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nand-flash 文章 進(jìn)入nand-flash技術(shù)社區
3D NAND堆疊競爭鳴槍 SK海力士、東芝苦追三星
- 為提升NAND Flash性能而將Cell垂直堆疊的3D堆疊技術(shù)競爭逐漸升溫。目前三星電子(Samsung Electronics)已具備生產(chǎn)系統獨大市場(chǎng)，SK海力士(SK Hynix)、東芝(Toshiba)、美光(Micron)等半導體大廠(chǎng)也正加速展開(kāi)相關(guān)技術(shù)研發(fā)和生產(chǎn)作業(yè)。 據ET News報導，NAND Flash的2D平面微細制程，因Cell間易發(fā)生訊號干擾現象等問(wèn)題，已進(jìn)入瓶頸。主要半導體大廠(chǎng)轉而致力確保將Cell垂直堆疊的3D技術(shù)。半導體業(yè)界的技術(shù)競爭焦點(diǎn)從制程微細化，轉變?yōu)榇怪倍?/li>
- 關(guān)鍵字： NAND 三星
美光開(kāi)放日：引領(lǐng)互聯(lián)世界存儲潮流
- 近日，美光科技在上海舉行以“存儲及其發(fā)展如何幫助實(shí)現未來(lái)互聯(lián)世界”為主題的“美光開(kāi)放日”活動(dòng)。美光科技高層與業(yè)內專(zhuān)家、學(xué)者和媒體共同分享公司在該領(lǐng)域的見(jiàn)解和創(chuàng )新解決方案，探討和展望未來(lái)行業(yè)發(fā)展趨勢。 美光科技作為僅有的兩家能夠提供提供全存儲類(lèi)型解決方案的廠(chǎng)商，占據整個(gè)存儲器22%以上的市場(chǎng)份額，穩居第二位。如今美光科技面向網(wǎng)絡(luò )建設、機器對機器、移動(dòng)設備、云和大數據五大應用領(lǐng)域，提供全球最廣泛的存儲產(chǎn)品組合，包括：DRAM芯片和存儲條、固態(tài)硬盤(pán)、NA
- 關(guān)鍵字： 美光 存儲器 NAND 201503
美光與希捷宣布成立策略聯(lián)盟
- 希捷科技(Seagate Technology)與美光科技(Micron Technology, Inc.)宣布簽署策略性協(xié)議，設立一結合兩家公司創(chuàng )新與專(zhuān)業(yè)技術(shù)之架構。在此協(xié)議的架構基礎上，雙方客戶(hù)能夠同時(shí)受益于領(lǐng)先業(yè)界的儲存解決方案，進(jìn)而更快速且有效率地實(shí)現創(chuàng )新。 盡管在合作初期，美光與希捷將著(zhù)重于下個(gè)世代的 SAS 固態(tài)硬碟(SSD)與策略性 NAND 型快閃記憶體的供貨，但是雙方皆預期這項長(cháng)達數年的結盟協(xié)議在未來(lái)將有機會(huì )發(fā)展更多合作，甚至推出采用美光 NAND 型快閃記憶體的企業(yè)級儲存解決
- 關(guān)鍵字： 美光 希捷 NAND
半導體市場(chǎng)今年迎向高規格之爭
- 2015年由行動(dòng)裝置帶動(dòng)的高規格半導體之爭蓄勢待發(fā);行動(dòng)應用處理器、LPDDR4、UFS(Universal Flash Storage;UFS)、三階儲存單元(Triple Level Cell;TLC)等新一代半導體需求增加，被視為半導體產(chǎn)業(yè)成長(cháng)新動(dòng)能。 據韓媒亞洲經(jīng)濟的報導，智慧型手機的功能高度發(fā)展，讓核心零組件如應用處理器(Application Processor;AP)、LPDDR4、UFS、TLC等下一代半導體的需求日漸增加。首先是AP從32位元進(jìn)化到64位元，可望讓多工與資料處理
- 關(guān)鍵字： 半導體 NAND Flash LPDDR4
NAND閃存下一步指向3D架構14納米
- 存儲是電子產(chǎn)品中最重要的部分之一，它與數據相伴而生，哪里有數據，哪里就會(huì )需要存儲芯片。近年來(lái)，存儲芯片行業(yè)熱點(diǎn)話(huà)題不斷：3D NAND的生產(chǎn)制造進(jìn)展情況如何?LPDDR4在市場(chǎng)上的應用進(jìn)程是怎樣的?移動(dòng)產(chǎn)品中eMCP將成為主流封裝形式嗎?存儲技術(shù)發(fā)展的路徑或許會(huì )爭論不休，但是整體方面卻不會(huì )改變，那就是更大的容量、更高的密度、更快的存儲速度、更加節能以及更低的成本。 2015年手機存儲市場(chǎng) 著(zhù)眼用戶(hù)體驗提升 目前業(yè)界對于2015年中國智能手機市場(chǎng)走勢的預測很多，總的觀(guān)點(diǎn)是增長(cháng)率放緩。當
