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nand flash 文章 進(jìn)入nand flash技術(shù)社區
日本半導體和液晶生產(chǎn)復蘇 廠(chǎng)家暑期加班應對
- 據日本媒體報道，日本近期半導體和液晶面板的生產(chǎn)水平得到回升，大型電器生產(chǎn)廠(chǎng)家紛紛決定利用暑期休假時(shí)間加班加點(diǎn)進(jìn)行生產(chǎn)。由于環(huán)保積分制度促進(jìn)數碼家電銷(xiāo)量增長(cháng)等因素，市場(chǎng)需求得到恢復，庫存調整也取得進(jìn)展。生產(chǎn)水平的回升一旦上了軌道，這些企業(yè)的業(yè)績(jì)有望得到好轉，也可能為日本國內經(jīng)濟帶來(lái)一股活力。 在液晶生產(chǎn)領(lǐng)域擁有主導權的夏普公司旗下龜山第二工廠(chǎng)的液晶面板生產(chǎn)線(xiàn)暑期照常開(kāi)工。該工廠(chǎng)從8月起將液晶面板產(chǎn)能提高約10%，在建中的堺市新工廠(chǎng)也將于10月起按預定計劃開(kāi)工。 東芝公司旗下生產(chǎn)用于手機等的&
- 關(guān)鍵字： 夏普 液晶面板 半導體 NAND
R8C/1B單片機的Flash編程/擦除掛起功能
- Flash存儲器已成為嵌入式系統中數據和程序最主要的載體。但是在對Flash進(jìn)行編程或擦除的操作過(guò)程中，如果單片機需要處理一些緊急的情況(如中斷、數據存儲等等)，就需要暫停相對比較消耗時(shí)間的Flash編程/擦寫(xiě)過(guò)程，優(yōu)先處理這些緊急情況。這對Flash存儲器的工藝水平及控制技術(shù)提出了更高的要求。 瑞薩公司推出的R8C/1B單片機采用改進(jìn)的Flash存儲器工藝，大大縮短了編程/擦除掛起的時(shí)間，使其能夠更加及時(shí)地響應中斷或進(jìn)行其他操作。 Flash編程/擦除掛起功能 所謂掛起功能，是
- 關(guān)鍵字： 瑞薩 R8C Flash
東芝大砍6成芯片支出 轉加強電力及基礎建設
- 8月6日消息，日本芯片制造業(yè)龍頭東芝(Toshiba)周三表示，由于公司芯片業(yè)務(wù)資本支出增長(cháng)將減緩，并尋求擴張核能發(fā)電及智能型電網(wǎng)業(yè)務(wù)，3年后其電力及基礎建設業(yè)務(wù)的獲利，將達電子產(chǎn)品部的2倍。 東芝的半導體部門(mén)已連續3季出現營(yíng)業(yè)虧損，使其減緩該部門(mén)支出，并在其它領(lǐng)域尋求固定營(yíng)收來(lái)源，例如健康醫療及水處理等。 東芝目前預期，包含微芯片、傳感器及液晶顯示器(LCD)等電子產(chǎn)品部門(mén)于2012年3月底結束的會(huì )計年度，獲利將達約1000億日元(10億美元);而屆時(shí)社會(huì )基礎建設業(yè)務(wù)獲利則可達2000億
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND 晶圓
半導體產(chǎn)業(yè)既樂(lè )觀(guān)又擔憂(yōu)的7個(gè)理由
- 盡管最近市場(chǎng)調研公司VLSI仍不修正半導體業(yè)陰沉的預測， 即09年全球設備市場(chǎng)下降44.2%及半導體市場(chǎng)下降12.4%，而其CEO Hutcheson對于IC工業(yè)仍非常樂(lè )觀(guān)。 根據與Hutcheson的對話(huà)及公司的最新報告， 以下將結論刊出， 共有4個(gè)正面意見(jiàn)及2個(gè)負面看法。以下是為什么分析師呈現樂(lè )觀(guān)或者擔心的原因。 1. 看到回升 7月的周報IC銷(xiāo)售額上升到33億美元， 打破了三周來(lái)IC銷(xiāo)售額的陰沉局面， 因為通常7月是典型的弱月份， 所以這條消息具正面意見(jiàn)。依周與周的比較，IC銷(xiāo)
- 關(guān)鍵字： Cisco 通訊 太陽(yáng)能 NAND
第二季度NAND Flash市場(chǎng)收入大漲33.6%
- 在NAND Flash供貨商產(chǎn)能減產(chǎn)效應及新興市場(chǎng)庫存回補需求的雙重幫助下，第二季NAND Flash平均銷(xiāo)售價(jià)格(ASP)約上漲20% QoQ，整體NAND Flash出貨量則增加了10% QoQ, 因此2009年第二季NAND Flash品牌廠(chǎng)商營(yíng)收都較上一季成長(cháng)，2009年第二季全球NAND Flash品牌廠(chǎng)商整體營(yíng)收為27億8千6百萬(wàn)美元，較上一季的20億8千6百萬(wàn)美元成長(cháng)33.6%QoQ。 就2009年第二季NAND Flash品牌廠(chǎng)商營(yíng)收排行來(lái)看，Samsung營(yíng)收為10億3千7
- 關(guān)鍵字： Micron NAND
東芝閃存工廠(chǎng)遭雷擊 出貨量下降價(jià)格上漲10%
- 據臺灣媒體報道，東芝日前發(fā)生日本晶圓廠(chǎng)遭到雷擊短暫停電事件，盡管NAND Flash產(chǎn)能并未受到影響，然令業(yè)界意外的是，由于該廠(chǎng)房主要生產(chǎn)包含快閃記憶卡控制芯片的邏輯IC產(chǎn)品，因此，使得東芝microSD卡供應量驟降，帶動(dòng)近期microSD卡價(jià)格上漲逾10%。 內存業(yè)者認為，過(guò)去記憶卡價(jià)格一直嚴重偏低，業(yè)界趁此機會(huì )調漲終端記憶卡售價(jià)，但NAND Flash芯片價(jià)格上漲機率則不高。 業(yè)內人士表示，2009年初NAND Flash芯片價(jià)格持續上漲，記憶卡價(jià)格卻沒(méi)有跟上來(lái)，導致NAND Flas
