)過(guò)程波形至關(guān)重要。SiC MOSFET相較于 Si MOS 和 IGBT 能夠顯著(zhù)提高變換器的效率和功率密度，同時(shí)還能夠降低系統成本，受到廣大電源工程師的青睞，越來(lái)越多的功率變換器采用基于 SiC MOSFET 的方案。SiC MOSFET 與 Si 開(kāi)關(guān)器件的一個(gè)重要區別是它
- 關(guān)鍵字： Tektronix SiC MOSFET
耐用性更高的新型溝槽型功率MOSFET
- 在線(xiàn)性模式供電的電子系統中，功率 MOSFET器件被廣泛用作壓控電阻器，電磁干擾 (EMI) 和系統總體成本是功率MOSFET的優(yōu)勢所在。?在線(xiàn)性模式工作時(shí)，MOSFET必須在惡劣工作條件下工作，承受很高的漏極電流(ID)和漏源電壓 (VDS)，然后還需處理很高的功率。這些器件必須滿(mǎn)足一些技術(shù)要求才能提高耐用性，還必須符合熱管理限制，才能避免熱失控。?意法半導體 (ST) 推出了一款采用先進(jìn)的 STPOWER STripFET F7制造技術(shù)和H2PAK 封裝的 100V功率 MOSFE
- 關(guān)鍵字： 意法半導體 功率 MOSFET 耐用性
常見(jiàn)MOSFET失效模式的分析與解決方法
- 提高功率密度已經(jīng)成為電源變換器的發(fā)展趨勢。為達到這個(gè)目標，需要提高開(kāi)關(guān)頻率，從而降低功率損耗、系 統整體尺寸以及重量。對于當今的開(kāi)關(guān)電源(SMPS)而言，具有高可靠性也是非常重要的。零電壓開(kāi)關(guān)(ZVS) 或零電流開(kāi)關(guān)(ZCS) 拓撲允許采用高頻開(kāi)關(guān)技術(shù)，可以 大限度地降低開(kāi)關(guān)損耗。ZVS拓撲允許工作在高頻開(kāi) 關(guān)下，能夠改善效率，能夠降低應用的尺寸，還能夠降 低功率開(kāi)關(guān)的應力，因此可以改善系統的可靠性。LLC 諧振半橋變換器因其自身具有的多種優(yōu)勢逐漸成為一種 主流拓撲。這種拓撲得到了廣泛的應用，包括高端服務(wù)
- 關(guān)鍵字： MOSFET
意法半導體推出全新MDmesh MOSFET,提高功率密度和能效
- 意法半導體的 STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N溝道超結多漏極功率MOSFET晶體管非常適用于設計數據中心服務(wù)器、5G基礎設施、平板電視機的開(kāi)關(guān)式電源 (SMPS)。首批上市的兩款器件是650V STP65N045M9和600V STP60N043DM9。兩款產(chǎn)品的單位面積導通電阻(RDS(on))都非常低，可以極大程度提高功率密度，并有助于縮減系統尺寸。兩款產(chǎn)品的最大導通電阻(RDS(on)max)都處于同類(lèi)領(lǐng)先水平，STP65N045M9 為 45mΩ，STP60N043DM9 為 43
- 關(guān)鍵字： 意法半導體 MDmesh MOSFET
瑞能半導體亮相PCIM Europe, 用“芯”加碼實(shí)現最佳效率
- 2022年5月10日-12日，一年一度的PCIM Europe盛大開(kāi)幕，作為全球領(lǐng)先的功率半導體供應商，瑞能半導體攜SiC?Diodes和SiC?MOSFETs，第三代肖特基二極管G3 SBD、第五代軟恢復二極管 G5 FRD等多款旗艦產(chǎn)品重磅回歸PCIM Europe展會(huì )，全方位展示行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)、產(chǎn)品應用和解決方案，和諸多業(yè)內伙伴共話(huà)智能制造行業(yè)在全球范圍內的可持續發(fā)展。PCIM Europe即歐洲電力電子系統及元器件展，是電力電子、智能運動(dòng)、可再生能源和能源管理領(lǐng)域最具影響力的博
- 關(guān)鍵字： SiC MOSFET 瑞能半導體 PCIM Europe
Nexperia推出用于自動(dòng)安全氣囊的專(zhuān)用MOSFET (ASFET)新產(chǎn)品組合