- 關(guān)鍵字： NAND 14納米
2014年Q4品牌NAND供應商營(yíng)收僅成長(cháng)2%
- 根據市場(chǎng)研究機構 TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 最新報告， 2014年第四季 NAND Flash 市況雖依舊維持健康水準，但在三星電子(Samsung)、東芝(Toshiba)與晟碟(SanDisk)各自面臨價(jià)格與產(chǎn)銷(xiāo)端的壓力影響營(yíng)收、及第三 季呈現微幅衰退的情況下，品牌供應商營(yíng)收僅較第三季成長(cháng)2%至87.5億美元。 DRAMeXchange 研究協(xié)理楊文得表示，因需求端面臨淡季效應，2015年第一季整體市況將轉為供過(guò)于求，在價(jià)格滑落幅度轉趨明顯的情況下
- 關(guān)鍵字： NAND 英特爾 三星
淡季影響銷(xiāo)售，NAND Flash 供應商 Q1 將供過(guò)于求
- 根據 TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 最新報告顯示，第四季 NAND Flash 市況雖依舊維持健康水準，但在三星電子、東芝與晟碟各自面臨價(jià)格與產(chǎn)銷(xiāo)端的壓力影響營(yíng)收、及第三季呈現微幅衰退的情況下，品牌供應商營(yíng)收僅較第三季成長(cháng) 2% 至 87.5 億美元。DRAMeXchange 研究協(xié)理楊文得表示，因需求端面臨淡季效應，2015 年第一季整體市況將轉為供過(guò)于求，在價(jià)格滑落幅度轉趨明顯的情況下，業(yè)者將藉由加速先進(jìn)制程的轉進(jìn)，改善成本架構，以減低價(jià)格跌幅的沖擊。
- 關(guān)鍵字： NAND Flash 三星 東芝
國際大廠(chǎng)找Mobile RAM貨源 敲開(kāi)與臺廠(chǎng)合作大門(mén)
- 存儲器廠(chǎng)持續在eMCP(eMMC結合MCP封裝)領(lǐng)域擴大進(jìn)擊，繼東芝(Toshiba)與南亞科洽談策略聯(lián)盟，新帝(SanDisk)亦傳出首度來(lái)臺尋找移動(dòng)式存儲器Mobile RAM合作伙伴，考慮與南亞科簽定長(cháng)約或包下產(chǎn)能，顯示國際存儲器大廠(chǎng)亟欲尋找Mobile RAM貨源，并敲開(kāi)與臺廠(chǎng)合作大門(mén)。 半導體業(yè)者透露，在三星電子和SK海力士主導下，智能型手機內建存儲器規格從eMMC轉為eMCP，原本NAND Flash芯片外加關(guān)鍵零組件Mobile RAM芯片，2015年?yáng)|芝??新帝陣營(yíng)將展開(kāi)大反撲。
- 關(guān)鍵字： NAND Flash Mobile RAM
NAND Flash價(jià)格續滑 難擺脫供給過(guò)剩困境
- 由于MLC(Multi-Level Cell)NAND Flash供應量持續增加，造成價(jià)格連續兩個(gè)月下滑，業(yè)界預期若三星電子(Samsung Electronics)等業(yè)者提高TLC(Triple-Level Cell)NAND Flash生產(chǎn)比重，后續MLC產(chǎn)品價(jià)格下滑情況恐將更明顯。 根據韓媒DigitalTimes報導，由于USB、硬碟與記憶卡市場(chǎng)進(jìn)入淡季，加上庫存堆積，導致NAND Flash價(jià)格走滑，市場(chǎng)供給過(guò)剩情況恐持續到農歷春節。業(yè)界認為目前NAND Flash下滑走勢雖大部分是受
- 關(guān)鍵字： NAND Flash 三星
無(wú)線(xiàn)應用成2015半導體市場(chǎng)最大增長(cháng)動(dòng)力
- 2015年全球半導體行業(yè)收入預計將達3580億美元，較2014年增長(cháng)5.4%，但仍然低于之前5.8%的增長(cháng)預期。 半導體市場(chǎng)的增長(cháng)動(dòng)力包括智能手機專(zhuān)用標準電路ASSP，以及超移動(dòng)PC和固態(tài)硬盤(pán)中使用的DRAM和NAND閃存芯片。 “由于DRAM恢復傳統的降價(jià)方式，而整個(gè)行業(yè)需要消耗假期的過(guò)多庫存，因此2015年的半導體收入增長(cháng)可能較2014年的7.9%有所放緩?！睒I(yè)內人士認為，“由于供應短缺，DRAM價(jià)格在2014年基本保持堅挺，使之成為2014年增速最
