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nand-flash 文章 進(jìn)入nand-flash技術(shù)社區
存儲器價(jià)格波動(dòng)大 業(yè)界穩定機制受關(guān)注
- 在經(jīng)歷多次市場(chǎng)價(jià)格的大起大落后，全球存儲器芯片產(chǎn)業(yè)終于在近年來(lái)邁向整合，使得定價(jià)漸趨穩定。不過(guò)，近來(lái)存儲器大廠(chǎng)新帝(SanDisk)接連2季下修預測數據，并歸因于快閃存儲器的價(jià)格下滑，引發(fā)外界質(zhì)疑新興的穩定機制是否為曇花一現的假象，又或現狀僅是個(gè)別公司所遭遇的瓶頸。 據Barron's Asia報導指出，眼下雖然存儲器芯片價(jià)格有所衰退，但許多專(zhuān)家仍對整體產(chǎn)業(yè)抱持樂(lè )觀(guān)態(tài)度，認為與2014年積弱不振的表現相比，快閃存儲器的市場(chǎng)供需平衡現已漸入佳境，多數問(wèn)題的發(fā)生恐是因公司而異，并非普遍的業(yè)界趨勢。
- 關(guān)鍵字： 存儲器 3D NAND
3D NAND/TLC Flash添力 SSD加速觸及價(jià)格甜蜜點(diǎn)
- 固態(tài)硬碟(SSD)致命弱點(diǎn)--價(jià)格將有顯著(zhù)突破。日、韓快閃記憶體(Flash)大廠(chǎng)及慧榮、群聯(lián)等SSD控制器廠(chǎng)，正力拱新一代兼顧容量及成本的3D NAND Flash和三層式儲存(TLC)記憶體解決方案，并將于2015～2016年逐漸放量，協(xié)助SSD廠(chǎng)商開(kāi)發(fā)價(jià)格媲美傳統硬碟的產(chǎn)品，驅動(dòng)SSD在筆電、工控、企業(yè)端及消費性?xún)Υ媸袌?chǎng)出貨量翻揚。 慧榮科技產(chǎn)品企畫(huà)處副總經(jīng)理段喜亭表示，今年SSD總出貨量將較去年成長(cháng)一倍以上，主要因素在于SSD開(kāi)發(fā)商擴大導入低成本的3D NAND和TLC Flash，讓終
- 關(guān)鍵字： 3D NAND SSD
NAND flash市占，三星美光增、東芝獨垂淚！
- 2014年NAND flash銷(xiāo)售數據出爐，IHS報告稱(chēng)，前四大業(yè)者中，三星電子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)銷(xiāo)售皆有成長(cháng)，唯有二哥東芝(Toshiba)疑似因為產(chǎn)品出包遭蘋(píng)果召回，市占和業(yè)績(jì)雙雙下滑。 BusinessKorea報導，IHS 13日報告稱(chēng)，三星電子穩居NAND flash老大，去年銷(xiāo)售年增4%至90.84億美元，市占率成長(cháng)0.1%至36.5%。二哥東芝去年市占率由34.3%減至31.8%，銷(xiāo)售也大減將近3億美元。
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND flash
Stifel：3D NAND技術(shù)看起來(lái)很美好 但成本會(huì )持續多年居高不下
- 近年來(lái)，固態(tài)硬盤(pán)似乎已經(jīng)成為了計算機的標配。而隨著(zhù)SSD的普及，人們對于速度和容量的渴求也在迅速膨脹。為了能夠在單顆閃存芯片上塞下更大的存儲空間，制造商們正在想著(zhù)3D NAND技術(shù)前進(jìn)。與傳統的平面式(2D)設計相比，垂直(3D)堆疊能夠帶來(lái)更顯著(zhù)的容量提升。但是最近，一家名為Stifel的市場(chǎng)研究公司卻發(fā)現：為了實(shí)現這一點(diǎn)，制造商們正在砸下大筆投資，而這種成本壓力卻無(wú)法在多年的生產(chǎn)和銷(xiāo)售后減退多少。 ? 影響利潤的一個(gè)主要原因是，3D NAND芯片的生產(chǎn)，比以往要復雜得
- 關(guān)鍵字： 3D NAND SSD
閃存容量突破性進(jìn)展！
