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模擬又掛科了?看懂模擬運放想掛都難

  • 經(jīng)過(guò)多年的發(fā)展,模擬運算放大器技術(shù)已經(jīng)很成熟,性能曰臻完善,品種極多。這使得初學(xué)者選用時(shí)不知如何是好。為了便于初學(xué)者選用,本文對集成模擬運算放大器采用工藝分類(lèi)法和功能/性能分類(lèi)分類(lèi)法等兩種分類(lèi)方法,便于讀者理解,可能與通常的分類(lèi)方法有所不同。
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通用測試儀器大全之電子負載儀(特性,工作原理,使用方法,應用范圍)

  • 通用測試儀器大全之電子負載儀(特性,工作原理,使用方法,應用范圍)-以增強AVRRISC結構的ATmega16控制器為核心,設計并制作了直流電子負載儀。系統通過(guò)斜波發(fā)生器產(chǎn)生的鋸齒波和電流采樣信號與控制信號的誤差信號作比較產(chǎn)生約20kHz的PWM波控制MOSFET管工作,然后經(jīng)過(guò)誤差放大器的PI調節構成閉環(huán)負反饋控制環(huán)路,實(shí)現恒流。恒阻和恒壓模式通過(guò)軟件實(shí)時(shí)調節流過(guò)MOS管電路的電流實(shí)現。
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全面解析MOS管特性、驅動(dòng)和應用電路

  •   在使用MOS管設計開(kāi)關(guān)電源或者馬達驅動(dòng)電路的時(shí)候,大部分人都會(huì )考慮MOS管的導通電阻、最大電壓、最大電流等,也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的,但并不是優(yōu)秀的,作為正式的產(chǎn)品設計也是不允許的?! ∠旅媸俏覍OS及MOS驅動(dòng)電路基礎的一點(diǎn)總結,其中參考了一些資料,并非原創(chuàng )。包括MOS管的介紹、特性、驅動(dòng)以及應用電路?! OSFET管FET的一種(另一種是JEFT),可以被制造成增強型或耗盡型,P溝道或N溝道共4種類(lèi)型,但實(shí)際應用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管
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關(guān)于MOS管失效,說(shuō)白了就這六大原因

  •   MOS管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場(chǎng)效應晶體管,或者稱(chēng)是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的,他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下,這個(gè)兩個(gè)區是一樣的,即使兩端對調也不會(huì )影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱(chēng)的。   目前在市場(chǎng)應用方面,排名第一的是消費類(lèi)電子電源適配器產(chǎn)品。而MOS管的應用領(lǐng)域排名第二的是計算機主板、NB、
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詳解由MOS管、變壓器搭建的逆變器電路及其制作過(guò)程

  •   逆變器,別稱(chēng)為變流器、反流器,是一種可將直流電轉換為交流電的器件,由逆變橋、邏輯控制、濾波電路三大部分組成,主要包括輸入接口、電壓?jiǎn)?dòng)回路、MOS開(kāi)關(guān)管、PWM控制器、直流變換回路、反饋回路、LC振蕩及輸出回路、負載等部分,可分為半橋逆變器、全橋逆變器等。目前已廣泛適用于空調、家庭影院、電腦、電視、抽油煙機、風(fēng)扇、照明、錄像機等設備中。   逆變變壓器原理   它的工作原理流程是控制電路控制整個(gè)系統的運行,逆變電路完成由直流電轉換為交流電的功能,濾波電路用于濾除不需要的信號,逆變器的工作過(guò)程就是這
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詳解由MOS管、變壓器搭建的逆變器電路及其制作過(guò)程

