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Nexperia 聘請經(jīng)紀公司出售Newport晶圓廠(chǎng)
- Newport 晶圓廠(chǎng)擁有每月超過(guò) 35,000 個(gè) 200mm 晶圓的制造能力。
- 關(guān)鍵字： Nexperia Newport晶圓廠(chǎng)
Nexperia推出先進(jìn)的I2C GPIO擴展器產(chǎn)品組合
- 基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今日宣布推出全新16通道I2C通用輸入輸出(GPIO)擴展器產(chǎn)品組合，旨在提高電子系統的靈活性和重復利用能力。其中一款GPIO擴展器NCA9595采用可通過(guò)寄存器配置的內部上拉電阻，可根據實(shí)際需要自定義以?xún)?yōu)化功耗。當需要擴展I/O數量時(shí)，利用該產(chǎn)品組合可實(shí)現簡(jiǎn)潔的設計，同時(shí)盡可能減少互連。這有助于設計工程師增添新功能，而且不會(huì )增加PCB設計復雜性和物料成本。 隨著(zhù)服務(wù)器、汽車(chē)、工業(yè)、醫療和物聯(lián)網(wǎng)(IoT)的發(fā)展，需要通過(guò)微控制器進(jìn)行監測的傳感器信
- 關(guān)鍵字： Nexperia I2C GPIO 擴展器
Nexperia針對嚴苛的電源轉換應用 推出650V碳化硅二極管
- 奈梅亨，2023年4月20日：基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今日宣布推出650 V碳化硅(SiC)肖特基二極管，主要面向需要超高性能、低損耗和高效率的電源應用。10 A、650 V SiC肖特基二極管滿(mǎn)足工業(yè)級器件標準，可應對高電壓和高電流應用帶來(lái)的挑戰，包括開(kāi)關(guān)模式電源、AC-DC和DC-DC轉換器、電池充電基礎設施、不間斷電源和光伏逆變器，并提高持續運行性能。例如，相比僅使用硅基解決方案的數據中心，配備采用Nexperia PSC1065K SiC肖特基二極管設計電源的數
- 關(guān)鍵字： Nexperia 電源轉換 碳化硅二極管 PIN肖特基結構
Nexperia推出能源采集PMIC，以加速開(kāi)發(fā)環(huán)境友好型能源自主式低功耗器件
- 基礎半導體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家Nexperia今日宣布推出能量采集解決方案，進(jìn)一步豐富其電源管理IC系列。該方案可簡(jiǎn)化低功耗物聯(lián)網(wǎng)(IoT)及其嵌入式應用，并增強應用性能。NEH2000BY是高性能電源管理集成電路(PMIC)，可從環(huán)境中收集能源（例如借助光伏電池采集光能），并給電池或儲能電容充電。憑借此特性，Nexperia的NEH2000BY可為開(kāi)發(fā)體積更小、更環(huán)保的自供電式電子設備提供支持。此外，該能源采集解決方案還有助于減輕每年生產(chǎn)和廢棄的數十億電池對環(huán)境的影響。 NEH2000BY 可幫助簡(jiǎn)化能源采集
- 關(guān)鍵字： Nexperia PMIC 低功耗器件
Nexperia首款采用SMD銅夾片LFPAK88封裝的熱插拔專(zhuān)用MOSFET
- 基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今日宣布推出首批80 V和100 V熱插拔專(zhuān)用MOSFET(ASFET)，該系列產(chǎn)品采用緊湊型8x8 mm LFPAK88封裝，且具有增強安全工作區(SOA)的特性。這些新型ASFET針對要求嚴格的熱插拔和軟啟動(dòng)應用進(jìn)行了全面優(yōu)化，可在175°C下工作，適用于先進(jìn)的電信和計算設備。 憑借數十年開(kāi)發(fā)先進(jìn)晶圓和封裝解決方案所積累的專(zhuān)業(yè)知識，Nexperia推出的這款PSMN2R3-100SSE（100 V，2.3 m N溝道ASFET）作為其產(chǎn)品組合中的首選，
- 關(guān)鍵字： Nexperia SMD 銅夾片 LFPAK88 MOSFET
Nexperia推出適用于24 V電源系統的車(chē)載網(wǎng)絡(luò )ESD保護產(chǎn)品組合
