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mos管 文章 進(jìn)入mos管技術(shù)社區
為什么MOS管需要提升關(guān)斷速度？如何解決這個(gè)問(wèn)題？
- 今天咱們來(lái)聊聊為啥mos管開(kāi)關(guān)得快點(diǎn)兒，還有怎么才能快點(diǎn)開(kāi)關(guān)。mos管驅動(dòng)有幾種方法，我們知道，其中有一種是用專(zhuān)門(mén)的驅動(dòng)芯片驅動(dòng)，我們就以這個(gè)驅動(dòng)設計為主。說(shuō)起mos管關(guān)斷，通常電壓會(huì )比開(kāi)通時(shí)高，所以關(guān)斷的損失也會(huì )比開(kāi)通時(shí)大，所以我們自然希望電路關(guān)斷的速度能更快些。那么，咱咋能讓mos管快些開(kāi)關(guān)呢？咱們看看這張圖在mos管開(kāi)通時(shí)，電阻R1和R4限制了電流，這樣就能給mos管電容充電；要注意的這兒，R1和R4的電阻值并非固定，而且，R1通常小于R4。當mos管關(guān)斷時(shí)，R4電阻上的電壓被限制在0.7V，一旦超
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MOS管的導通條件和MOS驅動(dòng)電流計算
- **1. 關(guān)于MOS管的極限參數說(shuō)明：**在以上圖中，我們需要持續關(guān)注的參數主要有：a. **ID（持續漏極電流）**：該參數含義是mos可以持續承受的電流值，在設計中，產(chǎn)品的實(shí)際通過(guò)電流值應遠小于該值，至少應小于1/3以下，例：該mos管的使用持續電流應小于50A。b. **PD（mos管的最大耗散功率）**：該參數是指設計中，實(shí)際通過(guò)mos管的電流與漏源兩端的電壓差值乘積，不應大于該值。 所以該值的很大程度取決于mos管中實(shí)際流過(guò)的電流值。c. **Vgs（柵源電壓范圍）**：該值表示在mos管的實(shí)際
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碳化硅MOS管在三相逆變器上的應用
- 三相逆變器的定義是將直流電能轉換為交流電能的轉換器，其基本原理就是SPWM，硬件架構為四個(gè)功率模塊組成單相、三相橋式電路，橋式輸出至負載間串接低通濾波元件，控制回路具有兩個(gè)信號產(chǎn)生源，一個(gè)是固定幅值的三角波（調制波）發(fā)生器，一個(gè)為正弦波發(fā)生器，利用三角波對正弦波進(jìn)行調制，就會(huì )得到占空比按照正弦規律變化的方波脈沖列，調制比不同，一個(gè)正弦周期脈沖列數等于調制波頻率除以基博頻率）。再用方波脈沖列去控制上述橋式電路，在輸出上就得到了符合要求的正弦電壓電流了。一、前言 三相逆變是指轉換出的交流電壓為三相，
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MOS管G極與S極之間的電阻作用
- MOS管具有三個(gè)內在的寄生電容：Cgs、Cgd、Cds。這一點(diǎn)在MOS管的規格書(shū)中可以體現（規格書(shū)常用Ciss、Coss、Crss這三個(gè)參數代替）。MOS管之所以存在米勒效應，以及ＧＳ之間要并電阻，其源頭都在于這三個(gè)寄生電容。MOS管內部寄生電容示意IRF3205寄生電容參數1.MOS管的米勒效應MOS管驅動(dòng)之理想與現實(shí)理想的MOS管驅動(dòng)波形應是方波，當Cgs達到門(mén)檻電壓之后， MOS管就會(huì )進(jìn)入飽和導通狀態(tài)。而實(shí)際上在MOS管的柵極驅動(dòng)過(guò)程中，會(huì )存在一個(gè)米勒平臺。米勒平臺實(shí)際上就是MOS管處于“放大區”的
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MOS管驅動(dòng)電路設計
- MOS管因為其導通內阻低，開(kāi)關(guān)速度快，因此被廣泛應用在開(kāi)關(guān)電源上。而用好一個(gè)MOS管，其驅動(dòng)電路的設計就很關(guān)鍵。下面分享幾種常用的驅動(dòng)電路。電源IC直接驅動(dòng)電源IC直接驅動(dòng)是最簡(jiǎn)單的驅動(dòng)方式，應該注意幾個(gè)參數以及這些參數的影響?！?查看電源IC手冊的最大驅動(dòng)峰值電流，因為不同芯片，驅動(dòng)能力很多時(shí)候是不一樣的?！?了解MOS管的寄生電容，如圖C1、C2的值，這個(gè)寄生電容越小越好。如果C1、C2的值比較大，MOS管導通的需要的能量就比較大，如果電源IC沒(méi)有比較大的驅動(dòng)峰值電流，那么管子導通的速度就比較慢，就達