- 基礎半導體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia推出了用于自動(dòng)化安全氣囊應用的專(zhuān)用MOSFET (ASFET)新產(chǎn)品組合，重點(diǎn)發(fā)布的BUK9M20-60EL為單N溝道60 V、13 mOhm導通內阻、邏輯控制電平MOSFET，應用于LFPAK33封裝。ASFET是專(zhuān)門(mén)為用于某一應用而設計并優(yōu)化的MOSFET。此產(chǎn)品組合是Nexperia為電池隔離、電機控制、熱插拔和以太網(wǎng)供電(PoE)應用提供的一系列ASFET中的最新產(chǎn)品。 BUK9M20-60EL采用Nexperia的新型增強安全工作區(SOA)技術(shù)
- 關(guān)鍵字： Nexperia 自動(dòng)安全氣囊 MOSFET
安森美推全球首款TOLL封裝碳化硅MOSFET 尺寸大幅縮小
- 安森美（onsemi，美國納斯達克股票代號：ON）在PCIM Europe展會(huì )發(fā)布全球首款To-Leadless（TOLL）封裝的碳化硅（SiC）MOSFET。該晶體管滿(mǎn)足了對適合高功率密度設計的高性能開(kāi)關(guān)組件迅速增長(cháng)的需求。直到最近，SiC組件一直采用明顯需要更大空間的D2PAK 7接腳封裝。TOLL封裝的尺寸僅為9.90mm x 11.68mm，比D2PAK封裝的PCB面積節省30％。而且，它的外形只有2.30mm，比D2PAK封裝的體積小60％。除了更小尺寸之外，TOLL封裝還提供比D2PAK 7接
- 關(guān)鍵字： 安森美 TOLL封裝 碳化硅 MOSFET
英飛凌推出1200 V CoolSiC MOSFET M1H芯片，以增強特性進(jìn)一步提高系統能效
- 英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了一項全新的CoolSiC?技術(shù)，即CoolSiC? MOSFET 1200 V M1H。這款先進(jìn)的碳化硅（SiC）芯片用于頗受歡迎的Easy模塊系列，以及采用基于.XT互連技術(shù)的分立式封裝，具有非常廣泛的產(chǎn)品組合。M1H芯片具有很高的靈活性，適用于必須滿(mǎn)足峰值電力需求的太陽(yáng)能系統，如光伏逆變器。同時(shí)，這款芯片也是電動(dòng)汽車(chē)快充、儲能系統和其他工業(yè)應用的理想選擇。CoolSiC技術(shù)取得的最新進(jìn)展使得柵極驅動(dòng)電壓窗口明顯增大，從而降低了既定芯片面積下的導通電阻。與此同時(shí)，隨著(zhù)柵極運行
- 關(guān)鍵字： SiC 太陽(yáng)能 MOSFET
場(chǎng)效應管常用的三大作用：放大作用、恒流輸出、開(kāi)關(guān)導通
- 1、放大電路場(chǎng)效應管具有輸入阻抗高、低噪聲等特點(diǎn)，因此經(jīng)常作為多級放大電流的輸入級，與三極管一樣，根據輸入、輸出回路公共端選擇不同，將場(chǎng)效應管放電電路分為共源、公漏、共柵三種狀態(tài)，如下圖是場(chǎng)效應管共源放大電路，其中：Rg是柵極電阻，將Rs壓降加至柵極；Rd是漏極電阻，將漏極電流轉換成漏極電壓，并影響放大倍數Au；Rs是源極電阻，為柵極提供偏壓；C3是旁路電容，消除Rs對交流信號的衰減。2、電流源電路恒流源在計量測試應用很廣泛，如下圖是主要是由場(chǎng)效應管組成的恒流源電路，這是可作為磁電式儀表調標尺工序。由于場(chǎng)
- 關(guān)鍵字： MOSFET MOS 場(chǎng)效應管
開(kāi)關(guān)電源MOS管有哪些損耗，如何減少MOS管損耗
- 一、什么是開(kāi)關(guān)電源開(kāi)關(guān)模式電源（SwitchModePowerSupply，簡(jiǎn)稱(chēng)SMPS），又稱(chēng)交換式電源、開(kāi)關(guān)變換器，是一種高頻化電能轉換裝置，是電源供應器的一種。其功能是將一個(gè)位準的電壓，透過(guò)不同形式的架構轉換為用戶(hù)端所需求的電壓或電流。開(kāi)關(guān)電源的輸入多半是交流電源（例如市電）或是直流電源，而輸出多半是需要直流電源的設備，例如個(gè)人電腦，而開(kāi)關(guān)電源就進(jìn)行兩者之間電壓及電流的轉換。二、開(kāi)關(guān)損耗開(kāi)關(guān)損耗包括導通損耗和截止損耗。1、導通損耗指功率管從截止到導通時(shí),所產(chǎn)生的功率損耗。截止損耗指功率管從導通到截止
- 關(guān)鍵字： 開(kāi)關(guān)電源 MOS MOSFET
10A電子保險絲可為48 V電源提供緊湊型過(guò)流保護