  •   逆變器,別稱(chēng)為變流器、反流器,是一種可將直流電轉換為交流電的器件,由逆變橋、邏輯控制、濾波電路三大部分組成,主要包括輸入接口、電壓?jiǎn)?dòng)回路、MOS開(kāi)關(guān)管、PWM控制器、直流變換回路、反饋回路、LC振蕩及輸出回路、負載等部分,可分為半橋逆變器、全橋逆變器等。目前已廣泛適用于空調、家庭影院、電腦、電視、抽油煙機、風(fēng)扇、照明、錄像機等設備中。   逆變變壓器原理   它的工作原理流程是控制電路控制整個(gè)系統的運行,逆變電路完成由直流電轉換為交流電的功能,濾波電路用于濾除不需要的信號,逆變器的工作過(guò)程就是這
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MOS及MOS驅動(dòng)電路基礎總結

  •   在使用MOS管設計開(kāi)關(guān)電源或者馬達驅動(dòng)電路的時(shí)候,大部分人都會(huì )考慮MOS管的導通電阻、最大電壓、最大電流等,也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的,但并不是優(yōu)秀的,作為正式的產(chǎn)品設計也是不允許的。   下面是我對MOS及MOS驅動(dòng)電路基礎的一點(diǎn)總結,其中參考了一些資料。包括MOS管的介紹、特性、驅動(dòng)以及應用電路。   MOSFET管FET的一種(另一種是JEFT),可以被制造成增強型或耗盡型,P溝道或N溝道共4種類(lèi)型,但實(shí)際應用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管,
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MOS管被靜電擊穿的原因分析

  •   MOS管一個(gè)ESD敏感器件,它本身的輸入電阻很高,而柵-源極間電容又非常小,所以極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應而帶電,又因在靜電較強的場(chǎng)合難于泄放電荷,容易引起靜電擊穿。   靜電擊穿有兩種方式;   一是電壓型,即柵極的薄氧化層發(fā)生擊穿,形成針孔,使柵極和源極間短路,或者使柵極和漏極間短路;   二是功率型,即金屬化薄膜鋁條被熔斷,造成柵極開(kāi)路或者是源極開(kāi)路。   現在的mos管沒(méi)有那么容易被擊穿,尤其是是大功率的vmos,主要是不少都有二極管保護。vmos柵極電容大,感應不出高壓。若是碰上3
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教你如何合理選擇MOS管,四大要領(lǐng)要記住

  •   怎么選擇MOS管是新手工程師們經(jīng)常遇到的問(wèn)題,了解了MOS管的選取法則,那么工程師們選擇的時(shí)候就可以通過(guò)這些法則去選取所要的MOS管了,從而讓整個(gè)電路工作能順利進(jìn)行下去。不會(huì )因為MOS管的不合適而影響后面的各項工作和事宜。下面總結出如何正確選取MOS管的四大法則。   法則之一:用N溝道orP溝道   選擇好MOS管器件的第一步是決定采用N溝道還是P溝道MOS管。在典型的功率應用中,當一個(gè)MOS管接地,而負載連接到干線(xiàn)電壓上時(shí),該MOS管就構成了低壓側開(kāi)關(guān)。在低壓側開(kāi)關(guān)中,應采用N溝道MOS管,這
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關(guān)于MOS管的基礎知識大合集

  •   下面對MOSFET及MOSFET驅動(dòng)電路基礎的一點(diǎn)總結,包括MOS管的介紹,特性,驅動(dòng)以及應用電路。   1,MOS管種類(lèi)和結構   MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET),可以被制造成增強型或耗盡型,P溝道或N溝道共4種類(lèi)型,但實(shí)際應用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是這兩種。   至于為什么不使用耗盡型的MOS管,不建議刨根問(wèn)底。   對于這兩種增強型MOS管,比較常用的是NMOS。原因是導通電阻小,且容易制造。所以開(kāi)
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【E問(wèn)E答】搞清楚MOS管的幾種“擊穿”?