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND 晶圓
三星閃存芯片被指侵權殃及八家公司
- 據國外媒體報道，美國知識產(chǎn)權公司BTG International Inc.(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“BTG”)今天向美國國際貿易委員會(huì )提出申訴，稱(chēng)三星的NAND閃存芯片侵犯其5項專(zhuān)利，要求禁止進(jìn)口侵權芯片及相關(guān)產(chǎn)品。BTG還將蘋(píng)果、RIM等8家采用該芯片的公司列為被告。 BTG申訴材料稱(chēng)，涉案專(zhuān)利與采用“多層存儲單元”(MLC)技術(shù)的閃存芯片的編程和讀取方法有關(guān)。MLC技術(shù)能降低閃存芯片制造成本，并提高存儲密度。 申訴材料指出，包括手機、攝像機、筆記本和
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND 閃存芯片 MLC
海力士41納米通過(guò)認證 切入蘋(píng)果供應鏈
- 海力士(Hynix)NAND Flash產(chǎn)業(yè)之路命運多舛，之前48納米制程量產(chǎn)不順，加上減產(chǎn)之故，幾乎是半退出NAND Flash產(chǎn)業(yè)，直到近期新制程41納米制程量產(chǎn)順利，才開(kāi)始活躍起來(lái)，日前更打入蘋(píng)果(Apple)iPhone 3G S供應鏈，獲得認證通過(guò)，可以一起和東芝(Toshiba)、美光(Micron)等NAND Flash大廠(chǎng)一起「吃蘋(píng)果」! 海力士2008年下半開(kāi)始，NAND Flash出貨量變得相當少，一方面是48納米制程量產(chǎn)不順，另一方面是NAND Flash價(jià)格崩盤(pán)，導致虧損
- 關(guān)鍵字： Hynix NAND 48納米 41納米 34納米 存儲器
NAND Flash買(mǎi)氣淡 7月下旬合約價(jià)仍穩住陣腳
- 7月下旬NAND Flash合約價(jià)在一片淡季聲中，仍是穩住陣腳，除了32Gb和64Gb容量的芯片，小幅下跌1~3%外，其它容量呈現持平。模塊廠(chǎng)表示，三星電子(Samsung Electronics)釋出數量不多，因此即使市場(chǎng)的買(mǎi)氣平平，NAND Flash價(jià)格下跌壓力有限，而英特爾(Intel)和美光(Micron)陣營(yíng)則是維持低價(jià)搶單的策略;市調機構英鼎(inSpectrum)預估，全球第3季的NAND Flash產(chǎn)出仍會(huì )較第2季成長(cháng)25%，估計約16.26億顆(以8Gb容量計算)。 根據英鼎
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND 記憶卡
臺塑絕地大反攻 拉攏英特爾入股華亞科
- 臺塑集團布局DRAM產(chǎn)業(yè)更趨積極，除集團挹注資金、爭取國發(fā)基金投資，近期傳出華亞科有意讓英特爾(Intel)投資入股，打算藉由辦理海外存托憑證(GDR)或私募時(shí)進(jìn)行，目前整起投資案正由外資機構評估中。存儲器業(yè)者透露，華亞科擬引進(jìn)英特爾投資，主要關(guān)鍵系說(shuō)服英特爾藉由這次支持DRAM產(chǎn)業(yè)動(dòng)作，阻止三星電子(Samsung Electronics)在全球存儲器市場(chǎng)坐大，甚至威脅英特爾在半導體產(chǎn)業(yè)地位。 存儲器業(yè)者透露，華亞科擬以GDR或私募方式引進(jìn)英特爾資金，除爭取資金挹注，另一個(gè)重要原因，就是希望藉
- 關(guān)鍵字： TMC DRAM NAND
英特爾推出業(yè)內首款34納米NAND閃存固態(tài)硬盤(pán)
- 英特爾公司已經(jīng)開(kāi)始采用更為先進(jìn)的34納米生產(chǎn)流程制造其領(lǐng)先的NAND閃存固態(tài)硬盤(pán)(SSD)。SSD是電腦硬盤(pán)的替代品。憑借更小的芯片尺寸和先進(jìn)的工程設計，34 納米產(chǎn)品將使SSD的價(jià)格(與一年前推出產(chǎn)品時(shí)的價(jià)格相比)降低60%，為PC和筆記本電腦制造商及消費者帶來(lái)實(shí)惠。 多層單元(MLC)英特爾® X25-M Mainstream SATA SSD適用于筆記本電腦和臺式機，有80GB和160GB兩個(gè)版本可供選擇。SSD是電腦中的數據存儲設備。由于SSD不包括任何移動(dòng)部件，因此與傳統硬盤(pán)(
- 關(guān)鍵字： 英特爾 34納米 NAND 固態(tài)硬盤(pán)
nand flash介紹
Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線(xiàn)性宏單元模式，為固態(tài)大容量?jì)却娴膶?shí)現提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫(xiě)速度快，適用于大量數據的存儲，因而在業(yè)界得到了越來(lái)越廣泛的應用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數碼相機、MP3隨身聽(tīng)記憶卡、體積小巧的U盤(pán)等。
NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫(xiě)入操作必須在空白區域進(jìn)行，如果目標區域已經(jīng)有數 [ 查看詳細 ]
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