- 奈梅亨，2023年3月6日：基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今天推出符合AEC-Q101標準的產(chǎn)品組合，其中包含六個(gè)ESD保護器件(PESD2CANFD36XX-Q)，旨在保護LIN、CAN、CAN-FD、FlexRay和SENT等車(chē)載網(wǎng)絡(luò )(IVN)中的總線(xiàn)免受靜電放電(ESD)和其他瞬變造成的損壞。 隨著(zhù)數據傳輸速率的提高和車(chē)載電子含量的增加，ESD保護的需求變得越來(lái)越重要，提供正確的保護類(lèi)型已成為設計工程師的巨大挑戰。與汽車(chē)和小型車(chē)輛中的電池電壓相比，24 V電源通常用于卡車(chē)和商用車(chē)
- 關(guān)鍵字： Nexperia 24 V電源 車(chē)載網(wǎng)絡(luò ) ESD保護
了解RET的開(kāi)關(guān)特性
- 可通過(guò)基極電流開(kāi)啟或關(guān)閉雙極結型晶體管(BJT)。但是，由于基極-發(fā)射極二極管兩端的壓降在很大程度上取決于溫度，因而在許多應用中，需要一個(gè)串聯(lián)電阻將基極電流保持在所需水平，從而確保BJT穩定安全地工作。閱讀本文，了解如何使用RET來(lái)應對標準BJT的溫度依賴(lài)性。為了減少元器件數量、簡(jiǎn)化電路板設計，配電阻晶體管將一個(gè)或兩個(gè)雙極性晶體管與偏置電阻組合在一起，集成在同一個(gè)晶片上。替代方案包括在基極-發(fā)射極路徑上并聯(lián)第二個(gè)集成電阻，以創(chuàng )建用于設置基極電壓的分壓器。這可以提供更精細的微調和更好的關(guān)斷特性。由于這些內部
- 關(guān)鍵字： Nexperia RET
Nexperia宣布面向高速數據線(xiàn)的TrEOS系列ESD保護器件再添兩款新產(chǎn)品
- 基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia宣布Nexperia TrEOS產(chǎn)品組合再添新產(chǎn)品，即PESD4V0Y1BBSF和PESD4V0X2UM極低鉗位電壓ESD保護二極管。這些器件兼具高浪涌耐受性、非常低的觸發(fā)電壓和極低的鉗位電壓以及寬通帶，浪涌抗擾度出眾，出眾的IEC61000-4-5浪涌等級。 Nexperia高級產(chǎn)品經(jīng)理Stefan Seider表示：“Nexperia開(kāi)發(fā)了TrEOS產(chǎn)品組合，專(zhuān)門(mén)用于為我們的客戶(hù)提供一系列適用于USB3.2、USB4?、Thunderbolt
- 關(guān)鍵字： Nexperia 高速數據線(xiàn) TrEOS ESD 保護器件
Nexperia發(fā)布用于汽車(chē)和工業(yè)應用的650 V超快恢復整流管
- 基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今天宣布，旗下面向工業(yè)和汽車(chē)領(lǐng)域的銅夾片FlatPower (CFP)封裝二極管系列產(chǎn)品組合再添新產(chǎn)品。新增產(chǎn)品包括4個(gè)采用CFP3和CFP5封裝的650 V、1 A器件，可應用于車(chē)載充電器(OBC)和電動(dòng)汽車(chē)逆變器，以及工業(yè)應用中的功率轉換器、PV逆變器和電源。標準產(chǎn)品包括PNU65010ER (CFP3)和PNU65010EP (CFP5)，符合AEC-Q101標準的產(chǎn)品包括PNU65010ER-Q (CFP3)和PNU65010EP-Q (CFP5)
- 關(guān)鍵字： Nexperia，650 V，超快恢復整流管
Nexperia推出用于熱插拔的全新特定型應用MOSFET (ASFET)，SOA性能翻倍
- 基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今天宣布擴展其適用于熱插拔和軟啟動(dòng)的ASFET產(chǎn)品組合，推出10款全面優(yōu)化的25V和30V器件。新款器件將業(yè)內領(lǐng)先的安全工作區(SOA)性能與超低的RDS(on)相結合，非常適合用于12V熱插拔應用，包括數據中心服務(wù)器和通信設備。 多年來(lái)，Nexperia致力于將成熟的MOSFET專(zhuān)業(yè)知識和廣泛的應用經(jīng)驗結合起來(lái)，增強器件中關(guān)鍵MOSFET的性能，滿(mǎn)足特定應用的要求，以打造市場(chǎng)領(lǐng)先的ASFET。自ASFET推出以來(lái)，針對電池隔離(BMS)、直流
- 關(guān)鍵字： Nexperia MOSFET ASFET SOA
Nexperia 授予 Digi-Key Electronics 2021 年度電子零售商獎
