EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
si mosfet
si mosfet 文章 進(jìn)入si mosfet技術(shù)社區
貿澤電子開(kāi)售英飛凌XENSIV PAS CO2傳感器
- 提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷(xiāo)商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨英飛凌的XENSIV? PAS CO2二氧化碳傳感器。該產(chǎn)品基于光聲光譜學(xué) (PAS) 原理，采用高靈敏度MEMS麥克風(fēng)檢測傳感器腔內CO2分子產(chǎn)生的壓力變化。這種檢測方式可以顯著(zhù)減小CO2傳感器的尺寸，與市面上其他CO2傳感器相比，可以在最終產(chǎn)品中節省超過(guò)75%的空間。貿澤電子分銷(xiāo)的英飛凌XENSIV PAS CO2傳感器集成了光聲傳感器（包含檢測器、紅外源和光學(xué)濾波器）、用
- 關(guān)鍵字： 貿澤電子 英飛凌 XENSIV PAS CO2傳感器 MOSFET
你的MOSFET為什么發(fā)熱那么嚴重？
- 在開(kāi)關(guān)電源電路中，MOSFET作為最核心的器件，卻也是最容易發(fā)熱燒毀的，那么MOSFET到底承受了什么導致發(fā)熱呢？本文來(lái)帶你具體分析。MOSFET工作原理什么是MOSFET？MOSFET是全稱(chēng)為Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，即金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管的半導體。它可分為NPN型和PNP型。NPN型通常稱(chēng)為N溝道型，PNP型通常稱(chēng)P溝道型。如圖1所示，對于N溝道型的場(chǎng)效應管其源極和漏極接在N型半導體上，同樣對于P溝道的場(chǎng)效應管，如圖2所
- 關(guān)鍵字： MOSFET ZLG
最全！20V到1700V全覆蓋的國產(chǎn)MOSFET功率器件，工溫最高175℃
- 中國半導體功率器件十強企業(yè)：揚杰科技(YANGJIE)· 主要產(chǎn)品：中低壓MOSFET（VDSS：20V-150V）和高壓MOSFET（VDSS：500V-900V）· 廠(chǎng)牌優(yōu)勢：專(zhuān)注于功率半導體芯片及器件制造、集成電路封裝測試等領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)發(fā)展，，通過(guò)了ISO9001，ISO14001，IATF16949等認證，連續數年評為中國半導體功率器件十強企業(yè)。國內領(lǐng)先的的分立器件研發(fā)企業(yè)：長(cháng)晶科技（JSCJ）· 主要產(chǎn)品：覆蓋了12V~700V的功率型MOSFET· 廠(chǎng)牌優(yōu)勢：專(zhuān)注于功率器件、分立器件、頻率器件、
- 關(guān)鍵字： MOSFET 楊杰科技 長(cháng)晶科技
同時(shí)實(shí)現業(yè)界超快反向恢復時(shí)間和超低導通電阻的600V耐壓超級結 MOSFET “R60xxVNx系列”
- 全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）的600V耐壓超級結 MOSFET“PrestoMOS?”產(chǎn)品陣容中又新增了“R60xxVNx系列”的7款機型，新產(chǎn)品非常適用于電動(dòng)汽車(chē)充電樁、服務(wù)器、基站等需要大功率的工業(yè)設備的電源電路、以及空調等因節能趨勢而采用變頻技術(shù)的白色家電的電機驅動(dòng)。近年來(lái)，隨著(zhù)全球電力消耗量的增加，如何有效利用電力已成為亟待解決的課題，在這種背景下，電動(dòng)汽車(chē)充電樁、服務(wù)器和基站等工業(yè)設備以及空調等白色家電的效率不斷提升，因此也就要求其中所用的功率半導體進(jìn)一步降低功率損耗。針對這種
- 關(guān)鍵字： MOSFET
英飛凌推出采用D2PAK封裝的650 V CoolSiCTM MOSFET，進(jìn)一步降低應用損耗并提高可靠性
- 在數字化、城市化和電動(dòng)汽車(chē)等大趨勢的推動(dòng)下，電力消耗日益增加。與此同時(shí)，提升能源效率的重要性也在與日俱增。為了順應當下全球發(fā)展大勢并滿(mǎn)足相關(guān)市場(chǎng)需求，英飛凌科技股份公司近日推出了650 V CoolSiCTM MOSFET系列新產(chǎn)品。該產(chǎn)品具有高可靠性、易用性和經(jīng)濟實(shí)用等特點(diǎn)，能夠提供卓越的性能。這些SiC器件采用了英飛凌先進(jìn)的SiC溝槽工藝、緊湊的D2PAK 表面貼裝7引腳封裝和.XT互連技術(shù)，廣泛適用于大功率應用，包括服務(wù)器、電信設備、工業(yè)SMPS、電動(dòng)汽車(chē)快速充電、電機驅動(dòng)、太陽(yáng)能系統、儲能系統和電
- 關(guān)鍵字： MOSFET
東芝推出采用最新一代工藝的150V N溝道功率MOSFET，可大幅提高電源效率
