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Nexperia將于2021年9月21日-23日舉辦“Power Live”

基礎半導體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia，今日宣布將于9月21日至23日舉辦‘Power Live’，這是其第二次舉辦此年度虛擬會(huì )議。鑒于去年首屆活動(dòng)取得圓滿(mǎn)成功，本屆為期三天的活動(dòng)將擴大規模，涵蓋與功率電子元件相關(guān)的眾多主題，包括面向汽車(chē)和工業(yè)應用的GaN、MOSFET、功率二極管和雙極性晶體管。會(huì )議重點(diǎn)將包括：l MOSFET全電熱模型Nexperia新款MOSFET電熱模型的詳細預覽，該模型可以在仿真中準確呈現器件的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性，并降低在設計過(guò)程后期發(fā)現EMC問(wèn)題的風(fēng)險。 l
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Nexperia再度蟬聯(lián)博世全球供應商大獎

基礎半導體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia非常榮幸地宣布，公司榮獲博世全球供應商榮譽(yù)大獎“采購直接材料 - 移動(dòng)解決方案”。連續兩次獲得這一殊榮足以證明Nexperia與全球領(lǐng)先的技術(shù)和服務(wù)供應商博世已建立長(cháng)期協(xié)作關(guān)系，包括合作進(jìn)行早期階段的產(chǎn)品開(kāi)發(fā)，以應對汽車(chē)行業(yè)面臨的挑戰。博世供應鏈管理主管Arne Flemming博士表示：“博世全球供應商大獎旨在表彰全球各地的最佳供應商。作為開(kāi)發(fā)和創(chuàng )新領(lǐng)域的合作伙伴，他們在幫助博世保持競爭力方面發(fā)揮了重要作用?！?每隔兩年，博世會(huì )從全球各地的供應商中挑
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適用于熱插拔的Nexperia新款特定應用MOSFET

新推出的80 V和100 V器件最大限度降低額定值，并改善均流，從而提供最佳性能、高可靠性并降低系統成本?；A半導體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia今日宣布推出新款80 V和100 V ASFET，新器件增強了SOA性能，適用于5G電信系統和48 V服務(wù)器環(huán)境中的熱插拔與軟啟動(dòng)應用以及需要e-fuse和電池保護的工業(yè)設備。 ASFET是一種新型MOSFET，經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可用于特定應用場(chǎng)景。通過(guò)專(zhuān)注于對某一應用至關(guān)重要的特定參數，有時(shí)需要犧牲相同設計中其他較不重要的參數，以實(shí)現全新性能水平。新款熱插拔ASFET
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Nexperia的新型雙極結晶體管采用DPAK封裝，為汽車(chē)和工業(yè)應用提供高可靠性

基礎半導體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia今日宣布推出9款新的功率雙極性晶體管，擴大了具有散熱和電氣優(yōu)勢的DPAK封裝的產(chǎn)品組合，涵蓋2 A - 8 A 和45 V - 100 V應用。新的MJD系列器件與其他DPAK封裝的MJD器件引腳兼容，且在可靠性方面有著(zhù)顯著(zhù)優(yōu)勢。新的MJD系列雙極性晶體管滿(mǎn)足AEC-Q101汽車(chē)級器件和工業(yè)級器件標準，額定值為2 A 50 V (MJD2873/-Q)、3 A 100 V (MJD31CH-Q)、4 A 45 V (MJD148/-Q)和6 A 100 V（MJD4
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獨立半導體設備制造商ITEC借助高生產(chǎn)率的芯片組裝系統緩解半導體短缺問(wèn)題

由飛利浦（現為Nexperia）于1991年創(chuàng )立的半導體設備制造商ITEC，今日宣布成為獨立實(shí)體。ITEC仍然是Nexperia集團的一部分。通過(guò)此舉，ITEC能夠及時(shí)解決第三方市場(chǎng)的問(wèn)題，滿(mǎn)足對半導體的噴井式需求。ITEC致力為全球半導體制造商提供經(jīng)久耐用的創(chuàng )新性制造解決方案。 ITEC一直處于半導體生產(chǎn)的前沿?？偨?jīng)理Marcel Vugts表示：“ITEC扎根于半導體制造領(lǐng)域，作為飛利浦、恩智浦和Nexperia的合作伙伴，我們將30多年來(lái)的自動(dòng)化專(zhuān)業(yè)知識與最先進(jìn)的設備結合起來(lái)。ITEC致力于將最新的
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Nexperia獲得Newport Wafer Fab的100%所有權，正式更名為Nexperia Newport