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MOS管系列在服務(wù)器電源上的應用
- 服務(wù)器電源是指使用在服務(wù)器上的電源（POWER），它和PC電源一樣，都是一種開(kāi)關(guān)電源，指能夠將交流電轉換為服務(wù)器所需直流電的電源。一、前言 服務(wù)器電源是指使用在服務(wù)器上的電源（POWER），它和PC電源一樣，都是一種開(kāi)關(guān)電源，指能夠將交流電轉換為服務(wù)器所需直流電的電源。服務(wù)器電源按照標準可以分為ATX電源和SSI電源等。ATX標準使用較為普遍，主要用于臺式機、工作站和低端服務(wù)器；而SSI標準是隨著(zhù)服務(wù)器技術(shù)的發(fā)展而產(chǎn)生的，適用于各種檔次的機架式服務(wù)器。 二、產(chǎn)品應用及工作原理
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MOS管輸入電阻很高，為什么一遇到靜電就不行
- MOS管輸入電阻很高，為什么一遇到靜電就不行了？MOS管一個(gè)ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應而帶電，又因在靜電較強的場(chǎng)合難于泄放電荷，容易引起靜電擊穿。靜電擊穿一般分為兩種類(lèi)型：電壓型，即柵極的薄氧化層發(fā)生擊穿，形成針孔，使柵極和源極間短路，或者使柵極和漏極間短路；功率型，即金屬化薄膜鋁條被熔斷，造成柵極開(kāi)路或者是源極開(kāi)路。MOS管被擊穿的原因及解決方案？· MOS管本身的輸入電阻很高，而柵源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應
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MOS管驅動(dòng)電路設計，如何讓MOS管快速開(kāi)啟和關(guān)閉？
- 關(guān)于MOS管驅動(dòng)電路設計，本文談一談如何讓MOS管快速開(kāi)啟和關(guān)閉。一般認為MOSFET（MOS管）是電壓驅動(dòng)的，不需要驅動(dòng)電流。然而，在MOS管的G極和S極之間有結電容存在，這個(gè)電容會(huì )讓驅動(dòng)MOS變的不那么簡(jiǎn)單。下圖的3個(gè)電容為MOS管的結電容，電感為電路走線(xiàn)的寄生電感：如果不考慮紋波、EMI和沖擊電流等要求的話(huà)，MOS管開(kāi)關(guān)速度越快越好。因為開(kāi)關(guān)時(shí)間越短，開(kāi)關(guān)損耗越小，而在開(kāi)關(guān)電源中開(kāi)關(guān)損耗占總損耗的很大一部分，因此MOS管驅動(dòng)電路的好壞直接決定了電源的效率。怎么做到MOS管的快速開(kāi)啟和關(guān)閉呢？對于一個(gè)
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【干貨】拋開(kāi)教材，從實(shí)用的角度聊聊MOS管
- 我們把單片機的一個(gè)IO口接到這個(gè)MOS管的gate端口，就可以控制這個(gè)燈泡的亮滅了。當然別忘了供電。當這個(gè)單片機的IO口輸出為高的時(shí)候，NMOS就等效為這個(gè)被閉合的開(kāi)關(guān)，指示燈光就會(huì )被打開(kāi)；那輸出為低的時(shí)候呢，這個(gè)NMOS就等效為這個(gè)開(kāi)關(guān)被松開(kāi)了，那此時(shí)這個(gè)燈光就被關(guān)閉，是不很簡(jiǎn)單。當說(shuō)到MOS管的時(shí)候呢，你的腦子里可能是一團糨糊的。DIAN CHAO在大部分的教材里都會(huì )告訴你長(cháng)長(cháng)的一段話(huà)：MOS管全稱(chēng)金屬氧化半導體場(chǎng)效應晶體管，英文名Metal-Oxide-Semiconductor Field-Eff
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晶體管、MOS管、IGBT辨別與區分
