EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
mos管
mos管 文章 進(jìn)入mos管技術(shù)社區
一個(gè)高溫引發(fā)的悲劇，你永遠想象不到用戶(hù)把你的產(chǎn)品用在哪里？
- 曾經(jīng)的我呢還一個(gè)單純的小攻城獅，當自己設計完的電路板通過(guò)了功能測試、性能測試、環(huán)境實(shí)驗后，我就可以開(kāi)開(kāi)心心的玩耍了，但是永遠也想想不到用戶(hù)會(huì )把你的產(chǎn)品用在什么地方（客戶(hù)你們考慮過(guò)產(chǎn)品的感受嗎）。具體是這樣的一個(gè)很簡(jiǎn)單的串口RS485電路，具體電路如下圖所示，用了這個(gè)電路后就不要單獨信號去管理485芯片的收發(fā)分時(shí)了（是不是很方便，我也這么想的）。問(wèn)題就是出現這這個(gè)電路上，我們做環(huán)境實(shí)驗的時(shí)候是在55度做的一點(diǎn)點(diǎn)問(wèn)題都木有，該收收該發(fā)發(fā)，但是一到了用戶(hù)那里工作一小會(huì )就掛了，啥也木的了，經(jīng)過(guò)本人的現場(chǎng)排查（踩點(diǎn)
- 關(guān)鍵字： 開(kāi)關(guān)電路 MOS管
MOS管常見(jiàn)的幾種應用電路
- 一、開(kāi)關(guān)和放大器MOS管最常見(jiàn)的電路可能就是開(kāi)關(guān)和放大器。1. 開(kāi)關(guān)電路G極作為普通開(kāi)關(guān)控制MOS管。2. 放大電路讓MOS管工作在放大區，具體仿真結果可在上節文章看到。二、時(shí)序電路中作為反相器使用下圖示例電路中，芯片1正常工作時(shí)，PG端口高電平。如果芯片1、芯片2有時(shí)序要求，在芯片1正常工作后，使能芯片2?？梢钥吹叫酒?的使能端初始連接VCC為高電平，當芯片1輸出高電平后，(關(guān)注公眾號：硬件筆記本）MOS管導通，芯片2的使能端被拉低為低電平，芯片2開(kāi)始正常工作。這時(shí)MOS管起到的就是反相的作用。三、雙向
- 關(guān)鍵字： MOS管 電路設計
8種開(kāi)關(guān)電源MOS管的工作損耗計算
- MOSFET 的工作損耗基本可分為如下幾部分：1、導通損耗Pon導通損耗,指在 MOSFET 完全開(kāi)啟后負載電流（即漏源電流） IDS(on)(t) 在導通電阻 RDS(on) 上產(chǎn)生之壓降造成的損耗。導通損耗計算：先通過(guò)計算得到 IDS(on)(t) 函數表達式并算出其有效值 IDS(on)rms ，再通過(guò)如下電阻損耗計算式計算：Pon=IDS(on)rms2 × RDS(on) × K × Don說(shuō)明：計算 IDS(on)rms 時(shí)使用的時(shí)期僅是導通時(shí)間 Ton ，而不是整個(gè)工作周期 Ts ；RDS(
- 關(guān)鍵字： MOS管 電路設計
MOS管開(kāi)關(guān)電路設計，用三極管控制會(huì )燒壞？
- 三極管有NPN型和PNP型，同理MOS管也有N溝道和P溝道的，三極管的三個(gè)引腳分別是基極B、集電極C和發(fā)射極E，而MOS管的三個(gè)引腳分別是柵極G、漏極D和源極S。對于MOS管，我們在電路設計中都會(huì )遇到，那么應該如何設計一個(gè)MOS管的開(kāi)關(guān)電路呢？MOS管開(kāi)關(guān)電路我們一般會(huì )用一個(gè)三極管去控制，如下圖！MOS管開(kāi)關(guān)電路但是這個(gè)電路的缺點(diǎn)也是顯而易見(jiàn)，由于MOS管有一個(gè)寄生的二極管，如果CD5V的濾波電容過(guò)大，或者后端有別的電壓串進(jìn)來(lái)，會(huì )把前端給燒壞！電流路徑如下：后端電流路徑如何改善這個(gè)問(wèn)題呢？有兩個(gè)方式，一種
- 關(guān)鍵字： 三極管 MOS管 電路設計
MOS管開(kāi)關(guān)電路設計，用三極管控制會(huì )容易燒壞？