基礎半導體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia宣布已完成收購Newport Wafer Fab (NWF)的交易，此舉可助力公司實(shí)現宏偉的增長(cháng)目標和投資，進(jìn)一步提高全球產(chǎn)能。通過(guò)此次收購，Nexperia獲得了該威爾士半導體硅芯片生產(chǎn)工廠(chǎng)的100%所有權。Nexperia Newport將繼續在威爾士半導體生態(tài)系統中占據重要地位，引領(lǐng)新港地區和該區域其他工廠(chǎng)的技術(shù)研發(fā)。 Nexperia是Newport Wafer Fab所提供晶圓代工服務(wù)的客戶(hù)，并于2019年通過(guò)投資Neptune 6 Limite
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Nexperia全球最小且最薄的14、16、20和24引腳標準邏輯DHXQFN封裝

基礎半導體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia今日宣布推出用于標準邏輯器件的全球最小且最薄的14、16、20和24引腳封裝。例如，16引腳DHXQFN封裝比行業(yè)標準DQFN16無(wú)引腳器件小45%。新封裝不但比競爭產(chǎn)品管腳尺寸更小，而且還節省了25%的PCB面積。封裝尺寸僅為2 mm x 2 mm（14 引腳）、2 mm x 2.4 mm（16引腳）、2 mm x 3.2 mm（20引腳）和2 mm x 4 mm（24引腳），0.4 mm間距的DHXQFN封裝只有0.45 mm高。器件包括：十六路反向
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Nexperia新8英寸晶圓線(xiàn)啟動(dòng)，生產(chǎn)領(lǐng)先Qrr品質(zhì)因數80 V/100 V MOSFET

基礎半導體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia今日宣布，位于英國曼徹斯特的新8英寸晶圓生產(chǎn)線(xiàn)啟動(dòng)，首批產(chǎn)品使用最新的NextPower芯片技術(shù)的低RDS(on)和低Qrr ，80 V和100 V MOSFET。新生產(chǎn)線(xiàn)將立即擴大Nexperia的產(chǎn)能，新的PSMN3R9-100YSF (100 V)和PSMN3R5-80YSF (80 V)器件將具有行業(yè)內極低的Qrr品質(zhì)因數(RDS(on) x Qrr)。Nexperia產(chǎn)品經(jīng)理Mike Becker指出：“鑒于全球半導體短缺的情況下，Nexperia積極投資
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Nexperia計劃在2021和2022年投資7億美元提高產(chǎn)能

基礎半導體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia宣布了全球增長(cháng)戰略最新舉措，即在未來(lái)12個(gè)月至15個(gè)月期間投資7億美元用于擴建歐洲的晶圓廠(chǎng)、亞洲的封裝和測試工廠(chǎng)和全球的研發(fā)基地。新投資將提高所有工廠(chǎng)的制造能力、支持氮化鎵(GaN)寬帶隙半導體和電源管理IC等領(lǐng)域的研發(fā)，并將支持舉辦招聘活動(dòng)，吸引更多芯片設計師和工程師人才。 Nexperia首席運營(yíng)官Achim Kempe表示：“全球半導體市場(chǎng)正逐漸走出去年上半年以來(lái)的頹勢，并重新崛起。2020年，Nexperia 年銷(xiāo)售額為14億美元，銷(xiāo)量從去年第三季度和第四
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Nexperia新型40 V低RDS(on) MOSFET助力汽車(chē)和工業(yè)應用實(shí)現更高功率密度

基礎半導體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia今日宣布推出新型0.55 m? RDS(on) 40 V功率MOSFET，該器件采用高可靠性的LFPAK88封裝，適用于汽車(chē)(BUK7S0R5-40H)和工業(yè)(PSMNR55-40SSH)應用。這些器件是Nexperia所生產(chǎn)的RDS(on) 值最低的40 V器件，更重要的是，它們提供的功率密度相比傳統D2PAK器件提高了50倍以上。此外，這些新型器件還可在雪崩和線(xiàn)性模式下提供更高的性能，從而提高了耐用性和可靠性。Nexperia產(chǎn)品市場(chǎng)經(jīng)理Neil M
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Nexperia推出全新Trench肖特基整流器旨在為快速開(kāi)關(guān)應用提高效率