- 英特爾公司和鎂光科技股份有限公司于近日宣布推出可以造就全球最高密度閃存的3D NAND技術(shù)。 這一全新3D NAND技術(shù)由英特爾與鎂光聯(lián)合開(kāi)發(fā)而成，垂直堆疊了多層數據存儲單元，具備卓越的精度?；谠摷夹g(shù)，可打造出存儲容量比同類(lèi)NAND技術(shù)高達三倍的存儲設備。該技術(shù)可支持在更小的空間內容納更高存儲容量，進(jìn)而帶來(lái)很大的成本節約、能耗降低，以及大幅的性能提升以全面滿(mǎn)足眾多消費類(lèi)移動(dòng)設備和要求最嚴苛的企業(yè)部署的需求。 當前，平面結構的 NAND 閃存已接近其實(shí)際擴展極限
- 關(guān)鍵字： 英特爾 NAND
閃存容量突破性進(jìn)展！
- 英特爾公司和鎂光科技股份有限公司于近日宣布推出可以造就全球最高密度閃存的3D NAND技術(shù)。 這一全新3D NAND技術(shù)由英特爾與鎂光聯(lián)合開(kāi)發(fā)而成，垂直堆疊了多層數據存儲單元，具備卓越的精度?；谠摷夹g(shù)，可打造出存儲容量比同類(lèi)NAND技術(shù)高達三倍的存儲設備。該技術(shù)可支持在更小的空間內容納更高存儲容量，進(jìn)而帶來(lái)很大的成本節約、能耗降低，以及大幅的性能提升以全面滿(mǎn)足眾多消費類(lèi)移動(dòng)設備和要求最嚴苛的企業(yè)部署的需求。 ? 當前，平面結構的 NAND 閃存已接近其實(shí)際擴展極限
- 關(guān)鍵字： 英特爾 鎂光 3D NAND
東芝：智社會(huì ) 人為本，我做到了
- 雖然東芝的宣傳口號是“智社會(huì ) 人為本，以科技應人之求”，但2015慕尼黑上海電子展上，仔細觀(guān)看東芝強大產(chǎn)品陣容之后，我倒更愿意用“半導體技術(shù)溫暖你的心”來(lái)形容它。因為東芝的很多設計確實(shí)很貼心，真的可以讓生活更加方便快捷。 東芝電子亞洲有限公司副董事長(cháng)野村尚司說(shuō)，中國市場(chǎng)大體上有兩種產(chǎn)品需求，一是以量?jì)r(jià)為中心的產(chǎn)品，另一種是以提高附加值為中心的產(chǎn)品。東芝有非常寬廣的產(chǎn)品線(xiàn)來(lái)滿(mǎn)足以上兩種市場(chǎng)的需求。 東芝展位 存儲產(chǎn)品解決方案 東
- 關(guān)鍵字： 東芝 LED NAND
閃迪發(fā)布48層3D NAND閃存有望在2015年下半年投入試生產(chǎn)
- 全球領(lǐng)先的閃存存儲解決方案供應商閃迪公司近日宣布成功開(kāi)發(fā)出48層第二代3D NAND閃存(亦稱(chēng)為BiCS2)。 計劃于2015年下半年在位于日本四日市的合資工廠(chǎng)內投入試生產(chǎn)，于2016年進(jìn)行規?；虡I(yè)生產(chǎn)。 閃迪存儲技術(shù)部執行副總裁Siva Sivaram博士表示：“我們非常高興能夠發(fā)布第二代3D NAND，它是一種48層架構，與我們的合作伙伴T(mén)oshiba共同研發(fā)。 我們以第一代3D NAND技術(shù)為基礎，完成了商業(yè)化的第二代3D NAND的開(kāi)發(fā);我們相信，它將為我們的客戶(hù)提供讓人贊
- 關(guān)鍵字： 閃迪 NAND
儲存市場(chǎng)新廠(chǎng)突圍 傳統大廠(chǎng)嚴陣以待
- 儲存裝置市場(chǎng)正醞釀一波小型新創(chuàng )公司革命。過(guò)去由惠普(HP)、IBM、NetApp與EMC等業(yè)者把持的儲存市場(chǎng)，目前已遭到許多小型新創(chuàng )公司崛起并搶走市場(chǎng)。調查也發(fā)現，消費者預期未來(lái)將擴大使用Flash存儲器與固態(tài)硬碟(SSD)，因此，傳統大廠(chǎng)必須調整策略才能扭轉頹勢。 據TechRadar報導，全球四大儲存大廠(chǎng)惠普、IBM、NetApp與EMC近期受到甫成立不久的新創(chuàng )公司推出快閃技術(shù)產(chǎn)品，因此，其外部硬碟儲存市場(chǎng)占有率已逐漸流失。 據IDC調查發(fā)現，截至2014年第2季為止，由四大廠(chǎng)供應的高
- 關(guān)鍵字： IBM SSD Flash
東芝傳年內量產(chǎn)3D Flash 技術(shù)更勝三星
