MOS管基礎知識：輕松理解MOS管工作原理

MOS管是一種利用電場(chǎng)效應來(lái)控制其電流大小的半導體三端器件，很多特性和應用方向都與三極管類(lèi)似。這種器件不僅體積小、質(zhì)量輕、耗電省、壽命長(cháng)、而且還具有輸入阻抗高、噪聲低、熱穩定性好、抗輻射能力強等優(yōu)點(diǎn)，應用廣泛，特別是在大規模的集成電路中。

根據導電溝道的不同，MOS管可分為N溝道和P溝道兩類(lèi)，每一類(lèi)又分為增強型和耗盡型兩種?，F在以N溝道器件為例來(lái)介紹一下MOS管的工作原理。

MOS管的基本工作原理是利用柵源電壓去控制漏極電流，但漏極和源極之間不存在原始導電溝道，所以工作時(shí)還需要先建立。

當VGS達到VT時(shí)，該區域聚集的自由電子濃度足夠大，而形成一個(gè)新的N型區域，像一座橋梁把漏極和源極連接起來(lái)。該區域就稱(chēng)為N型導電溝道，簡(jiǎn)稱(chēng)N溝道，而VT就稱(chēng)為開(kāi)啟電壓，VGS>VT 是建立該導電溝道的必備條件。

當溝道建立之后，如果漏極之間存在一定的驅動(dòng)電壓VDS，漏極電位高于源極，造成氧化層上的電場(chǎng)分布不均勻，靠近源極強度大，靠近漏極強度弱，相應的導電溝道也就隨之變化：靠近源極處寬，靠近漏極處窄。

所以，MOS管的漏極電流Id主要受電壓VGS和VDS的影響，前者通過(guò)控制導電溝道來(lái)影響Id，后者直接作為驅動(dòng)來(lái)影響Id。總的來(lái)說(shuō)，MOS管與三極管特性極其相似，實(shí)際應用中常常都是把兩者結合使用。

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