- 晶體管、MOS管、IGBT管是常見(jiàn)的電力電子控制器件。電流觸發(fā)晶體管只能控制開(kāi)啟，不能控制關(guān)閉屬于半可控件;電壓觸發(fā)MOS管、IGBT管既可以控制開(kāi)啟，也可以控制關(guān)斷屬于全可控件。搞懂控件的特點(diǎn)對電力電子器件維修尤為重要，小編根據所學(xué)及理解做如下總結，希望能給大家一些幫助。一、晶閘管 1、別名：可控硅是一種大功率半導體器件，常用做交流開(kāi)關(guān)，觸發(fā)電流>50毫安 2、特點(diǎn)：體積小、重量輕、無(wú)噪聲、壽命長(cháng)、容量大、耐高壓、耐大電流、大功率 3、主要應用領(lǐng)域：整流、逆變、變頻、斬波（直流-
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萬(wàn)用表測試MOS管使用及更換總是很難？看看這個(gè)吧?。ǘ?/a>
- 現在由于生產(chǎn)工藝的進(jìn)步，出廠(chǎng)的篩選、檢測都很?chē)栏?，我們一般判斷只要判斷MOS管不漏電、不擊穿短路、內部不斷路、能放大就可以了，方法極為簡(jiǎn)單： 采用萬(wàn)用表的R×10K擋;R×10K擋內部的電池一般是9V加1.5V達到10.5V這個(gè)電壓一般判斷PN結點(diǎn)反相漏電是夠了，萬(wàn)用表的紅表筆是負電位(接內部電池的負極)，萬(wàn)用表的黑表筆是正電位(接內部電池的正極)，如上圖所示?！ ?)測試步驟： 把紅表筆接到MOS管的源極S;把黑表筆接到MOS管的漏極D，此時(shí)表針指示應該為無(wú)窮大，如下圖所示。如果有歐姆指數，說(shuō)明
- 關(guān)鍵字： MOS管 萬(wàn)用表
六個(gè)可能讓MOS管失效的原因分析
- 目前在市場(chǎng)應用方面，排名第一的是消費類(lèi)電子電源適配器產(chǎn)品。而MOS管的應用領(lǐng)域排名第二的是計算機主板、NB、計算機類(lèi)適配器、LCD顯示器等產(chǎn)品，隨著(zhù)國情的發(fā)展計算機主板、計算機類(lèi)適配器、LCD顯示器對MOS管的需求有要超過(guò)消費類(lèi)電子電源適配器的現象了?！ 〉谌木蛯倬W(wǎng)絡(luò )通信、工業(yè)控制、汽車(chē)電子以及電力設備領(lǐng)域了，這些產(chǎn)品對于MOS管的需求也是很大的，特別是現在汽車(chē)電子對于MOS管的需求直追消費類(lèi)電子了?！ ∠旅鎸OS失效的原因總結以下六點(diǎn)，然后對1，2重點(diǎn)進(jìn)行分析： 雪崩失效(電壓失效)，也就
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用結點(diǎn)溫度評估器件可靠性的案例分析
- 工程師在設計一款產(chǎn)品時(shí)用了一顆9A的MOS管，量產(chǎn)后發(fā)現壞品率偏高，經(jīng)重新計算分析后，換成了一顆5A的MOS管，問(wèn)題解決。為什么用電流裕量更小的器件，卻能提高可靠性呢? 工程師在設計的過(guò)程中非常注意元器件性能上的裕量，卻很容易忽視熱耗散設計，案例分析我們放到最后說(shuō)，為了幫助理解，我們先引入一個(gè)概念： 其中Tc為芯片的外殼溫度，P D為芯片在該環(huán)境中的耗散功率，Tj表示芯片的結點(diǎn)溫度，目前大多數芯片的結點(diǎn)溫度為150℃，Rjc表示芯片內部至外殼的熱阻，Rcs表示外殼至散熱片的熱阻，Rsa表示散熱片到
- 關(guān)鍵字： 結點(diǎn)溫度 MOS管
mos管介紹
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconductor)場(chǎng)效應晶體管?；蛘叻Q(chēng)是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。
雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出一個(gè)大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比（beta）。另一種晶體管，叫做場(chǎng)效應管（FET），把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transc [ 查看詳細 ]
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