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MRAM大勢將至 產(chǎn)學(xué)界吁應盡速計劃推動(dòng)
- 臺灣磁性技術(shù)協(xié)會(huì )邀請產(chǎn)學(xué)人士，11月19日于工研院舉辦自旋電子專(zhuān)題論壇，針對該主題介紹市場(chǎng)與技術(shù)概況。產(chǎn)業(yè)界與學(xué)術(shù)界人士交流該項技術(shù)的看法，對于磁性存儲器(MRAM)的市場(chǎng)前景樂(lè )觀(guān)，并認為臺灣產(chǎn)官學(xué)研有迫切攜手推動(dòng)的必要性。 在市場(chǎng)發(fā)展方面，Digitimes研究中心主任黃逸平指出，至2030年存儲器與儲存市場(chǎng)會(huì )由非揮發(fā)性存儲器所主宰，在低耗電市場(chǎng)上，包括L1 Cache在內，嵌入式存儲器可望為embedded MRAM一統，而在重運算市場(chǎng)上，MRAM可望拿下L1~L4 Cache、主存儲器以及
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MRAM的黃金時(shí)代即將來(lái)臨？
- MRAM市場(chǎng)可能會(huì )在明年開(kāi)始變得越來(lái)越“擁擠”──開(kāi)發(fā)OST-MRAM (Orthogonal Spin Transfer MRAM)技術(shù)的美國業(yè)者Spin Transfer Technologies (STT)日前宣布在自家研發(fā)晶圓廠(chǎng)制作出僅20奈米的垂直MRAM磁穿隧接面(perpendicular magnetic tunnel junction，pMTJ)，其目標是在明年第一季開(kāi)始提供其MRAM樣品，并在2018年讓產(chǎn)品正式上市。 STT執行長(cháng)Barry Hobe
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三星+IBM STT-MRAM取代傳統DRAM的節奏
- 三星電子(SamsungElectronics)與IBM攜手研發(fā)出11納米制程的次世代存儲器自旋傳輸(SpinTransferTorque)磁性存儲器(STT-MRAM)。兩家公司也表示，預計在3年內展開(kāi)MRAM量產(chǎn)，也引起了業(yè)界高度的注目。 韓媒指出，STT-MRAM是可望取代傳統DRAM、SRAM的新世代存儲器技術(shù)。與目前的NANDFlash相比，寫(xiě)入速度快上10萬(wàn)倍，而讀取速度則是快上接近10倍。由于STT-MRAM只要透過(guò)少量電力就可以驅動(dòng)的非揮發(fā)性存儲器，不使用時(shí)也完全不需要電力。
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28納米FD-SOI制程嵌入式存儲器即將問(wèn)世
- SamsungFoundry準備開(kāi)始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM以及快閃記憶體嵌入式非揮發(fā)性記憶體(eNVM)選項。 三星晶圓代工業(yè)務(wù)(SamsungFoundry)準備開(kāi)始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM(spintorquetransfermagneticRAM)以及快閃記憶體，做為嵌入式非揮發(fā)性記憶體(eNVM)選項。 SamsungFoundry行銷(xiāo)暨業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)負責人KelvinLow在接受EETimes歐洲版訪(fǎng)問(wèn)時(shí)表示，該公司的技術(shù)藍圖顯示，28
- 關(guān)鍵字： 存儲器 MRAM
IBM和三星助推 MRAM、PRAM 商用
- 據海外媒體報道，DRAM 發(fā)展快到盡頭，磁性存儲器(MRAM)和相變存儲器(PRAM)是最有潛力的接班人?IBM 和三星電子最近宣稱(chēng)，“自旋傳輸磁性存儲器(STT-MRAM)”的研究出現突破，有望加速走上商用之途。 韓媒 BusinessKorea 11 日報導，IBM 和三星在電機電子工程師學(xué)會(huì )(IEEE)發(fā)布研究論文宣稱(chēng)，兩家公司攜手研發(fā)的 STT-MRAM 的生產(chǎn)技術(shù)，成功實(shí)現 10 納秒(nanosecond)的傳輸速度和超省電架構，理論上表現超越 DRAM。
