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為什么MOS管需要提升關(guān)斷速度?如何解決這個(gè)問(wèn)題?

  • 今天咱們來(lái)聊聊為啥mos管開(kāi)關(guān)得快點(diǎn)兒,還有怎么才能快點(diǎn)開(kāi)關(guān)。mos管驅動(dòng)有幾種方法,我們知道,其中有一種是用專(zhuān)門(mén)的驅動(dòng)芯片驅動(dòng),我們就以這個(gè)驅動(dòng)設計為主。說(shuō)起mos管關(guān)斷,通常電壓會(huì )比開(kāi)通時(shí)高,所以關(guān)斷的損失也會(huì )比開(kāi)通時(shí)大,所以我們自然希望電路關(guān)斷的速度能更快些。那么,咱咋能讓mos管快些開(kāi)關(guān)呢?咱們看看這張圖在mos管開(kāi)通時(shí),電阻R1和R4限制了電流,這樣就能給mos管電容充電;要注意的這兒,R1和R4的電阻值并非固定,而且,R1通常小于R4。當mos管關(guān)斷時(shí),R4電阻上的電壓被限制在0.7V,一旦超
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MOS管的導通條件和MOS驅動(dòng)電流計算

  • **1. 關(guān)于MOS管的極限參數說(shuō)明:**在以上圖中,我們需要持續關(guān)注的參數主要有:a. **ID(持續漏極電流)**:該參數含義是mos可以持續承受的電流值,在設計中,產(chǎn)品的實(shí)際通過(guò)電流值應遠小于該值,至少應小于1/3以下,例:該mos管的使用持續電流應小于50A。b. **PD(mos管的最大耗散功率)**:該參數是指設計中,實(shí)際通過(guò)mos管的電流與漏源兩端的電壓差值乘積,不應大于該值。 所以該值的很大程度取決于mos管中實(shí)際流過(guò)的電流值。c. **Vgs(柵源電壓范圍)**:該值表示在mos管的實(shí)際
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碳化硅MOS管在三相逆變器上的應用

  • 三相逆變器的定義是將直流電能轉換為交流電能的轉換器,其基本原理就是SPWM,硬件架構為四個(gè)功率模塊組成單相、三相橋式電路,橋式輸出至負載間串接低通濾波元件,控制回路具有兩個(gè)信號產(chǎn)生源,一個(gè)是固定幅值的三角波(調制波)發(fā)生器,一個(gè)為正弦波發(fā)生器,利用三角波對正弦波進(jìn)行調制,就會(huì )得到占空比按照正弦規律變化的方波脈沖列,調制比不同,一個(gè)正弦周期脈沖列數等于調制波頻率除以基博頻率)。再用方波脈沖列去控制上述橋式電路,在輸出上就得到了符合要求的正弦電壓電流了。一、前言 三相逆變是指轉換出的交流電壓為三相,
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MOS管G極與S極之間的電阻作用

  • MOS管具有三個(gè)內在的寄生電容:Cgs、Cgd、Cds。這一點(diǎn)在MOS管的規格書(shū)中可以體現(規格書(shū)常用Ciss、Coss、Crss這三個(gè)參數代替)。MOS管之所以存在米勒效應,以及GS之間要并電阻,其源頭都在于這三個(gè)寄生電容。MOS管內部寄生電容示意IRF3205寄生電容參數1.MOS管的米勒效應MOS管驅動(dòng)之理想與現實(shí)理想的MOS管驅動(dòng)波形應是方波,當Cgs達到門(mén)檻電壓之后, MOS管就會(huì )進(jìn)入飽和導通狀態(tài)。而實(shí)際上在MOS管的柵極驅動(dòng)過(guò)程中,會(huì )存在一個(gè)米勒平臺。米勒平臺實(shí)際上就是MOS管處于“放大區”的
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MOS管驅動(dòng)電路設計

