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Nexperia推出全新電平轉換器以支持傳統和未來(lái)的手機SIM卡

基礎半導體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia今日宣布推出其電平轉換器系列的新晉產(chǎn)品：NXT4557GU和NXT4556UP。新器件可實(shí)現下一代低壓手機基帶處理器與用戶(hù)身份模塊(SIM)卡的無(wú)縫連接。隨著(zhù)處理器的幾何尺寸向個(gè)位數納米節點(diǎn)發(fā)展，先進(jìn)SOC的核心電壓也正逐漸下降。此發(fā)展趨勢導致對電壓轉換器的需求日益增加，以將SOC連接到其他標準處理設備和I/O端口（如傳統的Class B和Class C SIM卡）。 NXT4557GU和NXT4556UP是雙電源轉換器，支持主機處理器側1.08 V至1
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Nexperia的USB4 ESD二極管件實(shí)現了保護和性能的出色平衡

基礎半導體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia今日宣布推出兩款經(jīng)優(yōu)化的靜電放電(ESD)保護二極管件，適用于高速數據線(xiàn)中的重定時(shí)器和信號中繼器。PESD2V8Y1BSF專(zhuān)為保護USB4 (Thunderbolt)接口而設計，而PESD4V0Y1BCSF可適用于USB4以及HDMI 2.1。這兩款產(chǎn)品均使用Nexperia的成熟TrEOS技術(shù)，集低鉗位、低電容和高穩健性?xún)?yōu)勢于一身。重定時(shí)器和信號中繼器是設計高速USB4接口常用的器件。它們需要電路板走線(xiàn)變更短，從而降低寄生電感，但也會(huì )意外地降低整體系統
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Nexperia和KYOCERA AVX Components Salzburg就車(chē)規氮化鎵功率模塊達成合作

基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia近日宣布與國際著(zhù)名的為汽車(chē)行業(yè)提供先進(jìn)電子器件的供應商KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH建立合作關(guān)系，攜手研發(fā)車(chē)規氮化鎵(GaN)功率模塊。雙方長(cháng)期保持著(zhù)緊密的聯(lián)系，此次進(jìn)一步合作的目標是共同開(kāi)發(fā)GaN功率器件在電動(dòng)汽車(chē)(EV)上的應用。隨著(zhù)客運車(chē)輛日益電氣化，市場(chǎng)對功率半導體的要求也在不斷提高，需要在越來(lái)越高的功率密度下提供高效的功率轉換。高壓功率氮化鎵場(chǎng)效應晶體管(GaN FET)與創(chuàng )新型封裝技術(shù)相結合，可以滿(mǎn)
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Nexperia推出全新汽車(chē)級CFP2-HP二極管,進(jìn)一步擴展銅夾片粘合FlatPower封裝二極管產(chǎn)品范圍

基礎半導體領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia近日宣布推出適用于電力應用的14款整流二極管，采用其新型CFP2-HP（銅夾片粘合FlatPower）封裝。提供標準版和AECQ-101版，其中包括45 V、60 V和100 V Trench肖特基整流二極管（帶1 A和2 A選項），例如PMEG100T20ELXD-Q就是一款100V、2 A的Trench肖特基整流二極管。針對要求超快速恢復的應用，Nexperia還在產(chǎn)品組合中增加了200 V、1 A PNE20010EXD-Q整流二極管。在現代汽車(chē)架構中，
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Nexperia推出全新汽車(chē)級CFP2-HP二極管

基礎半導體領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今日宣布推出適用于電力應用的14款整流二極管，采用其新型CFP2-HP（銅夾片粘合FlatPower）封裝。提供標準版和AECQ-101版，其中包括45 V、60 V和100 V Trench肖特基整流二極管（帶1 A和2 A選項），例如PMEG100T20ELXD-Q就是一款100V、2 A的Trench肖特基整流二極管。針對要求超快速恢復的應用，Nexperia還在產(chǎn)品組合中增加了200 V、1 A PNE20010EXD-Q整流二極管。在現
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Nexperia推出用于自動(dòng)安全氣囊的專(zhuān)用MOSFET (ASFET)新產(chǎn)品組合