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社（“東芝”）近日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。該器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工藝，適用于工業(yè)設備開(kāi)關(guān)電源，其中包括數據中心電源和通信基站電源。該產(chǎn)品于今日開(kāi)始支持批量出貨。與使用當前一代“U-MOSⅧ-H”工藝的150V產(chǎn)品TPH1500CNH相比，TPH9R00CQH的漏源導通電阻下降約42%。對新型MOSFET的結構優(yōu)化促進(jìn)實(shí)現源漏導通電阻和兩項電荷特性[2]之間的平衡[3]，從而實(shí)現了優(yōu)異的低損耗特性。此外，開(kāi)關(guān)
- 關(guān)鍵字： MOSFET
恩智浦與日立能源合作開(kāi)發(fā)電源模塊，加快碳化硅在電動(dòng)交通領(lǐng)域的采用
- 恩智浦半導體（NXP Semiconductors N.V.）近日宣布與日立能源合作，加快碳化硅（SiC）電源半導體模塊在電動(dòng)交通領(lǐng)域的采用。此次合作項目為動(dòng)力逆變器提供基于SiC MOSFET的解決方案，更高效可靠且功能安全，該解決方案由恩智浦先進(jìn)的高性能GD3160隔離式高壓柵極驅動(dòng)器和日立能源RoadPak汽車(chē)SiC MOSFET功率模塊組成。產(chǎn)品重要性電動(dòng)汽車(chē)廠(chǎng)商采用SiC MOSFET動(dòng)力器件，可比采用傳統硅IGBT獲得更高的續航里程，提高系統整體效率。SiC MOSFET功率器件帶有高性能功率
- 關(guān)鍵字： MOSFET
如何為開(kāi)關(guān)電源選擇合適的MOSFET？
- DC/DC開(kāi)關(guān)控制器的MOSFET選擇是一個(gè)復雜的過(guò)程。僅僅考慮MOSFET的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的MOSFET。要想讓MOSFET維持在規定范圍以?xún)?，必須在低柵極電荷和低導通電阻之間取得平衡。在多負載電源系統中，這種情況會(huì )變得更加復雜。圖1：降壓同步開(kāi)關(guān)穩壓器原理圖。DC/DC開(kāi)關(guān)電源因其高效率而廣泛應用于現代許多電子系統中。例如，同時(shí)擁有一個(gè)高側FET和低側FET的降壓同步開(kāi)關(guān)穩壓器，如圖1所示。這兩個(gè)FET會(huì )根據控制器設置的占空比進(jìn)行開(kāi)關(guān)操作，旨在達到理想的輸出電壓。降壓穩壓器的占空比方
- 關(guān)鍵字： 開(kāi)關(guān)電源 MOSFET
Nexperia先進(jìn)電熱模型可覆蓋整個(gè)MOSFET工作溫度范圍
- 基礎半導體元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia（安世半導體）近日宣布MOSFET器件推出全新增強型電熱模型。半導體制造商通常會(huì )為MOSFET提供仿真模型，但一般僅限于在典型工作溫度下建模的少量器件參數。Nexperia的全新先進(jìn)模型可捕獲-55℃至175℃的整個(gè)工作溫度范圍的一系列完整器件參數。這些先進(jìn)模型中加入了反向二極管恢復時(shí)間和電磁兼容性(EMC)，大大提升了器件整體精度。參數可幫助工程師建立精確的電路和系統級仿真，并在原型設計前對電熱及EMC性能進(jìn)行評估。模型還有助于節省時(shí)間和資源，工程師此
- 關(guān)鍵字： Nexperia 電熱模型 MOSFET
羅姆SiC評估板測評：快充測試
- 一、測試工裝準備1、P02SCT3040KR-EVK-001測試板2、電壓源3、示波器4、負載儀二、測試項目進(jìn)行1、安裝 SIC后的空載波形SiC安裝空載波形空板，空載GS 為100hz 25V 信號2、DCDC 在線(xiàn)測試1）空載測試驅動(dòng)空載輸出12V，gs驅動(dòng)為200hz總寬度3.6uS的錐形信號2）加載 24轉55V 2A dcdc驅動(dòng)信號波形如下：帶載 6.6k 15V驅動(dòng)信號單脈沖寬度，3uS左右總結由于輕負載，溫度始終未超過(guò)50度。開(kāi)關(guān)速度方面優(yōu)于硅基產(chǎn)品，以后有對應設備
- 關(guān)鍵字： SiC 碳化硅 MOSFET ROHM
si mosfet介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條si mosfet!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對si mosfet的理解，并與今后在此搜索si mosfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對si mosfet的理解，并與今后在此搜索si mosfet的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
si mosfet電路
si mosfet相關(guān)帖子
si mosfet資料下載
si mosfet專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473