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開(kāi)關(guān)電源變壓器溫升過(guò)高問(wèn)題改善方法

  • 在開(kāi)關(guān)電源變壓器的工作過(guò)程中,工程師不僅需要綜合考慮其設計構造的合理性問(wèn)題,還需要嚴格把控其溫升范圍,以免出現溫升過(guò)高導致工作效率下降的問(wèn)題
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MOS管驅動(dòng)電路詳解

  • 使用MOS管設計開(kāi)關(guān)電源或者馬達驅動(dòng)電路的時(shí)候,大部分人都會(huì )考慮MOS的導通電阻,最大電壓等,最大電流等,也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也
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必藏!小功率 MOS管 選型手冊

  • 絕對要收藏的小功率 MOS管 選型手冊。KD2300 N-Channel SOT23-3 封裝、電壓20V、內阻28mOmega;、電流6A、可兼容、代用、代換、替換市面上各類(lèi)型的23
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MOS管入門(mén)——只談應用,不談原理

  •   1、三個(gè)極怎么判定  G極(gate)—柵極,不用說(shuō)比較好認  S極(source)—源極,不論是P溝道還是N溝道,兩根線(xiàn)相交的就是  D極(drain)—漏極,不論是P溝道還是N溝道,是單獨引線(xiàn)的那邊  
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用MOS管防止電源反接的原理?

  • 一般可以使用在電源的正極串入一個(gè)二極管解決,不過(guò),由于二極管有壓降,會(huì )給電路造成不必要的損耗,尤其是電池供電場(chǎng)合,本來(lái)電池電壓就3.7V,你就用
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如何確保MOS管工作在安全區?

  • 電源工程師最怕什么?炸機!用著(zhù)用著(zhù)就壞了,莫名其妙MOS管就炸了,真是又怕又恨,可到底是哪里出問(wèn)題了呢?這一切都和SOA相關(guān)。我們知道開(kāi)關(guān)電源中MOSFE
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MOS管功率損耗竟然還可以這么測

  •   MOSFET/IGBT的開(kāi)關(guān)損耗測試是電源調試中非常關(guān)鍵的環(huán)節,但很多工程師對開(kāi)關(guān)損耗的測量還停留在人工計算的感性認知上,PFC?MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗更是只能依據口口相傳的經(jīng)驗反復摸索,那么該如何量化評估呢?  1.1功率損耗的原理圖和實(shí)測圖  一般來(lái)說(shuō),開(kāi)關(guān)管工作的功率損耗原理圖如圖?1所示,主要的能量損耗體現在“導通過(guò)程”和“關(guān)閉過(guò)程”,小部分能量體現在“導通狀態(tài)”,而關(guān)閉狀態(tài)的損耗很小幾乎為0,可以忽略不計?! ??   圖?1開(kāi)關(guān)管工作的功
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這幾個(gè)在LED驅動(dòng)電路中會(huì )常犯的錯誤一定要避免!雙層電容LED電路解析

  • 這幾個(gè)在LED驅動(dòng)電路中會(huì )常犯的錯誤一定要避免!雙層電容LED電路解析-耐壓600V的MOSFET比較便宜,很多認為L(cháng)ED燈具的輸入電壓一般是220V,所以耐壓600V足夠了,但是很多時(shí)候電路電壓會(huì )到340V,在有的時(shí)候,600V的MOSFET很容易被擊穿,從而影響了LED燈具的壽命,實(shí)際上選用600VMOSFET可能節省了一些成本但是付出的卻是整個(gè)電路板的代價(jià),所以,不要選用600V耐壓的MOSFET,最好選用耐壓超過(guò)700V的MOSFET。
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LED溫度保護電路和最基本的照明LED設計方案解析

  • LED溫度保護電路和最基本的照明LED設計方案解析-隨著(zhù)LED照明應用的發(fā)展,國內外廠(chǎng)家推出了很多用于驅動(dòng)LED的器件。其中美國國家半導體公司推出的LM3404及系列產(chǎn)品就是一款非常適用于中小功率LED光源的恒流驅動(dòng)芯片。
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低電壓、低功耗模擬電路設計方案

  • 低電壓、低功耗模擬電路設計方案-本文研究了襯底驅動(dòng)MOS管技術(shù)和運用這一技術(shù)進(jìn)行低電壓低功耗模擬電路設計的方法,并且運用這種技術(shù)設計低電壓低功耗襯底驅動(dòng)跨導運算放大器和電流差分跨導放大器。
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MOS管為什么會(huì )被靜電擊穿?

  • MOS管為什么會(huì )被靜電擊穿?-MOS管一個(gè)ESD敏感器件,它本身的輸入電阻很高,而柵-源極間電容又非常小,所以極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應而帶電(少量電荷就可能在極間電容上形成相當高的電壓(想想U=Q/C)將管子損壞),又因在靜電較強的場(chǎng)合難于泄放電荷,容易引起靜電擊穿。
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防止電源反接的原理

  • 防止電源反接的原理- 一般可以使用在電源的正極串入一個(gè)二極管解決,不過(guò),由于二極管有壓降,會(huì )給電路造成不必要的損耗,尤其是電池供電場(chǎng)合,本來(lái)電池電壓就3.7V,你就用二極管降了0.6V,使得電池使用時(shí)間大減。
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鋰離子電池管理芯片的研究及其低功耗設計 — 模擬電路的低功耗設計方法

  • 近年來(lái),鋰離子電池以其能量密度高、自放電率低、單節電池電壓高等優(yōu)點(diǎn),獲得了廣泛應用,相應的電池管理芯片研究也在不斷地完善與發(fā)展。其中,為了盡可能保證電池使用的安全性并且延長(cháng)電池的使用壽命,電池管理芯片的功能及低功耗研究顯得更為迫切和必要。
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mos管介紹

  mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconductor)場(chǎng)效應晶體管?;蛘叻Q(chēng)是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。   雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后,在輸出端輸出一個(gè)大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比(beta)。另一種晶體管,叫做場(chǎng)效應管(FET),把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transc [ 查看詳細 ]

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