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nand-flash 文章 進(jìn)入nand-flash技術(shù)社區
三星NAND Flash 傳四年后重返iPhone
- 韓廠(chǎng)積極打進(jìn)蘋(píng)果iPhone供應鏈。韓國媒體報導，三星電子計畫(huà)提供NAND型快閃記憶體給iPhone，這將是睽違4年后三星電子NAND型快閃記憶體重返iPhone供應鏈。 韓國網(wǎng)站媒體ET News報導，蘋(píng)果從2012年iPhone 5推出開(kāi)始，就沒(méi)有采用三星電子(Samsung Electronics)的NAND型快閃記憶體，在于三星電子并未接受蘋(píng)果要求、在NAND型快閃記憶體封裝技術(shù)上采用電磁干擾屏蔽(EMI shielding;Electro Magnetic Interference s
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武漢新芯發(fā)表240億美元投資計劃 著(zhù)手3D NAND研發(fā)
- 大陸國營(yíng)企業(yè)武漢新芯(XMC)最近發(fā)表約240億美元的投資計劃，將以武漢為基地，興建以生產(chǎn)NAND Flash為主的半導體工廠(chǎng)。依韓國業(yè)界看法，武漢新芯與三星電子(Samsung Electronics)仍有至少3~4年的技術(shù)差距，但將是大陸市場(chǎng)上的潛在最大對手。 據韓聯(lián)社報導，大武漢新芯最近發(fā)表27兆韓元(約240億美元)的投資計劃，將以武漢為基地，興建以生產(chǎn)NAND Flash為主的半導體工廠(chǎng)。地方政府已從投資機構湖北省集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金方面取得鉅額資金。 韓聯(lián)社引述EE Times
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DRAM及NAND市場(chǎng)價(jià)格下跌 美光營(yíng)收下滑
- 不論是NAND閃存還是DRAM內存領(lǐng)域，韓國兩家公司三星、SK Hynix總算還能保住吃香喝辣的日子，但美國的美光公司這兩年就沒(méi)啥舒服日子了，技術(shù)、產(chǎn)能都落后友商，偏偏現在又遇到了內存、閃存降價(jià)，跌跌不休的價(jià)格導致美光營(yíng)收下滑了30%，當季凈虧損9700萬(wàn)美元，對未來(lái)季度的預測同樣悲觀(guān)。 美光公司周三發(fā)布了截至今年3月3日的2016財年Q2財報，當季營(yíng)收29.3億美元，上季度為33.5億美元，去年同期為41.66億美元，同比下滑了30%。 美光當季毛利只有5.79億美元，遠遠低于上季度的8
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
中國NAND快閃存儲器產(chǎn)業(yè)邁入新紀元
- TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange表示，中國記憶體大廠(chǎng)武漢新芯新建記憶體晶圓廠(chǎng)將從本月底開(kāi)始進(jìn)行建廠(chǎng)工程，目標最快在2018年年初開(kāi)始生記憶體晶片，初期規劃將以目前最先進(jìn)的3D-NAND Flash為主要策略產(chǎn)品，代表了近兩年來(lái)中國極力發(fā)展記憶體產(chǎn)業(yè)的態(tài)勢下，將開(kāi)始進(jìn)入新的里程碑。 DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得指出，現階段武漢新芯主要以生產(chǎn)NOR Flash為主，月產(chǎn)能約為2萬(wàn)片左右，在NAND Flash產(chǎn)業(yè)也展現強大的企圖心。不同于國際NAND Fla
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投資10nm/3D NAND 晶圓廠(chǎng)設備支出今年增3.7%
- 國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì )(SEMI)最新報告指出，3D NAND、DRAM與10奈米制程等技術(shù)投資，將驅動(dòng)2016年晶圓廠(chǎng)設備支出攀升，預估2016年包括新設備、二手或專(zhuān)屬(In-house)設備在內的前段晶圓廠(chǎng)設備支出將增長(cháng)3.7%，達372億美元;而2017年則可望再成長(cháng)13%，達421億美元。 SEMI指出，2015年晶圓廠(chǎng)設備支出為359億美元，較前一年微幅減少0.4%;預測2016年上半年晶圓廠(chǎng)設備支出可望緩慢提升，下半年則將開(kāi)始加速，為2017年儲備動(dòng)能。2017年相關(guān)支出可望回復兩位數成
- 關(guān)鍵字： 晶圓 3D NAND
東芝將向NAND投資8600億日元，預計2016財年銷(xiāo)售不到5萬(wàn)億日元
