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mram 文章 進(jìn)入mram技術(shù)社區
MRAM將改變半導體市場(chǎng)的格局？三星已開(kāi)始大量生產(chǎn)
- 據報道，三星已開(kāi)始生產(chǎn)磁阻隨機存取存儲器(MRAM)。預計MRAM將改變半導體市場(chǎng)的格局，因為它兼具DRAM與NAND閃存的優(yōu)點(diǎn)?！ ∪?月6日宣布，已在一條基于28納米FD-SOI工藝的生產(chǎn)線(xiàn)上，開(kāi)始大規模生產(chǎn)和商業(yè)運輸嵌入式MRAM(eMRAM)解決方案。該公司在首爾近郊京畿道器興廠(chǎng)房舉行了儀式，標志著(zhù)新內存產(chǎn)品的首次發(fā)貨?！ ∵@種解決方案無(wú)需在數據記錄期間擦除數據，并實(shí)現了比傳統閃存快1000倍左右的寫(xiě)入速度。三星表示，由于它在斷電時(shí)保存了存儲的數據，并且不使用額外的備用電源，所以它的功耗也很
- 關(guān)鍵字： MRAM 三星
英特爾已悄悄將MRAM商用？三星緊追其后
- 在第 64 屆國際電子器件會(huì )議 (IEDM) 上，全球兩大半導體龍頭英特爾及三星展示嵌入式 MRAM 在邏輯芯片制造工藝中的新技術(shù)?！ RAM (Magnetic Random Access Memory，磁阻式隨機存取存儲)，是一種非易失性存儲技術(shù)，從 1990 年代開(kāi)始發(fā)展。此技術(shù)速度接近靜態(tài)隨機存儲的高速讀取寫(xiě)入能力，具有閃存的非揮發(fā)性，容量密度及使用壽命不輸 DRAM，但平均能耗遠低于 DRAM，而且基本上可以無(wú)限次地重復寫(xiě)入?！ ∮⑻貭栐硎酒淝度胧?MRAM 技術(shù)可在200℃下實(shí)
- 關(guān)鍵字： 英特爾 MRAM
聯(lián)華電子和美商Avalanche合作技術(shù)開(kāi)發(fā)MRAM及相關(guān)28納米產(chǎn)品
- 聯(lián)華電子今(6日) 與下一代ST-MRAM(自旋轉移力矩磁阻RAM)領(lǐng)導者美商Avalanche共同宣布，兩家公司成為合作伙伴，共同開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)取代嵌入式內存的磁阻式隨機存取內存(MRAM)。同時(shí)聯(lián)華電子也將透過(guò)Avalanche的授權提供技術(shù)給其他公司?！ ÷?lián)華電子根據此合作協(xié)議，于28納米CMOS制程上提供嵌入式非揮發(fā)性MRAM區塊供客戶(hù)將低延遲、超高效能及低功率的嵌入式MRAM內存模塊整合至應用產(chǎn)品，并鎖定在物聯(lián)網(wǎng)、穿戴裝置、消費型產(chǎn)品，以及工業(yè)、車(chē)用電子市場(chǎng)的微控制器(MCU)和系統單芯片(So
- 關(guān)鍵字： 聯(lián)華電子 MRAM 28納米
嵌入式存儲器的過(guò)去與現在
- 近期臺積電技術(shù)長(cháng)孫元成在其自家技術(shù)論壇中，首次揭露臺積電研發(fā)多年的eMRAM(嵌入式磁阻式隨機存取存儲)和eRRAM(嵌入式電阻式存儲器)將分別訂于明后年
- 關(guān)鍵字： 嵌入式存儲器 MRAM eRRAM 物聯(lián)網(wǎng)
使嵌入式 STT MRAM 磁隧道結陣列的加工成為可能
- 半導體產(chǎn)業(yè)正在迎來(lái)下一代存儲器技術(shù)的新紀元，幾大主要變化趨勢正在成形。這其中包括磁性隨機存儲器 (MRAM) 的出現。我將在幾篇相關(guān)文章中介紹推動(dòng)MRAM 得以采用的背景，重點(diǎn)說(shuō)明初始階段面臨的一些挑戰，并探討實(shí)現 STT MRAM 商業(yè)可行性的進(jìn)展?！ 貌牧瞎緸閷?shí)現 STT MRAM 的制造提供了多項重要創(chuàng )新，包括基于Endura? 平臺上的PVD創(chuàng )新以及特別的蝕刻技術(shù)。利用這些新技術(shù)并借助梅丹技術(shù)中心的設施來(lái)加工并測試器件陣列，我們驗證了 STT MRAM 的性能和可擴展性?！ ∪缃?，除了邏
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新式儲存結構能加速MRAM市場(chǎng)起飛嗎？