- 摘要傳統上，過(guò)流保護使用的是保險絲。但是，保險絲體積龐大，響應速度慢，跳閘電流公差大，需要在一次或幾次跳閘后更換。本文介紹一種外形緊湊、纖薄、響應速度快的10 A電子保險絲，它沒(méi)有上述這些無(wú)源保險絲缺點(diǎn)。電子保險絲可在高達48 V的DC電源軌上提供過(guò)流保護。簡(jiǎn)介為了盡量減少由電氣故障引起的系統停機時(shí)間，使用率高的電源或全年無(wú)休的系統需要在供電板上增加過(guò)載和短路保護。當電源為多個(gè)子系統或板（例如RF功率放大器陣列或基于背板的服務(wù)器和路由器）供電時(shí)，必須為電源提供過(guò)流保護?？焖贁嚅_(kāi)發(fā)生故障的子系統與共享電源總
- 關(guān)鍵字： MOSFET
功率半導體的創(chuàng )新驅動(dòng)下一代能源網(wǎng)絡(luò )建設，構建可持續發(fā)展的未來(lái)
- 全球變暖是人類(lèi)面臨的最大挑戰。全球科學(xué)家已達成共識，必須將溫室氣體排放足跡減少到 2000 年的水平，將全球氣溫上升限制在 1.5oC 以下，才能擁有一個(gè)可持續發(fā)展的未來(lái)。要實(shí)現面向未來(lái)的可持續能源網(wǎng)絡(luò )，綠色轉型勢在必行，下一代能源基礎設施必須對環(huán)境有利。安森美認為下一代能源網(wǎng)絡(luò )將主要基于太陽(yáng)能和風(fēng)能等可再生能源，并結合能源儲存的能力。此外，我們認為能耗必須向電動(dòng)汽車(chē) (EV) 等高效和零排放的負載遷移，以實(shí)現可行且可持續的能源網(wǎng)絡(luò )。圖1 21世紀能源網(wǎng)絡(luò )無(wú)論是太陽(yáng)能、風(fēng)能和儲能等可再生能源，還是電動(dòng)汽車(chē)
- 關(guān)鍵字： MOSFET
健康催生可穿戴多功能需求 東芝多款器件直面新機遇
- 可穿戴設備廣泛用于娛樂(lè )、運動(dòng)和醫療健康等領(lǐng)域，作為把多媒體、傳感器和無(wú)線(xiàn)通信等技術(shù)嵌入人們的衣著(zhù)或配件的設備，可支持手勢和眼動(dòng)操作等多種交互方式。作為消費電子業(yè)面臨的又一個(gè)新發(fā)展機遇，可穿戴設備經(jīng)歷了前些年從概念火爆到實(shí)際產(chǎn)品大量普及的過(guò)程之后，行業(yè)前景一直穩步成長(cháng)。據統計，2019年全球可穿戴技術(shù)產(chǎn)品市場(chǎng)的規模超過(guò)了500億美元，是2014年的2倍以上，可以說(shuō)可穿戴設備已成為過(guò)去5年來(lái)消費電子領(lǐng)域最成功的市場(chǎng)之一。1? ?市場(chǎng)需求持續爆發(fā)雖然2020年全球經(jīng)歷了嚴重的新冠疫情影響，部
- 關(guān)鍵字： 202009 MOSFET
如何用無(wú)橋圖騰柱功率因數校正控制器實(shí)現出色的AC-DC功率轉換效率
- 電網(wǎng)提供的電能是交流電，但我們使用的大多數設備都需要直流電，這意味著(zhù)進(jìn)行這種轉換的交流/ 直流電源是能源網(wǎng)上最常見(jiàn)的負載之一。隨著(zhù)世界關(guān)注能效以保護環(huán)境并管理運營(yíng)成本，這些電源的高效運行變得越來(lái)越重要。效率作為輸入功率與供給負載的功率之間的比率衡量，很容易理解。但是，輸入功率因數也有很大的影響。功率因數(PF) 描述了任何交流電設備（包括電源）消耗的有用（真實(shí)）功率與總（視在）功率(kVA) 之間的比值。PF 衡量消耗的電能轉換為有用功輸出的有效性。如果負載是純阻性負載，PF 將等于1，但任何負載內的無(wú)功
- 關(guān)鍵字： 202204 MOSFET 無(wú)橋圖騰柱 功率因數校正控制器
si mosfet介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條si mosfet!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對si mosfet的理解，并與今后在此搜索si mosfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對si mosfet的理解，并與今后在此搜索si mosfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
si mosfet電路
si mosfet相關(guān)帖子
si mosfet資料下載
si mosfet專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473