適用于熱插拔的Nexperia新款特定應用MOSFET

新推出的80 V和100 V器件最大限度降低額定值，并改善均流，從而提供最佳性能、高可靠性并降低系統成本。

基礎半導體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia今日宣布推出新款80 V和100 V ASFET，新器件增強了SOA性能，適用于5G電信系統和48 V服務(wù)器環(huán)境中的熱插拔與軟啟動(dòng)應用以及需要e-fuse和電池保護的工業(yè)設備。

ASFET是一種新型MOSFET，經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可用于特定應用場(chǎng)景。通過(guò)專(zhuān)注于對某一應用至關(guān)重要的特定參數，有時(shí)需要犧牲相同設計中其他較不重要的參數，以實(shí)現全新性能水平。新款熱插拔ASFET將Nexperia的最新硅技術(shù)與銅夾片封裝結構相結合，顯著(zhù)增強安全工作區(SOA)并最大限度縮小PCB面積。

以前，MOSFET深受Spirito效應的影響，導致SOA性能因在較高電壓下的熱不穩定性而迅速下降。Nexperia堅固耐用的增強型SOA技術(shù)消除了“Spirito-knee”，與前幾代D2PAK相比，在50 V時(shí)SOA增加了166%。

另一項重要改進(jìn)是數據手冊中添加了125 °C SOA特性。Nexperia國際產(chǎn)品高級營(yíng)銷(xiāo)經(jīng)理Mike Becker表示：“以前只在25 °C時(shí)指定SOA，這意味著(zhù)在高溫環(huán)境中的操作，設計師必須進(jìn)行降額。我們的新款熱插拔ASFET包括125 °C SOA規范，消除了該耗時(shí)的任務(wù)，并證實(shí)了Nexperia的器件即使在高溫下也具有出色的性能?！?

全新PSMN4R2-80YSE（80 V，4.2 m）和PSMN4R8-100YSE（100 V，4.8 m）熱插拔ASFET采用兼容Power-SO8的LFPAK56E封裝。該封裝獨特的內部銅夾片結構提高了熱性能與電氣性能，同時(shí)大大減小了管腳尺寸。  全新的LFPAK56E產(chǎn)品尺寸僅為5 mm x 6 mm x 1.1 mm，與上一代D2PAK相比，PCB管腳尺寸和器件高度分別縮小80%和75%。此外，器件的最大結溫為175 °C，符合IPC9592對電信和工業(yè)應用的規定。

Becker補充道：“另外一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是在需要多個(gè)熱插拔MOSFET并聯(lián)使用的高功率應用中，使均流能力得到改善，從而提高了可靠性并降低了系統成本， Nexperia被廣泛認為是熱插拔MOSFET市場(chǎng)領(lǐng)導者。憑借這些最新的ASFET，我們再一次提高了標準?！?

新款熱插拔ASFET是最新器件，將在Nexperia位于英國曼徹斯特的新8英寸晶圓生產(chǎn)廠(chǎng)制造，已準備好批量生產(chǎn)。