基礎半導體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia推出了用于自動(dòng)化安全氣囊應用的專(zhuān)用MOSFET (ASFET)新產(chǎn)品組合，重點(diǎn)發(fā)布的BUK9M20-60EL為單N溝道60 V、13 mOhm導通內阻、邏輯控制電平MOSFET，應用于LFPAK33封裝。ASFET是專(zhuān)門(mén)為用于某一應用而設計并優(yōu)化的MOSFET。此產(chǎn)品組合是Nexperia為電池隔離、電機控制、熱插拔和以太網(wǎng)供電(PoE)應用提供的一系列ASFET中的最新產(chǎn)品。 BUK9M20-60EL采用Nexperia的新型增強安全工作區(SOA)技術(shù)
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Nexperia公布2021年營(yíng)收數據

基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今日公布2021年財務(wù)業(yè)績(jì)，數據顯示公司在所有領(lǐng)域均實(shí)現強勁增長(cháng)。這家半導體制造公司專(zhuān)門(mén)供應分立器件、功率器件和邏輯IC，2021年總營(yíng)收同比增長(cháng)49%，達到21.4億美元。這意味著(zhù)Nexperia的業(yè)績(jì)表現優(yōu)于整個(gè)半導體市場(chǎng)，公司市場(chǎng)份額得以提高1%，達到9.4%。過(guò)去五年，Nexperia的制造能力不斷提升，目前已經(jīng)處于行業(yè)前沿，完全符合汽車(chē)行業(yè)的最高標準，且能提供全面的產(chǎn)品組合。Nexperia首席財務(wù)官Stefan Tilger表示：“我們公司自
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Nexperia繼續擴充采用小型DFN封裝、配有側邊可濕焊盤(pán)的分立器件產(chǎn)品

基礎半導體元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia，今日宣布其分立式器件系列推出新品，新器件采用無(wú)引腳DFN封裝，配有側邊可濕焊盤(pán) (SWF)。這些器件堅固耐用，節省空間，有助于滿(mǎn)足下一代智能電動(dòng)汽車(chē)的應用需求。Nexperia的所有產(chǎn)品系列都符合AEC-Q101標準，包括： · 采用DFN1110D-3封裝的BC817QBH-Q和BC807QBH-Q系列45V 500mA NPN/NPN通用三極管?！?nbsp;&nbs
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Nexperia正式啟動(dòng)全新達拉斯設計中心

Nexperia近日宣布，其位于德州達拉斯的全新設計中心正式啟動(dòng)。值此成為獨立實(shí)體五周年之際，這一舉措標志Nexperia朝著(zhù)2030年成為全球基礎半導體領(lǐng)軍企業(yè)的既定目標又邁出了重要的一步。達拉斯設計中心是Nexperia在北美地區設立的第一家研發(fā)機構，專(zhuān)注于開(kāi)發(fā)模擬信號轉換和電源管理IC。新研發(fā)中心由Nexperia電源和信號轉換業(yè)務(wù)部門(mén)總經(jīng)理Irene Deng領(lǐng)導，她表示：“達拉斯設計中心代表了公司的一個(gè)關(guān)鍵里程碑，一方面是因為它體現了Nexperia在北美推進(jìn)研究工作的決心，另一方面它還將助力N
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Nexperia先進(jìn)電熱模型可覆蓋整個(gè)MOSFET工作溫度范圍

基礎半導體元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia（安世半導體）近日宣布MOSFET器件推出全新增強型電熱模型。半導體制造商通常會(huì )為MOSFET提供仿真模型，但一般僅限于在典型工作溫度下建模的少量器件參數。Nexperia的全新先進(jìn)模型可捕獲-55℃至175℃的整個(gè)工作溫度范圍的一系列完整器件參數。這些先進(jìn)模型中加入了反向二極管恢復時(shí)間和電磁兼容性(EMC)，大大提升了器件整體精度。參數可幫助工程師建立精確的電路和系統級仿真，并在原型設計前對電熱及EMC性能進(jìn)行評估。模型還有助于節省時(shí)間和資源，工程師此
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Nexperia迎來(lái)獨立公司成立五周年慶典，未來(lái)將繼續大展宏圖