奈梅亨，2021年5月10日：基礎半導體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia宣布擴充了旗下的Trench肖特基整流器產(chǎn)品組合，最新推出額定電壓和電流分別高達100 V和20 A的全新器件，具有出色的開(kāi)關(guān)性能和領(lǐng)先的熱性能。新器件采用Nexperia的夾片式FlatPower (CFP)封裝，管腳尺寸遠小于SMA/SMB/SMC器件。 Trench工藝可在降低漏電流的同時(shí)，大幅減少存儲在器件中的Qrr電荷。因而，Trench肖特基整流器能夠實(shí)現超快的開(kāi)關(guān)速度，既能減少整流器的開(kāi)關(guān)損耗，又減少了同一換向單元中MOS
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Nexperia第二代650 V氮化鎵場(chǎng)效應管使80 PLUS?鈦金級電源可在2 kW或更高功率下運行

基礎半導體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列開(kāi)始批量供貨。與之前的技術(shù)和競爭對手器件相比，新款器件具有顯著(zhù)的性能優(yōu)勢。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，適用于2 kW至10 kW的單相AC/DC和DC/DC工業(yè)開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)，特別是必須滿(mǎn)足80 PLUS?鈦金級效率認證的服務(wù)器電源和高效率要求的電信電源。該器件也非常適合相同功率范圍內的太陽(yáng)能逆變器和伺服驅動(dòng)器。全新650V H2功率GaN FET采用TO-2
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Nexperia推出適用于汽車(chē)應用中高速接口的新型ESD保護器件

基礎半導體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia宣布推出一系列ESD保護器件，專(zhuān)門(mén)用于保護汽車(chē)應用中越來(lái)越多的高速接口，特別是與信息娛樂(lè )和車(chē)輛通訊相關(guān)的車(chē)載網(wǎng)絡(luò )(IVN)。隨著(zhù)數據傳輸速率的提高和車(chē)載電子含量的增加，EMC保護的需求變得越來(lái)越重要，提供正確的保護類(lèi)型已成為設計工程師的巨大挑戰。Nexperia的TrEOS技術(shù)優(yōu)化了ESD保護的三大關(guān)鍵參數（信號完整性、系統保護和魯棒性），以提供具有低電容、低鉗位電壓和高ESD魯棒性的理想組合的器件。全新的PESD4USBx系列總共包括十二款采用Tr
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Nexperia與聯(lián)合汽車(chē)電子有限公司就氮化鎵領(lǐng)域達成深度合作

基礎半導體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia宣布與國內汽車(chē)行業(yè)主要供應商聯(lián)合汽車(chē)電子有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)UAES）在功率半導體氮化鎵（GaN）領(lǐng)域展開(kāi)深度合作，旨在滿(mǎn)足未來(lái)對新能源汽車(chē)電源系統不斷提升的技術(shù)需求，共同致力于推動(dòng)GaN工藝技術(shù)在中國汽車(chē)市場(chǎng)的研發(fā)和應用。隨著(zhù)汽車(chē)電氣化、5G通信、工業(yè)4.0市場(chǎng)的不斷增長(cháng)，基于GaN的主流設計正漸入佳境，勢必推動(dòng)2021年及未來(lái)功率半導體的需求增長(cháng)。Nexperia GaN FET產(chǎn)品已與UAES在電動(dòng)汽車(chē)的車(chē)載充電器、高壓DC-DC直流轉換器等項目中開(kāi)展研發(fā)合作。N
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Nexperia擴展LFPAK56D MOSFET產(chǎn)品系列，推出符合AEC-Q101標準的半橋封裝產(chǎn)品

關(guān)鍵半導體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia今天宣布推出一系列采用節省空間的LFPAK56D封裝技術(shù)的半橋（高端和低端）汽車(chē)MOSFET。采用兩個(gè)MOSFET的半橋配置是許多汽車(chē)應用（包括電機驅動(dòng)器和DC/DC轉換器）的標準構建模塊。這種新封裝提供了一種單器件半橋解決方案。與用于三相電機控制拓撲的雙通道MOSFET相比，由于去掉了PCB線(xiàn)路，其占用的PCB面積減少了30%，同時(shí)支持在生產(chǎn)過(guò)程中進(jìn)行簡(jiǎn)單的自動(dòng)光學(xué)檢測(AOI)。LFPAK56D半橋產(chǎn)品采用現有的大批量LFPAK56D封裝工藝，并具有成熟的汽車(chē)級
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