  •   MOSFET的擊穿有哪幾種?  Source、Drain、Gate  場(chǎng)效應管的三極:源級S 漏級D 柵級G  (這里不講柵極GOX擊穿了啊,只針對漏極電壓擊穿)  先講測試條件,都是源柵襯底都是接地,然后掃描漏極電壓,直至Drain端電流達到1uA。所以從器件結構上看,它的漏電通道有三條:Drain到source、Drain到Bulk、Drain到Gate?! ?) Drain->Source穿通擊穿:  這個(gè)主要是Drain加反偏電壓后,使得Drain/Bulk
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【E問(wèn)E答】場(chǎng)效應管mos管vgs電壓過(guò)大有什么后果?

  •   常遇到MOS管Vgs電壓過(guò)大會(huì )損壞管子,但是從原理上看,似乎不然呀?  當vGS數值較小,吸引電子的能力不強時(shí),漏——源極之間仍無(wú)導電溝道出現,vGS增加時(shí),吸引到P襯底表面層的電子就增多,當vGS達到某一數值 時(shí),這些電子在柵極附近的P襯底表面便形成一個(gè)N型薄層,且與兩個(gè)N+區相連通,在漏——源極間形成N型導電溝道,其導電類(lèi)型與P襯底相反,形成反型層?! GS越大,作用于半導體表面的電場(chǎng)就越強,吸引到P襯底表面的電子就越多,導電溝道越厚,溝道電阻越小?! 〖碞溝道MOS管在vGS
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【E課堂】MOS管為什么會(huì )被靜電擊穿?

  •   MOS管一個(gè)ESD敏感器件,它本身的輸入電阻很高,而柵源極間電容又非常小,所以極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應而帶電(少量電荷就可能在極間電容上形成相當高的電壓(想想U=Q/C)將管子損壞,又因在靜電較強的場(chǎng)合難于泄放電荷,容易引起靜電擊穿。靜電擊穿有兩種方式:一是電壓型,即柵極的薄氧化層發(fā)生擊穿,形成針孔,使柵極和源極間短路,或者使柵極和漏極間短路;二是功率型,即金屬化薄膜鋁條被熔斷,造成柵極開(kāi)路或者是源極開(kāi)路。JFET管和MOS管一樣,有很高的輸入電阻,只是MOS管的輸入電阻更高。   靜電放電形成
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【E問(wèn)E答】用MOS管防止電源反接的原理?

  •   一般可以使用在電源的正極串入一個(gè)二極管解決,不過(guò),由于二極管有壓降,會(huì )給電路造成不必要的損耗,尤其是電池供電場(chǎng)合,本來(lái)電池電壓就3.7V,你就用二極管降了0.6V,使得電池使用時(shí)間大減?! OS管防反接,好處就是壓降小,小到幾乎可以忽略不計?,F在的MOS管可以做到幾個(gè)毫歐的內阻,假設是6.5毫歐,通過(guò)的電流為1A(這個(gè)電流已經(jīng)很大了),在他上面的壓降只有6.5毫伏?! ∮捎贛OS管越來(lái)越便宜,所以人們逐漸開(kāi)始使用MOS管防電源反接了?! MOS管防止電源反接電路:     &
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小功率 MOS管 選型手冊(較為全面)

  •   絕對要收藏的小功率 MOS管 選型手冊?! D2300 N-Channel SOT23-3 封裝、電壓20V、內阻28mΩ、電流6A、  可兼容、代用、代換、替換市面上各類(lèi)型的2300;Si2300,APM2300,CEM2300,STS2300, AP2300,MT2300,ME2300  KD2302 N-Channel SOT23-3 封裝、電壓20V、內阻85mΩ、電流3.2A  可兼容、代用、代換、替換市面上各類(lèi)型的2302 ;APM2302,SSS2302,ME2302,AP2302,
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mos管介紹

  mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconductor)場(chǎng)效應晶體管?;蛘叻Q(chēng)是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。   雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后,在輸出端輸出一個(gè)大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比(beta)。另一種晶體管,叫做場(chǎng)效應管(FET),把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transc [ 查看詳細 ]

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