- MRAM新創(chuàng )公司STT開(kāi)發(fā)出一種存儲器專(zhuān)有技術(shù)，據稱(chēng)可在增加數據保持的同時(shí)降低功耗，使得MRAM的自旋力矩效率提高加40%-70%。這種新式的“歲差自旋電流”(PSC)儲存結構將在MRAM市場(chǎng)扮演什么角色?它能成為加速MRAM市場(chǎng)起飛的重要推手嗎? 磁阻式隨機存取存儲器(Magnetic RAM;MRAM)新創(chuàng )公司Spin Transfer Technologies (STT)最近開(kāi)發(fā)出MRAM專(zhuān)用技術(shù)，據稱(chēng)能以同步提高數據保持(retention)與降低電流
- 關(guān)鍵字： MRAM SRAM
如何給汽車(chē)系統選擇合適的非易失性存儲器
- 汽車(chē)系統的設計變得越來(lái)越復雜，因為要不斷的加入新的功能，如高級駕駛輔助，圖形儀表，車(chē)身控制和車(chē)輛信息娛樂(lè )系統。為了確?？煽?、安全的操作，每個(gè)子系統均需要使用特定的非易失性存儲器，以便在復位操作和電源切換期間存儲信息。非易失性存儲器用于存儲可執行代碼或常量數據、校準數據、安全性能和防護安全相關(guān)信息等重要數據，以作將來(lái)檢索用途?！ ∧壳笆袌?chǎng)上主要包含這幾種不同類(lèi)型的非易失性存儲器，如NOR 閃存、NAND 閃存、EEPROM(可擦除的可編程只讀存儲器)、FRAM(鐵電存儲器)，MRAM
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基于magnum II測試系統的MRAM VDMR8M32測試技術(shù)研究
- 摘要: VDMR8M32是珠海歐比特公司自主研發(fā)的一種高速、大容量的TTL同步靜態(tài)存儲器(MRAM)，可利用其對大容量數據進(jìn)行高速存取。本文首先介紹了該芯片的結構和原理，其次詳細闡述了基于magnum II測試系統的測試技術(shù)研究，提出了采用magnum II測試系統的APG及其他模塊實(shí)現對MRAM VDMR8M32進(jìn)行電性測試及功能測試。其中功能測試包括全空間讀寫(xiě)數據0測試，全空間讀寫(xiě)數據1，以棋盤(pán)格方式進(jìn)行全空間讀寫(xiě)測試。另外，針對MRAM的關(guān)鍵時(shí)序參數，如T
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全球晶圓代工大廠(chǎng)投入MRAM研發(fā)
- 全球主要晶圓代工廠(chǎng)計劃在2017年與2018年提供磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)作為嵌入式儲存解決方案，可望改變下一代儲存技術(shù)的游戲規則。 據SemiEngineering網(wǎng)站報導，GlobalFoundries、三星(Samsung)、臺積電(TSMC)和聯(lián)電(UMC)計劃在2017年稍晚開(kāi)始提供ST-MRAM或STT-MRAM，取代NORFlash，此舉代表市場(chǎng)的巨大轉變，因為到目前為止，只有Everspin已經(jīng)為各種應用提供MRAM，例如電池供電的SRAM替代品、讀寫(xiě)緩存(WriteCa
- 關(guān)鍵字： MRAM 晶圓
迎接嵌入式存儲器轉型 全球晶圓代工大廠(chǎng)投入MRAM研發(fā)
- 全球主要晶圓代工廠(chǎng)計劃在2017年與2018年提供磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)作為嵌入式儲存解決方案，可望改變下一代儲存技術(shù)的游戲規則。 據Semi Engineering網(wǎng)站報導，GlobalFoundries、三星(Samsung)、臺積電(TSMC)和聯(lián)電(UMC)計劃在2017年稍晚開(kāi)始提供ST-MRAM或STT-MRAM，取代NOR Flash，此舉代表市場(chǎng)的巨大轉變，因為到目前為止，只有Everspin已經(jīng)為各種應用提供MRAM，例如電池供電的SRAM替代品、讀寫(xiě)緩存(Write
- 關(guān)鍵字： 存儲器 MRAM
MRAM接班主流存儲器指日可待