Nexperia（安世半導體）今天隆重宣布 - 慶祝公司作為獨立實(shí)體進(jìn)入半導體行業(yè)五周年。Nexperia仍是一個(gè)較為年輕的品牌，但憑借過(guò)去幾十年在半導體制造領(lǐng)域樹(shù)立的良好口碑和強勁表現，經(jīng)過(guò)五個(gè)春秋的不懈努力，已經(jīng)在市場(chǎng)站穩腳跟。回望2017年成立之初，Nexperia秉持滿(mǎn)懷激情和專(zhuān)業(yè)精深的精神積極打造創(chuàng )新產(chǎn)品，既滿(mǎn)足了客戶(hù)需求，也實(shí)現了與客戶(hù)的共同成長(cháng)。五年來(lái)，Nexperia展現了種種前瞻性理念和業(yè)績(jì)增長(cháng)，推出引領(lǐng)市場(chǎng)的產(chǎn)品，實(shí)現業(yè)界先進(jìn)水平的產(chǎn)能開(kāi)發(fā)，可在持續滿(mǎn)足嚴苛的車(chē)規級標準
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Nexperia50μA齊納二極管可延長(cháng)電池續航時(shí)間，節省PCB空間

基礎半導體元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今日宣布推出全系列低電流穩壓器二極管。50μA齊納二極管系列提供3種不同的表貼(SMD)封裝選項，采用超小型分立式扁平無(wú)引腳(DFN)封裝以及符合AEC-Q101標準的器件，為客戶(hù)提供了更多選擇和靈活性。這些高效率二極管采用在低測試電流(50μA)下的性能工作，非常適合移動(dòng)、可穿戴、汽車(chē)和工業(yè)應用中的低偏置電流和便攜式電池供電設備。 Nexperia產(chǎn)品經(jīng)理Paula Stümer表示：“DFN1006BD-2封裝器件配有可濕錫焊接側側邊可濕錫
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Nexperia推出一系列A-selection齊納二極管，可提供高精度基準電壓

基礎半導體元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia（安世半導體）今天宣布推出業(yè)內首批A-selection齊納二極管。BZT52H-A(SOD123F)和BZX384-A(SOD323)系列的容差僅有±1%，相比B(±2%)和C(±5%)版本，可提供更高精度的基準電壓。這兩個(gè)系列不僅可以滿(mǎn)足日漸增長(cháng)的移動(dòng)便攜式和可穿戴應用、汽車(chē)和工業(yè)應用的需求及監管要求，也可以支持Q產(chǎn)品組合器件。 “Nexperia的A-selection齊納二極管涵蓋從1.8V至75V的各種應用，提供高精度、低容差基準電壓
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Nexperia推出全新高性能碳化硅(SiC)二極管系列

基礎半導體元器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia，今天宣布推出650V、10A SiC肖特基二極管，正式進(jìn)軍高功率碳化硅(SiC)二極管市場(chǎng)。這對于高效功率氮化鎵(GaN) FET的可靠供應商Nexperia而言是一項戰略性舉措，旨在擴展高壓寬禁帶半導體器件產(chǎn)品范圍。 Nexperia的首款SiC肖特基二極管為工業(yè)級器件，重復反向峰值電壓為650V(VRRM)，持續正向電流為10A(IF)，旨在為功率轉換應用實(shí)現超高性能、高效率、低損耗。以及兼容高壓的具有更高爬電距離的純雙引腳(R2P)封裝，使該系列
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Nexperia表面貼裝器件通過(guò)汽車(chē)應用的板級可靠性要求

基礎半導體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia宣布，公司研發(fā)的表面貼裝器件-銅夾片FlatPower封裝CFP15B首次通過(guò)領(lǐng)先的一級供應商針對汽車(chē)應用的板級可靠性 (BLR)測試。該封裝將首先應用于發(fā)動(dòng)機控制單元。 BLR是一種評估半導體封裝堅固性和可靠性的方法。測試遵循極為嚴格的程序，在十分注重安全性和可靠性的汽車(chē)應用中具有重要的指導意義。隨著(zhù)汽車(chē)行業(yè)向電動(dòng)和車(chē)聯(lián)網(wǎng)轉型，車(chē)載電子系統越來(lái)越復雜，因此該認證至關(guān)重要。 Nexperia雙極性功率分立器件產(chǎn)品經(jīng)理Guido S?h
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