- 關(guān)鍵字： 物聯(lián)網(wǎng) DRAM NAND
群聯(lián)砸3.8億 入股宇瞻
- 儲存型快閃記憶體(NAND Flash)控制晶片大廠(chǎng)群聯(lián)(8299)昨(19)日宣布，參與記憶體模組廠(chǎng)宇瞻私募，將以每股25.38元、總金額3億8,070萬(wàn)元，取得宇瞻9.9%股權，成為宇瞻最大法人股東，雙方將攜手沖刺工控應用固態(tài)硬碟(SSD)市場(chǎng)。 群聯(lián)昨股價(jià)上漲2.5元，收在214.5元;宇瞻下跌0.25元，以31.4元作收。 群聯(lián)斥資約3.8億元，取得宇瞻9.9%股權，成為最大法人股東。圖為群聯(lián)董事長(cháng)潘健成。 本報系資料庫 分享 上述私募價(jià)格是采依過(guò)去30個(gè)交易日均價(jià)31
- 關(guān)鍵字： 群聯(lián) 宇瞻 NAND Flash
半導體事業(yè)關(guān)鍵時(shí)刻 救了三星的面子與里子
- 三星電子(Samsung Electronics)日前發(fā)布2014年第4季暫定財報，營(yíng)收止跌回升為52兆韓元(約478.8億美元)，其中半導體事業(yè)暨裝置解決方案(DS)事業(yè)部貢獻達一半以上，可說(shuō)是最大功臣。 據韓媒ChosunBiz報導，三星電子在1月8日發(fā)布2014年第4季暫定財報，業(yè)績(jì)終于跌回升，營(yíng)收為52兆韓元，營(yíng)業(yè)利益達5.2兆韓元。 韓國KDB大宇證券推估，三星電子DS部門(mén)第4季貢獻營(yíng)業(yè)利益約2.9兆韓元，比IT暨移動(dòng)通訊(IM)事業(yè)部高出1兆韓元左右。第3季DS部門(mén)營(yíng)業(yè)利益(2
- 關(guān)鍵字： 蘋(píng)果 DRAM NAND Flash
Gartner：蓬勃的DRAM市場(chǎng)為內存制造商帶來(lái)增長(cháng)
- Gartner發(fā)布初步統計結果，2014年全球半導體總營(yíng)收為3398億美元，與2013年的3150億美元相比增長(cháng)7.9%。前25大半導體廠(chǎng)商合并營(yíng)收增長(cháng)率為11.7%，優(yōu)于該產(chǎn)業(yè)整體表現。前25大廠(chǎng)商占整體市場(chǎng)營(yíng)收的72.1%，比2013年的69.7%更高。 Gartner研究副總裁Andrew Norwood表示：“就群體來(lái)看，DRAM廠(chǎng)商的表現勝過(guò)半導體產(chǎn)業(yè)其他廠(chǎng)商。這股趨勢始于2013年DRAM市場(chǎng)因供給減少及價(jià)格回穩雙重因素而蓬勃發(fā)展并持續至今，2014年營(yíng)收也因而增長(cháng)31.
- 關(guān)鍵字： Gartner DRAM NAND
三星2015年內量產(chǎn)48層V NAND 已著(zhù)手研發(fā)64層產(chǎn)品
- 三星電子(Samsung Electronics) 為與其他尚無(wú)法生產(chǎn)V NAND的競爭業(yè)者將技術(shù)差距拉大到2年以上，并在次世代存儲器芯片市場(chǎng)上維持獨大地位，計劃在2015年內量產(chǎn)堆疊48層Cell的3D垂直結構NAND Flash。 據首爾經(jīng)濟報導，三星近來(lái)已完成48層結構的V NAND研發(fā)，并著(zhù)手研發(fā)后續產(chǎn)品64層結構V NAND。48層V NAND將于2015年內開(kāi)始量產(chǎn)。原本韓國業(yè)界推測三星會(huì )在2015年下半完成48層V NAND，并在2016年才投入量產(chǎn)，然三星大幅提前了生產(chǎn)日程。
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND Intel
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對nand-flash的理解，并與今后在此搜索nand-flash的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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