- 隨著(zhù)更多業(yè)者進(jìn)入MRAM市場(chǎng)，STT執行長(cháng)Barry Hoberman在日前受訪(fǎng)時(shí)談到了MRAM帶來(lái)的商機及其可能取代現有主流存儲器技術(shù)的未來(lái)前景。 或許有人會(huì )把2016年形容為磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)市場(chǎng)的引爆點(diǎn)。而在那之前，Everspin Technologies是唯一一家出貨商用MRAM產(chǎn)品的公司。不過(guò)，就像Spin Transfer Technologies(STT)執行長(cháng)Barry Hoberman一如既往地表達肯定之意：Everspin的成就有助于其他的MRAM業(yè)者鋪路。
- 關(guān)鍵字： MRAM DRAM
DIGITIMES：MRAM的進(jìn)展與研發(fā)方向
- MRAM是新興的存儲器，為晶圓制造代工業(yè)競爭主軸之一。先講結論，MRAM的最近發(fā)展令人興奮。它雖然是新興的存儲器，卻成為傳統上以邏輯線(xiàn)路為主的晶圓制造代工業(yè)競爭主軸之一。 MRAM研發(fā)的挑戰一直都是良率和微縮。良率的提升除了晶圓廠(chǎng)各自在制程上的努力之外，機器設備廠(chǎng)商也出力甚多，這是幾家大機器設備廠(chǎng)商先后投入這即將興起設備市場(chǎng)良性競爭的結果。MRAM相關(guān)制程主要有磁性材料的蝕刻(etcher)與濺鍍(sputter)兩種設備，最近新機型的濺鍍設備表現令人驚艷，這將有助于晶圓廠(chǎng)MRAM制造良率的提升
- 關(guān)鍵字： DIGITIMES MRAM
臺積電重返內存市場(chǎng) 瞄準MRAM和RRAM
- 晶圓代工大廠(chǎng)臺積電和三星的競爭，現由邏輯芯片擴及內存市場(chǎng)。臺積電這次重返內存市場(chǎng)，瞄準是訴求更高速及低耗電的MRAM和RRAM等次世代內存，因傳輸速度比一般閃存快上萬(wàn)倍，是否引爆內存產(chǎn)業(yè)的新潮流，值得密切關(guān)注。 臺積電技術(shù)長(cháng)孫元成日前在臺積電技術(shù)論壇，首次揭露臺積電研發(fā)多年的eMRAM(嵌入式磁阻式隨機存取內存)和eRRAM(嵌入式電阻式內存)分別訂明后年進(jìn)行風(fēng)險性試產(chǎn)，主要采用22奈米制程，這將是臺積電因應物聯(lián)網(wǎng)、行動(dòng)裝置、高速運算計算機和智能汽車(chē)等四領(lǐng)域所提供效能更快速和耗電更低的新內存。
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新一代STT-MRAM容量達Gb水準
- 被視為次世代存儲器技術(shù)之一的自旋力矩傳輸存儲器(STT-MRAM)，在2016年12月舉辦的國際電子零組件會(huì )議(International Electron Devices Meeting;IEDM)中公開(kāi)了若干突破性研究成果，最值得注意的是推出了容量超過(guò)1Gb的產(chǎn)品，以及將STT-MRAM嵌入CMOS邏輯芯片的技術(shù)實(shí)證。 MRAM算是次世代非揮發(fā)性存儲器科技中出現較早的一種，其記憶單元以磁隧結(MTJ)組成，由于占用體積大與耗電量高，最大容量約16Mb，僅適用于若干特殊需求;MTJ水平排列的i
- 關(guān)鍵字： 三星 MRAM
IEDM：28nm嵌入式MRAM即將問(wèn)世
- 在今年即將于美國加州舉行的國際電子元件會(huì )議(IEDM)上，來(lái)自三星(Samsung)、東芝(Toshiba)、海力士(SK Hynix)等公司的研究團隊預計將發(fā)表多項有關(guān)磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)的最新發(fā)展。 此外，三星的研發(fā)團隊以及旗下LSI業(yè)務(wù)部門(mén)顯然也將再次發(fā)表其致力于開(kāi)發(fā)MEMS的最新成果。 三星將分別透過(guò)口頭簡(jiǎn)報以及海報展示雙管齊下的方式，介紹在28nm CMOS邏輯制造制程中嵌入8Mbit自旋傳輸(STT) MRAM等主題。在該公司發(fā)表的論文主題中，研究人員們將這種電路形
- 關(guān)鍵字： 28nm MRAM
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