晶體管、MOS管、IGBT辨別與區分

　　晶體管、MOS管、IGBT管是常見(jiàn)的電力電子控制器件。電流觸發(fā)晶體管只能控制開(kāi)啟，不能控制關(guān)閉屬于半可控件;電壓觸發(fā)MOS管、IGBT管既可以控制開(kāi)啟，也可以控制關(guān)斷屬于全可控件。搞懂控件的特點(diǎn)對電力電子器件維修尤為重要，小編根據所學(xué)及理解做如下總結，希望能給大家一些幫助。

一、晶閘管

　　1、別名：可控硅是一種大功率半導體器件，常用做交流開(kāi)關(guān)，觸發(fā)電流>50毫安

　　2、特點(diǎn)：體積小、重量輕、無(wú)噪聲、壽命長(cháng)、容量大、耐高壓、耐大電流、大功率

　　3、主要應用領(lǐng)域：整流、逆變、變頻、斬波（直流-直流）

二、MOS(MOSFET)管

　　1、作用：

　　MOS管多被用作電子開(kāi)關(guān)，用在控制回路中控制負載的通斷。柵極有電容效應，即使斷開(kāi)了電源，柵極上可能仍保持著(zhù)電壓。

　　2、特性：

　　MOSFET高輸入阻抗、驅動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導通壓降大，載流密度小。N溝道開(kāi)啟電壓一般在2~4V；P溝道開(kāi)啟電壓一般在-2~-4V。

　　3、辨別NNOS、PMOS方法：

　　借助寄生二極管來(lái)辨別。將萬(wàn)用表檔位撥至二極管檔，紅表筆接S，黑表筆接D，有數值顯示，反過(guò)來(lái)接無(wú)數值，說(shuō)明是N溝道；若情況相反是P溝道。

　　4、應用領(lǐng)域：

　　步進(jìn)馬達驅動(dòng)、電鉆工具、工業(yè)開(kāi)關(guān)電源、新能源領(lǐng)域、光伏逆變、充電樁、無(wú)人機、交通運輸領(lǐng)域、車(chē)載逆變器、汽車(chē)HID安定器、電動(dòng)自行車(chē)、綠色照明領(lǐng)域、CCFL節能燈、LED照明電源、金鹵燈鎮流器。

三、IGBT

　　1、名稱(chēng)：絕緣柵雙極型晶體管，是MOS管和三極管的結合體，主要作用是逆變和變頻，俗稱(chēng)電力電子裝置的“CPU”。

　　2、特點(diǎn)：兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn),驅動(dòng)功率小而飽和壓降低。呈7大特性：1、80%IGBT帶阻尼二極管，且可以替代不帶阻尼管使用；2、可以理解為大功率三極管和場(chǎng)效應管組成，但不能簡(jiǎn)單代替使用；3、檢測方式可以是蜂鳴檔，也可以是二極管檔位；4、繼承了場(chǎng)效應管的高阻抗和三極管的高反壓的優(yōu)點(diǎn)，耐電壓、耐電流，低功耗；5、應用范圍管：電流10-3300A、電壓600-6500V、工作頻率10-30Kh；6、可做高速開(kāi)關(guān)使用；7、啟動(dòng)電壓低3V左右，飽和導通電壓較高為5-15V。

　　3、應用領(lǐng)域：非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

　　由于硬件條件不足、自身知識水平有限，可能有講的不恰當之處，敬請各位多多指正！本人本著(zhù)相互學(xué)習，共同進(jìn)步的誠心，歡迎各位來(lái)電交流。