- 全球供應品類(lèi)豐富、發(fā)貨快速的現貨電子元器件產(chǎn)品分銷(xiāo)商 Digi-Key Electronics，榮獲 Nexperia 頒發(fā)的 2021 年度電子零售商獎，Nexperia 是半導體基礎元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能權威專(zhuān)家之一。Digi-Key 榮獲 Nexperia 頒發(fā)的 2021 年度電子零售商獎Digi-Key 全球供應商管理副總裁 David Stein 表示：“我代表整個(gè) Digi-Key 團隊，感謝 Nexperia 授予我們這一巨大榮譽(yù)。在這個(gè)前所未有的時(shí)刻，能得到
- 關(guān)鍵字： Nexperia Digi-Key 電子零售商獎
Nexperia成功增強其CFP功率二極管的范圍
- 奈梅亨，2022年10月12日：基礎半導體器件領(lǐng)域的高性能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今天宣布推出其快速擴展的銅夾片FlatPower (CFP)封裝二極管系列的最新產(chǎn)品，主要應用于工業(yè)和汽車(chē)領(lǐng)域。此最新產(chǎn)品含有32個(gè)平面肖特基二極管以及8個(gè)超快速恢復整流二極管，均封裝在CFP15B中。包含通用型號和符合AEC-Q101車(chē)規標準的帶Q的器件。通過(guò)將多種版本的器件推向市場(chǎng)，Nexperia強調了其擴大產(chǎn)能、加快向體積更小和熱優(yōu)化的封裝過(guò)渡的承諾。讓工程師僅從一家供應商即可獲取市場(chǎng)上最為廣泛的CFP封裝二極管產(chǎn)品
- 關(guān)鍵字： Nexperia CFP 功率二極管
Nexperia超低電容ESD保護二極管保護汽車(chē)數據接口
- 基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今天宣布擴展其超低鉗位和超低電容ESD保護二極管系列產(chǎn)品組合。該產(chǎn)品組合旨在保護USB 3.2、HDMI 2.0、LVDS、汽車(chē)A/V監視器、顯示器和攝像頭等高速數據線(xiàn)。此外，該產(chǎn)品組合還旨在解決未來(lái)高速視頻鏈路以及開(kāi)放技術(shù)聯(lián)盟MGbit以太網(wǎng)應用。 新晉產(chǎn)品包括2引腳單線(xiàn)器件PESD5V0C1BLS-Q和PESD5V0C1ULS-Q，采用超緊湊型DFN1006BD-2封裝，同時(shí)優(yōu)化了布線(xiàn)靈活性。此外，還有兩款采用DFN1006-3封裝的3引腳
- 關(guān)鍵字： Nexperia 超低電容 ESD 保護二極管 汽車(chē)數據接口
Nexperia發(fā)布具備市場(chǎng)領(lǐng)先效率的晶圓級12和30V MOSFET
- 基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今天宣布推出PMCB60XN和PMCB60XNE 30V N溝道小信號Trench MOSFET，該產(chǎn)品采用超緊湊晶圓級DSN1006封裝，具有市場(chǎng)領(lǐng)先的RDS(on)特性，在空間受限和電池續航運行至關(guān)重要的情況下，可使電力更為持久。新型MOSFET非常適合智能手機、智能手表、助聽(tīng)器和耳機等高度小型化電子產(chǎn)品，迎合了更智能、功能更豐富的趨勢，滿(mǎn)足了增加系統功耗的需求。 RDS(on)與競爭器件相比性能提升了25%，可最大限度降低能耗，提高負載開(kāi)關(guān)
- 關(guān)鍵字： Nexperia 晶圓級 MOSFET
Nexperia發(fā)布超小尺寸DFN MOSFET
- 基礎半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今天宣布推出采用超小DFN封裝的新系列20 V和30 V MOSFET DFN0603。Nexperia早前已經(jīng)提供采用該封裝的ESD保護器件，如今更進(jìn)一步，Nexperia成功地將該封裝技術(shù)運用到MOSFET產(chǎn)品組合中，成為行業(yè)競爭的領(lǐng)跑者。該系列小型MOSFET包括： ?新一代可穿戴設備和可聽(tīng)戴設備正在融入新的人工智能(AI)和機器學(xué)習(ML)技術(shù)，這為產(chǎn)品設計帶來(lái)了若干挑戰。首先，隨著(zhù)功能的增加，可供使用的電路板空間變得十分寶貴，另外，隨著(zhù)
- 關(guān)鍵字： Nexperia MOSFET
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