  • MOS管因為其導通內阻低,開(kāi)關(guān)速度快,因此被廣泛應用在開(kāi)關(guān)電源上。而用好一個(gè)MOS管,其驅動(dòng)電路的設計就很關(guān)鍵。下面分享幾種常用的驅動(dòng)電路。電源IC直接驅動(dòng)電源IC直接驅動(dòng)是最簡(jiǎn)單的驅動(dòng)方式,應該注意幾個(gè)參數以及這些參數的影響?!?查看電源IC手冊的最大驅動(dòng)峰值電流,因為不同芯片,驅動(dòng)能力很多時(shí)候是不一樣的?!?了解MOS管的寄生電容,如圖C1、C2的值,這個(gè)寄生電容越小越好。如果C1、C2的值比較大,MOS管導通的需要的能量就比較大,如果電源IC沒(méi)有比較大的驅動(dòng)峰值電流,那么管子導通的速度就比較慢,就達
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MOS管系列在服務(wù)器電源上的應用

  • 服務(wù)器電源是指使用在服務(wù)器上的電源(POWER),它和PC電源一樣,都是一種開(kāi)關(guān)電源,指能夠將交流電轉換為服務(wù)器所需直流電的電源。一、前言 服務(wù)器電源是指使用在服務(wù)器上的電源(POWER),它和PC電源一樣,都是一種開(kāi)關(guān)電源,指能夠將交流電轉換為服務(wù)器所需直流電的電源。服務(wù)器電源按照標準可以分為ATX電源和SSI電源等。ATX標準使用較為普遍,主要用于臺式機、工作站和低端服務(wù)器;而SSI標準是隨著(zhù)服務(wù)器技術(shù)的發(fā)展而產(chǎn)生的,適用于各種檔次的機架式服務(wù)器。 二、產(chǎn)品應用及工作原理 
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MOS管輸入電阻很高,為什么一遇到靜電就不行

  • MOS管輸入電阻很高,為什么一遇到靜電就不行了?MOS管一個(gè)ESD敏感器件,它本身的輸入電阻很高,而柵-源極間電容又非常小,所以極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應而帶電,又因在靜電較強的場(chǎng)合難于泄放電荷,容易引起靜電擊穿。靜電擊穿一般分為兩種類(lèi)型:電壓型,即柵極的薄氧化層發(fā)生擊穿,形成針孔,使柵極和源極間短路,或者使柵極和漏極間短路;功率型,即金屬化薄膜鋁條被熔斷,造成柵極開(kāi)路或者是源極開(kāi)路。MOS管被擊穿的原因及解決方案?· MOS管本身的輸入電阻很高,而柵源極間電容又非常小,所以極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應
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MOS管驅動(dòng)電路設計,如何讓MOS管快速開(kāi)啟和關(guān)閉?

  • 關(guān)于MOS管驅動(dòng)電路設計,本文談一談如何讓MOS管快速開(kāi)啟和關(guān)閉。一般認為MOSFET(MOS管)是電壓驅動(dòng)的,不需要驅動(dòng)電流。然而,在MOS管的G極和S極之間有結電容存在,這個(gè)電容會(huì )讓驅動(dòng)MOS變的不那么簡(jiǎn)單。下圖的3個(gè)電容為MOS管的結電容,電感為電路走線(xiàn)的寄生電感:如果不考慮紋波、EMI和沖擊電流等要求的話(huà),MOS管開(kāi)關(guān)速度越快越好。因為開(kāi)關(guān)時(shí)間越短,開(kāi)關(guān)損耗越小,而在開(kāi)關(guān)電源中開(kāi)關(guān)損耗占總損耗的很大一部分,因此MOS管驅動(dòng)電路的好壞直接決定了電源的效率。怎么做到MOS管的快速開(kāi)啟和關(guān)閉呢?對于一個(gè)
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【干貨】拋開(kāi)教材,從實(shí)用的角度聊聊MOS管

  • 我們把單片機的一個(gè)IO口接到這個(gè)MOS管的gate端口,就可以控制這個(gè)燈泡的亮滅了。當然別忘了供電。當這個(gè)單片機的IO口輸出為高的時(shí)候,NMOS就等效為這個(gè)被閉合的開(kāi)關(guān),指示燈光就會(huì )被打開(kāi);那輸出為低的時(shí)候呢,這個(gè)NMOS就等效為這個(gè)開(kāi)關(guān)被松開(kāi)了,那此時(shí)這個(gè)燈光就被關(guān)閉,是不很簡(jiǎn)單。當說(shuō)到MOS管的時(shí)候呢,你的腦子里可能是一團糨糊的。DIAN CHAO在大部分的教材里都會(huì )告訴你長(cháng)長(cháng)的一段話(huà):MOS管全稱(chēng)金屬氧化半導體場(chǎng)效應晶體管,英文名Metal-Oxide-Semiconductor Field-Eff
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晶體管、MOS管、IGBT辨別與區分