- 三極管有NPN型和PNP型，同理MOS管也有N溝道和P溝道的，三極管的三個(gè)引腳分別是基極B、集電極C和發(fā)射極E，而MOS管的三個(gè)引腳分別是柵極G、漏極D和源極S。對于MOS管，我們在電路設計中都會(huì )遇到，那么應該如何設計一個(gè)MOS管的開(kāi)關(guān)電路呢？MOS管開(kāi)關(guān)電路我們一般會(huì )用一個(gè)三極管去控制，如下圖！MOS管開(kāi)關(guān)電路但是這個(gè)電路的缺點(diǎn)也是顯而易見(jiàn)，由于MOS管有一個(gè)寄生的二極管，如果CD5V的濾波電容過(guò)大，或者后端有別的電壓串進(jìn)來(lái)，會(huì )把前端給燒壞！電流路徑如下：后端電流路徑如何改善這個(gè)問(wèn)題呢？有兩個(gè)方式，一種
- 關(guān)鍵字： MOS管 開(kāi)關(guān)電路設計 三極管
【干貨】使用 MOS管構建雙向邏輯電平轉換器
- 今天可以大家分享的是：使用 MOS 管構建一個(gè)簡(jiǎn)單的雙向邏輯電平轉換器電路邏輯電壓電平的變化范圍很大，從1.8V-5V。標準邏輯電壓為5V、3.3V、1.8V等。但是，使用 5V邏輯電平的系統/控制器（如Arduino）如何與使用3.3V邏輯電平的另一個(gè)系統（如ESP8266）通信呢？這個(gè)時(shí)候就需要用到邏輯電平轉換器，這里還將介紹 MOS管構建一個(gè)簡(jiǎn)單的雙向邏輯電平轉換器電路。一、高電平和低電平輸入電壓從微處理器/微控制器方面來(lái)看，邏輯電平的值不是固定的，對此有一定的耐受性，例如，5V邏輯電平微控制器可以
- 關(guān)鍵字： MOS管 邏輯電平轉換器 電路設計
MOS管在BMS中的應用方案
- BMS確保電池高效安全運行，MOS管檢測過(guò)充、過(guò)放、過(guò)流等。電池電壓高低與MOS管選型相關(guān)，選擇時(shí)需注意熱設計、RDS(ON)和雪崩能量。微碧專(zhuān)注MOS產(chǎn)品20余年，適用于高性能BMS場(chǎng)景。BMS（電池管理系統）負責監控、控制和保護電池，以確保電池的高效運行和安全性。MOS管在其中起到了檢測過(guò)充電，過(guò)放電，充放電過(guò)流等作用。在充電狀態(tài)時(shí)，當電池充電后過(guò)壓時(shí)，充電控制端會(huì )由高電平轉為低電平，從而使MOS管Q1關(guān)斷，充電回路被切斷，進(jìn)入過(guò)電壓保護。當電池通過(guò)負載放電，電池電壓低于設定值時(shí)，放電控制端由高電平轉
- 關(guān)鍵字： MOS管 BMS
MOS管在LED非隔離器中的應用方案
- MOS管在LED非隔離電源中調節亮度和電流，確保LED穩定工作并延長(cháng)壽命。它作為開(kāi)關(guān)元件、電流驅動(dòng)器和保護器，提高電源穩定性和安全性。選型時(shí)需注意額定電壓、電流、導通電阻和耐壓能力。推薦微碧半導體的MOS管產(chǎn)品，具有穩定性和可靠性，適用于LED非隔離電源等場(chǎng)景。MOS管（金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管）被廣泛應用于LED中，主要用于調節LED的亮度和電流，實(shí)現對LED的高效控制。在LED非隔離電源的應用方案中，MOS管（絕緣柵場(chǎng)效應管）扮演著(zhù)關(guān)鍵性角色，提升LED非隔離電源的穩定性和安全性。LED非隔離設計
- 關(guān)鍵字： MOS管 LED 非隔離器
MOS管在汽車(chē)LED 中的應用方案
- LED汽車(chē)燈采用LED技術(shù)，提供外部照明和舒適光源。設計中需解決熱極限、EMC等挑戰。有源紋波補償Buck電路是關(guān)鍵，可提升LED驅動(dòng)電源的可靠性與壽命。選擇適合的MOSFET可降低開(kāi)關(guān)損耗，提高電源效率。選型時(shí)考慮功率、電壓、電流承受、開(kāi)關(guān)速度、熱特性和封裝類(lèi)型。微碧半導體的MOSFET產(chǎn)品具有卓越性能和可靠性，為汽車(chē)LED驅動(dòng)提供解決方案。摘要由作者通過(guò)智能技術(shù)生成有用MOS管在汽車(chē)LED 中的應用方案LED汽車(chē)燈已成為車(chē)輛照明領(lǐng)域的一大亮點(diǎn)，其采用LED技術(shù)，既能提供外部照明，又能為車(chē)內帶來(lái)舒適的光
- 關(guān)鍵字： MOS管 汽車(chē)LED
MOS管驅動(dòng)電流估算
