使嵌入式 STT MRAM 磁隧道結陣列的加工成為可能

　　半導體產(chǎn)業(yè)正在迎來(lái)下一代存儲器技術(shù)的新紀元，幾大主要變化趨勢正在成形。這其中包括磁性隨機存儲器 (MRAM) 的出現。我將在幾篇相關(guān)文章中介紹推動(dòng)MRAM 得以采用的背景，重點(diǎn)說(shuō)明初始階段面臨的一些挑戰，并探討實(shí)現 STT MRAM 商業(yè)可行性的進(jìn)展。

　　應用材料公司為實(shí)現 STT MRAM 的制造提供了多項重要創(chuàng )新，包括基于Endura? 平臺上的PVD創(chuàng )新以及特別的蝕刻技術(shù)。利用這些新技術(shù)并借助梅丹技術(shù)中心的設施來(lái)加工并測試器件陣列，我們驗證了 STT MRAM 的性能和可擴展性。

　　如今，除了邏輯元件和其他專(zhuān)用電路元件外，典型的微控制器 (MCU) 包括用作工作存儲器的 SRAM 和用作儲存存儲器的閃存。當前業(yè)界遇到的閃存問(wèn)題是，要將浮柵 (FG) 的制造工藝對邏輯門(mén)性能的影響降到最低(圖 1)。為此，制造商通常會(huì )使用多達 10 個(gè)的額外掩膜層，這必然會(huì )增加其復雜性和成本。在 <28nm 的節點(diǎn)， 邏輯部分的工藝將遷移到高 k 柵介質(zhì)/金屬柵極(HKMG)，由于 HKMG 的熱預算有限，將導致工藝集成更為復雜。

　　圖 1：帶閃存(左)和 STT MRAM(右)的 MCU 集成方案

　　另一方面，在后端工藝 (BEOL) 中集成自旋轉移矩 MRAM (STT MRAM) 較為容易，只需要3個(gè)額外的掩膜(圖 1)。此外，與 STT MRAM 相比，閃存的能耗較大。STT MRAM 具有前景的特性(快速、非易失性、低功耗和在低溫下易于實(shí)現 BEOL 集成)使大多數主要邏輯和存儲器廠(chǎng)商開(kāi)始逐步開(kāi)發(fā) STT MRAM 技術(shù)。除 MCU 外，由于 STT MRAM 可以實(shí)現相比于 SRAM 更高的密度，STT MRAM也正在被開(kāi)發(fā)用于取代 SRAM，用作 <10nm 節點(diǎn)的最后級緩存。

　　STT MRAM 的每個(gè)存儲單元都由磁隧道結 (MTJ) 組成，其最基本的形式是由夾在兩個(gè)磁性薄膜(約 10-30? 厚的 CoFeB)間的薄介質(zhì)隧穿勢壘膜(約 10? 厚的 MgO)組成。在 MTJ 堆疊中實(shí)際有許多額外的薄膜層(參見(jiàn)示例中的圖 2a)，并且自 2007 年以來(lái)已作為硬盤(pán)驅動(dòng)器 (HDD) 中的讀取傳感器進(jìn)行制造。

　　圖 2：(a) pMTJ 堆疊細節、(b) 和 (c) 所示為 pMTJ 陣列的橫截面圖和俯視圖

　　但是，針對 HDD 中單獨的 MTJ 器件與 STT MRAM 中垂直 MTJ (pMTJ) 器件陣列的要求是完全不同的。關(guān)于pMTJ 薄膜堆疊層沉積和蝕刻工藝設備的創(chuàng )新對于制造密度/性能有競爭力的 STT MRAM 至關(guān)重要。此外，即將生產(chǎn) STT MRAM 的存儲器制造廠(chǎng)晶圓初始的產(chǎn)量比 HDD 磁頭制造廠(chǎng)高 10-20 倍，因此在設計設備時(shí)，設備的正常運行時(shí)間是要考慮的關(guān)鍵因素。

　　應用材料公司已在公司的 Endura 平臺上針對 pMTJ 堆疊層沉積(具有可控微觀(guān)結構、清潔界面和sub-? 精度的多層薄膜)開(kāi)發(fā)出多陰極 PVD 室以及各類(lèi)原位熱處理室。此外，還針對蝕刻 pMTJ 陣列開(kāi)發(fā)了用于密集陣列中非易失性磁性材料的特別蝕刻技術(shù)。[1]

　　為了評估 pMTJ 沉積和蝕刻設備的性能，在梅丹技術(shù)中心設計并制造了 1R pMTJ 陣列測試芯片。最小存儲單元尺寸 130nm x 130nm(圖 2)等同于 28nm 節點(diǎn)處的 22F2，相當于約 1Gb 密度。這些測試芯片已在高通公司進(jìn)行過(guò)電性分析，結果也在2015和2016的國際電子元件會(huì )議(IEDM)中共同發(fā)表。[2, 3]下列段落中討論的這些結果，著(zhù)重關(guān)注使用 Endura PVD 系統和特別蝕刻技術(shù)制造的 pMTJ 陣列性能。

　　一個(gè)關(guān)鍵的性能指標是蝕刻后 MTJ 陣列的 TMR%(隧道磁電阻)。對于間距為 130nm 和 50nm 直徑的 pMTJ 陣列，平均 TMR 約為 150%(圖 3)。電阻(RP)的西格瑪/平均值 <8%。這兩個(gè)數值都表明蝕刻過(guò)程中的蝕刻損傷極小。通過(guò)優(yōu)化 pMTJ 堆疊層中的自由層 (FL) 材料，在陣列中可獲得低至約 90uA 的P-AP 翻轉電流(35ns 翻轉脈沖)(圖 4)。

　　圖 3：采用不同陣列間距和 CD 的 TMR 百分比圖

　　圖 4：通過(guò)自由層 (FL) 優(yōu)化來(lái)降低翻轉電流

　　最后，通過(guò)優(yōu)化 MgO 沉積室的設備硬件設計，如圖 5 所示，可使約 10? MgO 隧道勢壘層的擊穿電壓從約 1.2V(標準)顯著(zhù)提高到約 1.5V(改進(jìn)后)。如我們的工作中所演示，這對于提高耐用性至 >1015 個(gè)寫(xiě)入周期至關(guān)重要。[3]我將在下一篇博客中進(jìn)一步探討這個(gè)問(wèn)題。

　　圖 5：通過(guò)工藝和設備硬件優(yōu)化實(shí)現 MgO VBD 改進(jìn)