- 三星電子(Samsung Electronics)領(lǐng)先全球同業(yè)、于去年10月?lián)屜攘慨a(chǎn)3D架構的NAND型快閃存儲器(Flash Memory)產(chǎn)品，但三星的領(lǐng)先優(yōu)勢恐維持不了多久，因為三星NAND Flash最大競爭對手東芝(Toshiba)傳出將在今年下半年量產(chǎn)3D NAND Flash、且其制造技術(shù)更勝三星一籌! 日本媒體產(chǎn)經(jīng)新聞25日報導，三星于去年量產(chǎn)的3D NAND Flash產(chǎn)品為垂直堆疊32層，但東芝已研發(fā)出超越三星的制造技術(shù)、可堆疊48層，且東芝計劃于今年下半年透過(guò)旗下四日市工廠(chǎng)
- 關(guān)鍵字： 東芝 3D Flash
TLC產(chǎn)品今年將接近NAND整體產(chǎn)出之五成
- TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 表示，隨著(zhù) TLC 產(chǎn)品的主流應用開(kāi)始從記憶卡與隨身碟產(chǎn)品往 eMMC / eMCP 與 SSD 等OEM儲存裝置移動(dòng)，加上 NAND Flash 業(yè)者陸續推出完整的TLC儲存解決方案，預估今年TLC產(chǎn)出比重將持續攀升，將在第四季接近整體 NAND Flash 產(chǎn)出的一半。 DRAMeXchange 研究協(xié)理楊文得表示，由于成本較具優(yōu)勢，過(guò)去TLC廣泛應用在記憶卡與隨身碟等外插式產(chǎn)品中。三星(Samsung)從2013年起積極將
- 關(guān)鍵字： TLC NAND
性?xún)r(jià)比優(yōu)勢更明顯 TLC NAND應用版圖急擴張
- 三星(Samsung)、美光(Micron)等NAND Flash記憶體制造商制程技術(shù)突破，加上控制晶片與錯誤修正韌體效能大幅精進(jìn)，使得三層式儲存(TLC)NAND記憶體性?xún)r(jià)比較過(guò)去大幅提高，因而激勵消費性固態(tài)硬碟制造商擴大采用比例。 三層式儲存(TLC) NAND快閃記憶體市場(chǎng)滲透率將大幅增加。NAND快閃記憶體成本隨著(zhù)制程演進(jìn)而持續下滑，各種終端應用如固態(tài)硬碟(SSD)與嵌入式多媒體卡(eMMC)等需求則持續成長(cháng)。 在單層式儲存(SLC)、多層式儲存(MLC)及TLC三種形式的NAND
- 關(guān)鍵字： 三星 TLC NAND
EMC：新技術(shù)沖擊導致傳統業(yè)務(wù)節節敗退
- 由EMC公司發(fā)布的一份圖表顯示，傳統SAN驅動(dòng)器陣列銷(xiāo)售衰退的趨勢已然出現，與此同時(shí)超融合型、軟件定義以及全閃存陣列存儲業(yè)務(wù)則及時(shí)趕上，填補了這部分市場(chǎng)空間。 William Blair公司分析師Jason Ader在本月十號出席了EMC戰略論壇大會(huì )，并以郵件的形式向客戶(hù)發(fā)布了此次會(huì )議的內容總結。 EMC公司的管理層引用了一部分IDC研究公司的調查數據，其中顯示從2014年到2018年外部存儲系統市場(chǎng)的復合年均營(yíng)收(目前為260億美元)將實(shí)現3%增幅。在此期間，“傳統獨立混合系
- 關(guān)鍵字： EMC NAND
大陸手機市場(chǎng)驚人Mobile DRAM消費量陡升
- 中國大陸智能型手機的高成長(cháng)，使得內存等零組件的消耗激增。這也使得南韓的內存供應商不管是從零組件競爭還是手機整機的競爭上都倍感壓力。
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND Flash
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歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對nand-flash的理解，并與今后在此搜索nand-flash的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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