- 例：FDH45N50F如下參數：有人可能會(huì )這樣計算：開(kāi)通電流帶入數據得關(guān)斷電流帶入數據得于是乎得出這樣的結論，驅動(dòng)電流只需 250mA左右即可。仔細想想這樣計算對嗎？這里必須要注意這樣一個(gè)條件細節，RG=25Ω。所以這個(gè)指標沒(méi)有什么意義。應該怎么計算才對呢？其實(shí)應該是這樣的，根據產(chǎn)品的開(kāi)關(guān)速度來(lái)決定開(kāi)關(guān)電流。根據I=Q/t，獲得了具體MOS管Qg數據，和我們線(xiàn)路的電流能力，就可以獲得Ton= Qg/I。比如45N50，它在Vgs=10V，VDS=400V，Id=48A的時(shí)候，Qg=105nC。如果用1A的
- 關(guān)鍵字： MOS管 電路設計
MOS管基礎及選型指南
- MOS管，即金屬（Metal）—氧化物（Oxide）—半導體（Semiconductor）場(chǎng)效應晶體管，是一種應用場(chǎng)效應原理工作的半導體器件。和普通雙極型晶體管相比，MOS管具有輸入阻抗高、噪聲低、動(dòng)態(tài)范圍大、功耗小、易于集成等優(yōu)勢，在開(kāi)關(guān)電源、鎮流器、高頻感應加熱、高頻逆變焊機、通信電源等高頻電源領(lǐng)域得到了越來(lái)越普遍的應用。▉ 場(chǎng)效應管分類(lèi)場(chǎng)效應管分為結型（JFET）和金屬-氧化物-半導體型（MOSFET）兩種類(lèi)型。JFET的英文全稱(chēng)是Junction Field-Effect Transistor，也
- 關(guān)鍵字： MOS管 無(wú)源器件 模擬電路
MOS管的三個(gè)極怎么判定？
- 相信很多工程師在使用電子測量?jì)x器的時(shí)候大家都了解MOS管，下面一起看看MOS管究竟是什么。1. MOS的三個(gè)極怎么判定？MOS管符號上的三個(gè)腳，辨認要抓住關(guān)鍵地方 ：G極，不用說(shuō)比較好認。S極，不論是P溝道還是N溝道，兩根線(xiàn)相交的就是。D極，不論是P溝道還是N溝道，是單獨引線(xiàn)的那邊。2. 是N溝道還是P溝道？三個(gè)腳的極性判斷完后，接下就該判斷是P溝道還是N溝道了：當然也可以先判斷溝道類(lèi)型，再判斷三個(gè)腳極性。判斷溝道之后，再判斷三個(gè)腳極性。3. 寄生二極管的方向如何判定？接下來(lái)，是寄生二極管的方向判斷：它的
- 關(guān)鍵字： MOS管 電路設計 模擬電路
MOS驅動(dòng)好不好，波形一看就知道
- 如何從MOS管的驅動(dòng)波形來(lái)判斷驅動(dòng)好不好，到底是哪里出了問(wèn)題？本文分享幾種常見(jiàn)的MOS管驅動(dòng)波形?；A知識一般認為三極管是電流驅動(dòng)型，所以驅動(dòng)三極管，要在基極提供一定的電流。一般認為MOS管是電壓驅動(dòng)型，所以驅動(dòng)MOS管，只需要提供一定的電壓，不需要提供電流。實(shí)際是這樣嗎？由于MOS管的制作工藝，決定了本身GS之間有結電容以及GD之間有彌勒電容，DS也有寄生電容，這使得MOS管的驅動(dòng)變得不那么簡(jiǎn)單。備注：如下圖為軟件繪制，示意圖僅供參考，便于理解。1、MOS正常驅動(dòng)波形描述：MOS一般是慢開(kāi)快關(guān)，上升沿相
- 關(guān)鍵字： MOS管 電路設計
mos管介紹
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconductor)場(chǎng)效應晶體管?；蛘叻Q(chēng)是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。
雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出一個(gè)大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比（beta）。另一種晶體管，叫做場(chǎng)效應管（FET），把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transc [ 查看詳細 ]
mos管電路
mos管相關(guān)帖子
mos管資料下載
mos管專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì )員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473