  •   晶體管、MOS管、IGBT管是常見(jiàn)的電力電子控制器件。電流觸發(fā)晶體管只能控制開(kāi)啟,不能控制關(guān)閉屬于半可控件;電壓觸發(fā)MOS管、IGBT管既可以控制開(kāi)啟,也可以控制關(guān)斷屬于全可控件。搞懂控件的特點(diǎn)對電力電子器件維修尤為重要,小編根據所學(xué)及理解做如下總結,希望能給大家一些幫助。一、晶閘管  1、別名:可控硅是一種大功率半導體器件,常用做交流開(kāi)關(guān),觸發(fā)電流&gt;50毫安  2、特點(diǎn):體積小、重量輕、無(wú)噪聲、壽命長(cháng)、容量大、耐高壓、耐大電流、大功率  3、主要應用領(lǐng)域:整流、逆變、變頻、斬波(直流-
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PFC電路MOS管應用電路振蕩問(wèn)題分析

  • 本文介紹了傳統PFC電路MOS管在應用過(guò)程中產(chǎn)生振蕩的機理,通過(guò)具體的案例詳細分析了因MOS振蕩引起損壞的原因,并結合實(shí)際應用給出具體的解決措施和方案,通過(guò)實(shí)驗及大批量的生產(chǎn)驗證表明,措施有效,穩定且可靠,對PFC電路MOS管應用電路及參數匹配具有重要的借鑒和參考意義。
  • 關(guān)鍵字: 202008  PFC電路  MOS管  振蕩  MOSFET  202008  

使用MOS管的注意事項

  • MOS管由多數載流子參與導電,也稱(chēng)為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高(10^7~10^12Ω)、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優(yōu)點(diǎn),現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。
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六個(gè)可能讓MOS管失效的原因分析

  •   目前在市場(chǎng)應用方面,排名第一的是消費類(lèi)電子電源適配器產(chǎn)品。而MOS管的應用領(lǐng)域排名第二的是計算機主板、NB、計算機類(lèi)適配器、LCD顯示器等產(chǎn)品,隨著(zhù)國情的發(fā)展計算機主板、計算機類(lèi)適配器、LCD顯示器對MOS管的需求有要超過(guò)消費類(lèi)電子電源適配器的現象了?! 〉谌木蛯倬W(wǎng)絡(luò )通信、工業(yè)控制、汽車(chē)電子以及電力設備領(lǐng)域了,這些產(chǎn)品對于MOS管的需求也是很大的,特別是現在汽車(chē)電子對于MOS管的需求直追消費類(lèi)電子了?!   ∠旅鎸OS失效的原因總結以下六點(diǎn),然后對1,2重點(diǎn)進(jìn)行分析:  雪崩失效(電壓失效),也就
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用結點(diǎn)溫度評估器件可靠性的案例分析

  •   工程師在設計一款產(chǎn)品時(shí)用了一顆9A的MOS管,量產(chǎn)后發(fā)現壞品率偏高,經(jīng)重新計算分析后,換成了一顆5A的MOS管,問(wèn)題解決。為什么用電流裕量更小的器件,卻能提高可靠性呢?  工程師在設計的過(guò)程中非常注意元器件性能上的裕量,卻很容易忽視熱耗散設計,案例分析我們放到最后說(shuō),為了幫助理解,我們先引入一個(gè)概念:  其中Tc為芯片的外殼溫度,PD為芯片在該環(huán)境中的耗散功率,Tj表示芯片的結點(diǎn)溫度,目前大多數芯片的結點(diǎn)溫度為150℃,Rjc表示芯片內部至外殼的熱阻,Rcs表示外殼至散熱片的熱阻,Rsa表示散熱片到
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mos管介紹

  mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconductor)場(chǎng)效應晶體管?;蛘叻Q(chēng)是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。   雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后,在輸出端輸出一個(gè)大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比(beta)。另一種晶體管,叫做場(chǎng)效應管(FET),把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transc [ 查看詳細 ]

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