投資10nm/3D NAND　晶圓廠(chǎng)設備支出今年增3.7%

　　國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì )(SEMI)最新報告指出，3D NAND、DRAM與10奈米制程等技術(shù)投資，將驅動(dòng)2016年晶圓廠(chǎng)設備支出攀升，預估2016年包括新設備、二手或專(zhuān)屬(In-house)設備在內的前段晶圓廠(chǎng)設備支出將增長(cháng)3.7%，達372億美元;而2017年則可望再成長(cháng)13%，達421億美元。

　　SEMI指出，2015年晶圓廠(chǎng)設備支出為359億美元，較前一年微幅減少0.4%;預測2016年上半年晶圓廠(chǎng)設備支出可望緩慢提升，下半年則將開(kāi)始加速，為2017年儲備動(dòng)能。2017年相關(guān)支出可望回復兩位數成長(cháng)率。

　　對成長(cháng)貢獻最大之類(lèi)別包括晶圓代工、3D NAND晶圓廠(chǎng)，以及準備在2017年拉升10奈米制程產(chǎn)能的業(yè)者。專(zhuān)業(yè)晶圓代工廠(chǎng)仍然是最大支出來(lái)源，其2015年支出從107億美元略為下滑至98億美元(較前一年減少8%)，惟2016年可望增加5%，2017年成長(cháng)率更將接近10%。

　　DRAM支出緊追在晶圓代工之后，排行第二。2015年DRAM支出表現強勁，但2016年可望趨緩，下滑23%，到2017年將恢復上揚趨勢，成長(cháng)率上看10%。

　　就支出成長(cháng)率來(lái)看，最大成長(cháng)動(dòng)力來(lái)自3D NAND(包括3D XPoint技術(shù))。2014年支出為18億美元，到2015年倍增至36億美元，成長(cháng)幅度高達101%。2016年支出將再增加50%，上揚56億美元以上。