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開(kāi)關(guān)電源變壓器溫升過(guò)高問(wèn)題改善方法
- 在開(kāi)關(guān)電源變壓器的工作過(guò)程中，工程師不僅需要綜合考慮其設計構造的合理性問(wèn)題，還需要嚴格把控其溫升范圍，以免出現溫升過(guò)高導致工作效率下降的問(wèn)題
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MOS管驅動(dòng)電路詳解
- 使用MOS管設計開(kāi)關(guān)電源或者馬達驅動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì )考慮MOS的導通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也
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MOS管入門(mén)——只談應用，不談原理
- 1、三個(gè)極怎么判定 G極(gate)—柵極，不用說(shuō)比較好認 S極(source)—源極，不論是P溝道還是N溝道，兩根線(xiàn)相交的就是 D極(drain)—漏極，不論是P溝道還是N溝道，是單獨引線(xiàn)的那邊
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MOS管功率損耗竟然還可以這么測
- MOSFET/IGBT的開(kāi)關(guān)損耗測試是電源調試中非常關(guān)鍵的環(huán)節，但很多工程師對開(kāi)關(guān)損耗的測量還停留在人工計算的感性認知上，PFC?MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗更是只能依據口口相傳的經(jīng)驗反復摸索，那么該如何量化評估呢? 1.1功率損耗的原理圖和實(shí)測圖 一般來(lái)說(shuō)，開(kāi)關(guān)管工作的功率損耗原理圖如圖?1所示，主要的能量損耗體現在“導通過(guò)程”和“關(guān)閉過(guò)程”，小部分能量體現在“導通狀態(tài)”，而關(guān)閉狀態(tài)的損耗很小幾乎為0，可以忽略不計?！ ?? 圖?1開(kāi)關(guān)管工作的功
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這幾個(gè)在LED驅動(dòng)電路中會(huì )常犯的錯誤一定要避免！雙層電容LED電路解析
- 這幾個(gè)在LED驅動(dòng)電路中會(huì )常犯的錯誤一定要避免！雙層電容LED電路解析-耐壓600V的MOSFET比較便宜，很多認為L(cháng)ED燈具的輸入電壓一般是220V，所以耐壓600V足夠了，但是很多時(shí)候電路電壓會(huì )到340V，在有的時(shí)候，600V的MOSFET很容易被擊穿，從而影響了LED燈具的壽命，實(shí)際上選用600VMOSFET可能節省了一些成本但是付出的卻是整個(gè)電路板的代價(jià)，所以，不要選用600V耐壓的MOSFET，最好選用耐壓超過(guò)700V的MOSFET。
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mos管介紹
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconductor)場(chǎng)效應晶體管?；蛘叻Q(chēng)是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。
雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出一個(gè)大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比（beta）。另一種晶體管，叫做場(chǎng)效應管（FET），把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transc [ 查看詳細 ]
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