- “失去的信任不是一朝一夕可以挽回的。雖然無(wú)法預測需要多長(cháng)時(shí)間，但希望能獲得新生，成為一家能永久發(fā)展下去的企業(yè)”。東芝于2016年3月18日在東京召開(kāi)了2016年度業(yè)務(wù)計劃說(shuō)明會(huì )，代表執行董事社長(cháng)室町正志在會(huì )上這樣說(shuō)道。 東芝的一系列結構改革都已有了目標。在說(shuō)明會(huì )前一天，東芝宣布將把醫療器械子公司——東芝醫療系統出售給佳能，將把白色家電業(yè)務(wù)出售給美的集團(參閱本站報道1)。關(guān)于個(gè)人電腦業(yè)務(wù)與其他公司進(jìn)行業(yè)務(wù)合并一事，室町表示“希望在201
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Flash芯片你都認識嗎？
- Flash存儲器，簡(jiǎn)稱(chēng)Flash，它結合了ROM和RAM的長(cháng)處，不僅具備電子可擦除可編程的性能，還不會(huì )因斷電而丟失數據，具有快速讀取數據的特點(diǎn);在現在琳瑯滿(mǎn)目的電子市場(chǎng)上，Flash總類(lèi)可謂繁多，功能各異，而你對它了解有多少呢? 為了讓大家更深入了解Flash，今天將主要根據芯片的通信協(xié)議并且結合Flash的特點(diǎn)，給大家一個(gè)全新認識?！ ∫?、IIC?EEPROM IIC?EEPROM，采用的是IIC通信協(xié)議;IIC通信協(xié)議具有的特點(diǎn)：簡(jiǎn)單的兩條總線(xiàn)線(xiàn)路，一條串行數據線(xiàn)(SDA)
- 關(guān)鍵字： Flash EEPROM
Flash與SAS硬碟價(jià)格2015年恐現死亡交叉
- 資料儲存解決方案大廠(chǎng)NetApp表示，經(jīng)由云端與Flash兩股推力驅動(dòng)，讓近年IT基礎架構進(jìn)入新一波的轉型期，其中2016年經(jīng)由融合式基礎架構(Converged Infrastructure)、DevOps(Development and Operations)系統工具應用性竄升，將讓2016年成為IT的精簡(jiǎn)之年。 此外值得注意的是，TLC架構的Flash存儲器借由需求性提升及單位成本快速下降，預期今年每GB的FLash價(jià)格也將較SAS硬碟更低，并讓All Flash資料中心的將進(jìn)入主流儲存領(lǐng)
- 關(guān)鍵字： Flash SAS
2016年迎3D NAND技術(shù)拐點(diǎn)，誰(shuí)輸在起跑線(xiàn)？
- 為了進(jìn)一步提高NAND Flash生產(chǎn)效益，2016年Flash原廠(chǎng)將切入1znm(12nm-15nm)投產(chǎn)，但隨著(zhù)逼近2D NAND工藝可量產(chǎn)的極限，加快向3D技術(shù)導入已迫在眉睫，2016年將真正迎來(lái)NAND Flash技術(shù)拐點(diǎn)。 1、積極導入48層3D技術(shù)量產(chǎn)，提高成本競爭力 與2D工藝相比，3D技術(shù)的NAND Flash具有更高的性能和更大的存儲容量。3D技術(shù)若采用32層堆疊NAND Flash Die容量達128Gb，與主流2D 1y/1znm 128Gb相比缺乏成本競爭力。
- 關(guān)鍵字： 3D NAND 2D
2015年第四季NAND品牌商營(yíng)收/利潤衰退
- 2015年第四季整體 NAND Flash 市況持續供過(guò)于求，除通路顆粒合約價(jià)下滑9~10%外，智慧型手機、平板電腦與筆記型電腦等OEM裝置出貨不如預期，也讓eMMC與SSD價(jià)格單季下滑幅度擴大至10~11%。 TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報告顯示，在價(jià)格下滑幅度明顯高于位元銷(xiāo)售的情況下，第四季NAND Flash品牌商的營(yíng)收較第三季衰退2.3%。該機構研究協(xié)理楊文得表示，除價(jià)格下滑幅度加劇外，現階段主流NAND Flash製程轉進(jìn)已遇到瓶頸，三星(Sam
- 關(guān)鍵字： NAND 三星
2015年第四季NAND廠(chǎng)商營(yíng)收排行
- 2015年第四季整體 NAND Flash 市況持續供過(guò)于求，除通路顆粒合約價(jià)下滑9~10%外，智慧型手機、平板電腦與筆記型電腦等OEM裝置出貨不如預期，也讓eMMC與SSD價(jià)格單季下滑幅度擴大至10~11%。 TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報告顯示，在價(jià)格下滑幅度明顯高于位元銷(xiāo)售的情況下，第四季NAND Flash品牌商的營(yíng)收較第三季衰退2.3%。該機構研究協(xié)理楊文得表示，除價(jià)格下滑幅度加劇外，現階段主流NAND Flash制程轉進(jìn)已遇到瓶頸，三星(Sam
- 關(guān)鍵字： NAND SSD
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