中芯國際推出自主研發(fā)的38納米NAND閃存工藝制程

　　中芯國際集成電路制造有限公司今日宣布38納米 NAND 閃存工藝制程已準備就緒，中芯國際憑此成為唯一一家可為客戶(hù)生產(chǎn) NAND 產(chǎn)品的代工廠(chǎng)。該工藝平臺完全由中芯國際自主研發(fā)，可滿(mǎn)足特殊存儲器無(wú)晶圓廠(chǎng)客戶(hù)對高質(zhì)量、低密度 NAND 閃存持續增長(cháng)的需求，使中芯國際占據該領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。

　　NAND 閃存是近年來(lái)發(fā)展最為迅速的非易失性存儲(NVM)產(chǎn)品。38納米 NAND 閃存主要面向嵌入式產(chǎn)品、移動(dòng)計算、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、電視及機頂盒等多種大需求量的特殊應用領(lǐng)域?？蛻?hù)也可利用此技術(shù)帶動(dòng)串行外設接口(SPI)NAND 市場(chǎng)的發(fā)展以及不斷增長(cháng)的 IoT 相關(guān)產(chǎn)品的應用。此次中芯國際成功推出38納米 NAND 閃存技術(shù)，能夠幫助客戶(hù)滿(mǎn)足中國及全球市場(chǎng)對此技術(shù)的需求。

　　中芯國際技術(shù)研發(fā)執行副總裁李序武博士表示，“此前中芯國際已開(kāi)發(fā)出一系列從130納米到65納米的特殊 NOR 閃存平臺。經(jīng)過(guò)研發(fā)團隊專(zhuān)注及系統的努力，我們成功推出了38納米 NAND 閃存，在技術(shù)多元化方面取得重要進(jìn)展，也為后續開(kāi)發(fā)更先進(jìn)的2x/1x納米及3D NAND 閃存奠定了穩固的基礎。我們將繼續努力推進(jìn) NAND 閃存技術(shù)的開(kāi)發(fā)，以滿(mǎn)足無(wú)晶圓廠(chǎng)客戶(hù)對高質(zhì)量標準的要求?！?/p>

　　中芯國際首席執行官兼執行董事邱慈云博士表示，“這一重要里程碑對中芯國際以及特殊存儲器客戶(hù)及合作伙伴，都具有重大的戰略性意義。對客戶(hù)來(lái)說(shuō)，中芯國際顯示了其在非易失性存儲技術(shù)開(kāi)發(fā)方面的決心和能力。此外，還證明中芯國際有足夠的實(shí)力在精心選擇的細分市場(chǎng)確立領(lǐng)導地位?！?/p>