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MRAM在28nm CMOS制程處于領(lǐng)先位置
- 在28nm晶片制程節點(diǎn)的嵌入式非揮發(fā)性記憶體競賽上，自旋力矩轉移磁阻式隨機存取記憶體(STT-MRAM)正居于領(lǐng)先的位置。 比利時(shí)研究機構IMEC記憶體部門(mén)總監Arnaud Furnemont指出，雖然電阻式隨機存取記憶體(ReRAM)和相變記憶體(PCM)等其他類(lèi)型的記憶器也都有其支持者，但這些記憶體都存在著(zhù)微縮的問(wèn)題，而難以因應28nm CMOS制程的要求。 28nm平面CMOS節點(diǎn)可望具有更長(cháng)的壽命，以因應更多的“超越摩爾定律”(More-than-Moore
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日本東北大學(xué)，開(kāi)發(fā)成功超高速小電流MRAM
- 日本東北大學(xué)2016年3月21日宣布，開(kāi)發(fā)成功了可超高速動(dòng)作的新型磁存儲器(MRAM：Magnetic Random Access Memory)的基礎元件，并實(shí)際驗證了動(dòng)作。該元件可兼顧迄今MRAM元件難以實(shí)現的小電流動(dòng)作和高速動(dòng)作。 ? 三種自旋軌道力矩磁化反轉元件構造。(a)與(b)為以前的構造，(c)為此次開(kāi)發(fā)的構造(該圖摘自東北大學(xué)的發(fā)布資料) (點(diǎn)擊放大) PC及智能手機使用的SRAM及DRAM等半導體存儲器，因構成元件的微細化，性能獲得了提高，但隨著(zhù)微
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MRAM接班主流存儲器指日可待
- 記憶體產(chǎn)業(yè)中的每一家廠(chǎng)商都想打造一種兼具靜態(tài)隨機存取記憶體(SRAM)的快速、快閃記憶體的高密度以及如同唯讀記憶體(ROM)般低成本等各種優(yōu)勢的非揮發(fā)性記憶體。如今，透過(guò)磁阻隨機存取記憶體(MRAM)，可望解決開(kāi)發(fā)這種“萬(wàn)能”記憶體(可取代各種記憶體)的問(wèn)題 遺憾的是，實(shí)際讓非揮發(fā)性MRAM的速度更快、密度更高且更便宜(MRAM制造商的承諾)的最佳化步驟，似乎總是還得再等三年之久。如今，荷蘭愛(ài)因霍芬科技大學(xué)(Eindhoven University of Technolo
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SK海力士與東芝訴訟和解 提升未來(lái)技術(shù)發(fā)展力
- 東芝(Toshiba)與SK海力士(SK Hynix)宣布將共同開(kāi)發(fā)下一代半導體制程技術(shù)，同時(shí)東芝也撤銷(xiāo)對SK海力士提出的1.1兆韓元(約9.1億美元)損害賠償訴訟。兩企業(yè)決定集中火力爭取半導體產(chǎn)業(yè)未來(lái)主導權，取代相互耗損的專(zhuān)利訴訟。 據ET News報導，東芝與SK海力士曾維持很長(cháng)時(shí)間的合作關(guān)系。2007年締結專(zhuān)利授權合約，并自2011年開(kāi)始共同開(kāi)發(fā)下一代記憶體STT-MRAM。2014年3月因記憶體半導體技術(shù)外流，東芝向SK海力士提出告訴，要求1.1兆韓元規模的民事賠償，雙方關(guān)系因此破裂。
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干掉閃存 - 下代MRAM首次展示：快7倍
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- 近日，日本TDK首次展示了新型存儲技術(shù)MRAM的原型，有望取代如今遍地都是的Flash閃存。MRAM全稱(chēng)磁阻隨機訪(fǎng)問(wèn)內存，已經(jīng)存在一段時(shí)間了，但是TDK將其帶到了一個(gè)新的高度。它以磁荷為數據存儲介質(zhì)，而它的名字來(lái)自自旋傳輸矩，也即是寫(xiě)入數據的時(shí)候利用電子角動(dòng)量來(lái)改變磁場(chǎng)。 MRAM技術(shù)的讀寫(xiě)速度可以媲美SRAM、DRAM，當同時(shí)又是非易失性的，也就是可以斷電保存數據，等于綜合了RAM、Flash的優(yōu)點(diǎn)。 TDK多年來(lái)一直在研究STT-MRAM，但此前從未公開(kāi)展示。這次拿出的原型芯片
- 關(guān)鍵字： 閃存 MRAM
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