Nexperia將于2021年9月21日-23日舉辦“Power Live”
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/202108/427892.htm
會(huì )議重點(diǎn)將包括:
l MOSFET全電熱模型
Nexperia新款MOSFET電熱模型的詳細預覽,該模型可以在仿真中準確呈現器件的靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性,并降低在設計過(guò)程后期發(fā)現EMC問(wèn)題的風(fēng)險。
l 650V CCPAK貼片封裝氮化鎵器件評估
行業(yè)領(lǐng)先的CCPAK封裝氮化鎵器件的評估板即將推出,便于使用雙脈沖測試評估其特性和優(yōu)勢。
l 功率MOSFET在工業(yè)應用中的設計
無(wú)論出于什么原因、什么時(shí)間需要一路500 A的MOSFET,它都需要能優(yōu)化關(guān)鍵特性并管理涌入電流和熱SOA曲線(xiàn)。
l 肖特基整流器、鍺化硅整流器或恢復(PN)整流器?
如何通過(guò)選擇最合適的功率二極管,在LED驅動(dòng)器或電磁閥驅動(dòng)器等汽車(chē)應用中實(shí)現出色的效率和可靠性。
整個(gè)議程將包括現場(chǎng)演示,邀請工程師討論當今使用功率器件進(jìn)行設計時(shí)面臨的最大挑戰,同時(shí)還會(huì )展示Nexperia重要合作伙伴的案例研究和貢獻。在活動(dòng)期間,參會(huì )者還可以觀(guān)看Nexperia資深功率專(zhuān)家直接從公司全球實(shí)驗室為大家帶來(lái)的最新技術(shù)演示。
此次‘Power Live’活動(dòng)將于9月23日(星期四)結束,由Nexperia和行業(yè)專(zhuān)家共同參與的GaN小組討論將是最后一場(chǎng)活動(dòng)。這將是一場(chǎng)針對探討對技術(shù)和市場(chǎng)想法及影響的開(kāi)放式論壇,非常歡迎與會(huì )者的傾情貢獻。
Nexperia全球營(yíng)銷(xiāo)主管Robby Ferdinandus針對‘Power Live’評論道:“去年我們第一次舉辦活動(dòng)時(shí)得到了非常棒的反饋。超過(guò)700多名工程師注冊參加,并且許多人表示能與現場(chǎng)會(huì )議中志同道合的伙伴交流,討論常見(jiàn)的設計挑戰,這種體驗十分寶貴?!?/span>
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